半導體裝置及場效電晶體 A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及場效電晶體
公告號 I517384
公告日 2016/01/11
證書號 I517384
申請號 2010/09/14
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 袁鋒 YUAN, FENG; 陳宏銘 CHEN, HUNG MING; 李宗霖 LEE, TSUNG LIN; 張長昀 CHANG, CHANG YUN; 萬幸仁 WANN, CLEMENT HSINGJEN
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 61/245,485 20090924 美國 12/766,233 20100423
參考文獻 US2005/0170593A1; US2006/0214212A1
審查人員 謝志偉

專利摘要

本發明係關於鰭式場效電晶體之隔離結構。鰭式場效電晶體包括含一主要表面之基材;複數個鰭式結構,突出此基材之主要表面,其中每個鰭式結構皆包含由一過渡位置所分離之上部及下部,此過渡位置位於鰭式結構之側壁與基材主要表面夾角85度處,其中此上部具有與此基材主要表面實質上垂直之側壁及具有第一寬度之頂面,此下部具有位於此上部之兩側錐形側壁及具有第二寬度之底部,此第二寬度大於此第一寬度;及複數個隔離結構位於此些鰭式結構之間,其中每個隔離結構皆自此基材之此主要表面延伸至過渡位置上方之一點。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一基材,包含一主要表面;複數個鰭式結構,突出該基材之該主要表面,其中每個鰭式結構皆包含一藉由一過渡位置所分離之一上部及一下部,該過渡位置位於該鰭式結構之側壁與該基材之該主要表面夾角85度之處,其中該上部具有與該基材之該主要表面實質上垂直之側壁、從該垂直側壁底下至該過渡位置為彎曲之側壁及一具有第一寬度之頂面,其中該下部在該上部之兩側具有漸窄且彎曲之側壁,且該下部具有一底部,其中該底部具有一第二寬度大於該第一寬度;以及複數個隔離結構,位於該些鰭式結構之間,其中每個隔離結構皆自該基材之該主要表面延伸至該過渡位置上方之一點。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一寬度為約5至40nm,該第二寬度為約10至60nm。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一寬度與該第二寬度之比例為約0.3至0.5。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中介於該過渡位置及該頂面之間的第一偏移距離與介於該底部及該頂面之間的第二偏移距離之比例為約0.15至0.3。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中介於該點及該頂面之間的第三偏移距離與介於該過渡位置及該頂面之間的第一偏移距離之比例為約0.3至0.6。 6.一種場效電晶體,包括:一基材,包含一主要表面;一鰭式結構,突出該基材之該主要表面並沿一縱向延伸,其中該鰭式結構包含一與該縱向垂直之剖面,其中該剖面包含一藉由一過渡位置所分離之一上部及一下部,該過渡位置位於該鰭式結構之側壁與該基材之該主要表面夾角85度之處,其中該上部具有與該基材之該主要表面實質上垂直之側壁、從該垂直側壁底下至該過渡位置為彎曲之側壁及一具有第一寬度之頂面,其中該下部在該上部之兩側具有漸窄且彎曲之側壁,且該下部具有一底部,該底部具有一第二寬度大於該第一寬度,其中該上部包含一第一縱向部分、一第二縱向部分及位於該第一縱向部分及該第二縱向部分之間的一第三縱向部分;一通道區域,位於該上部之該第三縱向部分中:一閘極結構,位於該通道區域上;一矽化物層,位於該第一及該第二縱向部分中,形成源極/汲極區;以及一隔離結構,圍繞該鰭式結構,其中該隔離結構自該基材之該主要表面延伸至該過渡位置上方之一點。 7.如申請專利範圍第6項所述之場效電晶體,其中該第一寬度為約5至40nm,該第二寬度為約10至60nm。 8.如申請專利範圍第6項所述之


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統