低接觸阻值之半導體結構及其製作方法
申請人· 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW


專利信息

專利名稱 低接觸阻值之半導體結構及其製作方法
公告號 I517440
公告日 2016/01/11
證書號 I517440
申請號 2011/03/22
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 王德忠; 陳復邦; 唐修穆
申請人 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW
代理人 黃志揚
優先權
參考文獻 US2008/0067497A1; US2008/0150148A1
審查人員 黃本立

專利摘要

一種低接觸阻值之半導體結構及其製作方法,其結構包含有一基板、一半導體堆疊層、一低接觸阻值層以及一透明導電層,該低接觸阻值層設置於該半導體堆疊層具有一P型氮化鎵層之一側,該低接觸阻值層之厚度小於100埃且其材質係選自於由鋁、鎵、銦及其組合所組成之群組。藉由該低接觸阻值層之設置,降低該P型氮化鎵層與該透明導電層之間的阻抗,若應用於發光二極體上,可有效增加發光效率。而本發明更揭露該結構的製作方法,其主要利用金屬有機化學氣象沉積的方式形成一緻密且薄化的低接觸阻值層,強化各層之間的匹配程度。


專利範圍

1.一種低接觸阻值之半導體結構,包含有:一基板;一半導體堆疊層,包括一形成於該基板上的N型半導體層及一設於該N型半導體層上方的P型氮化鎵層,該P型氮化鎵層具有一上表面;一低接觸阻值層,設置於該上表面,該低接觸阻值層之厚度介於25埃至50埃之間,且其材質係選自由鋁、鎵、銦及其組合所組成之群組;及一透明導電層,設置於低接觸阻值層遠離該P型氮化鎵層之一側。 2.如申請專利範圍第1項所述之低接觸阻值之半導體結構,其中該上表面具有一凹凸結構。 3.如申請專利範圍第1項所述之低接觸阻值之半導體結構,其中該半導體堆疊層更包括一設置於該N型半導體層及該P型氮化鎵層之間的發光層。 4.如申請專利範圍第1項所述之低接觸阻值之半導體結構,其中該低接觸阻值層係以金屬有機化學氣相沉積成長於該P型氮化鎵層的上表面。 5.如申請專利範圍第4項所述之低接觸阻值之半導體結構,其中該低接觸阻值層之材質為銦,且形成銦薄膜或銦叢集於該P型氮化鎵層表面。 6.如申請專利範圍第1項所述之低接觸阻值之半導體結構,其中該透明導電層之材料為選自由氧化銦錫、氟摻雜之氧化錫、氧化鋁鋅、氧化鋅及鎳金材料所組成之群組。 7.一種低接觸阻值之半導體結構的製作方法,包含有下列步驟:準備一基板;將一半導體堆疊層形成於該基板上,該半導體堆疊層依序包括一形成於該基板上的N型半導體層及一設於該N型半導體層上方的P型氮化鎵層,該P型氮化鎵層具有一上表面;於該上表面形成一低接觸阻值層,該低接觸阻值層之厚度介於25埃至50埃之間,且其材質係選自由鋁、鎵、銦及其組合所組成之群組;及設置一透明導電層於該低接觸阻值層上。 8.如申請專利範圍第7項所述之低接觸阻值之半導體結構的製作方法,其中於形成該低接觸阻值層前,先對該上表面進行一粗化處理,令該上表面形成一凹凸結構。 9.如申請專利範圍第7項所述之低接觸阻值之半導體結構的製作方法,其中該低接觸阻值層是以一金屬有機化學氣相沉積法成長於該P型氮化鎵層的上表面。 10.如申請專利範圍第9項所述之低接觸阻值之半導體結構的製作方法,其中該金屬有機化學氣相沉積法係使用一承載銦之氣相載體將銦成長於該P型氮化鎵層表面,形成該低接觸阻值層。 11.如申請專利範圍第9項所述之低接觸阻值之半導體結構的製作方法,其中該金屬有機化學氣相沉積法使用一承載過飽和銦之氮化鎵的氣相載體成長該低接觸阻值層,接著通以高溫,使銦以相分離


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