一種減小LTPS接觸孔深寬比的工藝方法 PROCESS FOR REDUCING THE DEPTH TO WIDTH RATIO OF A LTPS CONTACT HOLE
申請人· 上海和輝光電有限公司 EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED 中國大陸 CN


專利信息

專利名稱 一種減小LTPS接觸孔深寬比的工藝方法
公告號 I517300
公告日 2016/01/11
證書號 I517300
申請號 2013/12/19
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 楊東倫 YANG, DONG-LUN
申請人 上海和輝光電有限公司 EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED 中國大陸 CN
代理人 陳天賜
優先權 中國大陸 201310475842.8 20131012
參考文獻 TW201310525A; CN1560657A
審查人員 許勝宗

專利摘要

本發明公開了一種減小LTPS接觸孔深寬比的工藝方法,該方法具有一預刻蝕步驟,該預刻蝕步驟包括:在膜表面向下刻蝕一設定厚度,形成一垂直高度低於該膜表面的基準面;自該基準面向下製作形成該LTPS接觸孔。本發明的方法在LTPS接觸孔製作工藝中增加一步預刻蝕步驟,使接觸孔區域的膜厚減小,最後形成的接觸孔的傾角也隨之減小,改善了器件的性能。


專利範圍

1.一種減小LTPS接觸孔深寬比的工藝方法,其特徵在於:該方法具有一預刻蝕步驟,該預刻蝕步驟包括:在膜表面向下刻蝕一設定厚度,刻蝕之後形成一上開口大小大於下開口大小的梯形的預刻蝕空間,並且在該預刻蝕空間的底面形成一垂直高度低於該膜表面的基準面;自該基準面向下製作形成LTPS接觸孔,該LTPS接觸孔為一上部開口大小大於下部開口的梯形接觸孔,且該下部開口具有一接觸孔傾角。 2.如申請專利範圍第1項所述的減小LTPS接觸孔深寬比的工藝方法,其中,該預刻蝕步驟進一步包括:1)在該膜表面形成一金屬層;2)以該金屬層作為掩膜,實施該預刻蝕步驟。 3.如申請專利範圍第2項所述的的減小ITPS接觸孔深寬比的工藝方法,其中,採用半透式掩膜或灰色調掩膜的光刻工藝,刻蝕該金屬層。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統