鰭狀場效電晶體結構及其製作方法 FINFET STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 鰭狀場效電晶體結構及其製作方法
公告號 I517392
公告日 2016/01/11
證書號 I517392
申請號 2012/01/11
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳東郁 CHEN, TONG YU; 王志榮 WANG, CHIH JUNG
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 TW200536122A; TW200614334A; TW200807567A; TW201023275A; TW201110350A
審查人員 陳俊宏

專利摘要

一種鰭式場效電晶體結構,包含基底、鰭狀結構、絕緣層與閘極結構。絕緣層覆蓋基底以及部分圍繞鰭狀結構之側面形成一L型絕緣層,其中該L型絕緣層與鰭狀結構有蝕刻選擇比。閘極結構部分包圍鰭式結構,藉由L型絕緣層,可以控制鰭狀場效電晶體的通道寬度。


專利範圍

1.一種鰭狀場效電晶體結構,至少包括:一基底;至少一第一鰭狀結構,設置於該基底上;一淺溝隔離位於該基底上;一L型絕緣層,位於該淺溝隔離上並設置於該第一鰭狀結構周圍,且至少曝露出部分該第一鰭狀結構之側壁其中該L型絕緣層之高度小於該第一鰭狀結構之高度,以曝露出部分該第一鰭狀結構之側壁表面;以及一閘極結構,設置於部份該L型絕緣層以及部份該第一鰭狀結構之上。 2.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,其中針對一蝕刻配方該第一鰭狀結構與該L型絕緣層有蝕刻選擇比。 3.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,另包括一應力層覆蓋於該閘極結構、該第一鰭狀結構以及該L型絕緣層之上。 4.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,其中該L型絕緣層包括複數層結構。 5.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,其中該L型絕緣層具有一壓縮應力或一伸張應力。 6.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,其中該閘極結構包括多晶矽或金屬,以及一高介電常數層設置於該閘極結構與該基底之間。 7.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,其中該基底包括矽基底或SOI基底。 8.如請求項1所述之鰭狀場效電晶體結構,另包括一第二鰭狀結構設置於該基底上,以及一第二L型絕緣層覆蓋至少部份該第二鰭狀結構之側壁。 9.如請求項8所述之鰭狀場效電晶體結構,其中該L型絕緣層之高度與第二L型絕緣層之高度不同。 10.一種鰭狀場效電晶體結構的製作方法,包括:形成至少一第一鰭狀結構於一基底上;形成一淺溝隔離於該基底上;形成一L型絕緣層於該淺溝隔離上並位於該第一鰭狀結構側壁,其中該L型絕緣層之高度小於該第一鰭狀結構之高度,以曝露出部分該第一鰭狀結構之側壁表面;形成一閘極結構於部份該L型絕緣層以及部份該第一鰭狀結構之上;以及形成一源極/汲極於該閘極結構兩側之該第一鰭狀結構中。 11.如請求項10所述之鰭狀場效電晶體結構的製作方法,其中形成該L型絕緣層的方法,包括:形成一絕緣層覆蓋該第一鰭狀結構與該基底表面;形成一閘極寬度調整材於該絕緣層上;去除部份該閘極寬度調整材以曝露部份該絕緣層;以及去除部份部份該絕緣層,以形成該L型絕緣層並曝露部份該第一鰭狀結構。 12.如請求項11所述之鰭狀場效電晶體結構的製作方法,其中針對一蝕刻配方該L型絕緣層與該閘極寬度調整材以及該第一鰭狀結構具有不同的蝕刻速率。 13.如請求項10所述之鰭狀場效電晶體結構的製作方法,其中在形


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