薄膜電晶體之半導體層用氧化物的製造方法、薄膜電晶體及顯示裝置
申請人· 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR


專利信息

專利名稱 薄膜電晶體之半導體層用氧化物的製造方法、薄膜電晶體及顯示裝置
公告號 I529134
公告日 2016/04/11
證書號 I529134
申請號 2014/03/07
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 小坂修司 KOSAKA, SHUJI; 林和志 HAYASHI, KAZUSHI; 安秉斗 AHN, BYUNG DU; 金建熙 KIM, GUN HEE; 金連洪 KIM, YEON-HONG; 朴辰玹 PARK, JIN HYUN
申請人 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
代理人 林志剛
優先權 日本 2013-047347 20130308
參考文獻 TW201008893A1; TW201222825A1
審查人員 廖學章

專利摘要

本發明之薄膜電晶體之半導體層用氧化物的製造方法中,構成氧化物的金屬元素是由In、Zn、及Sn所組成,控制上述氧化物成膜於薄膜電晶體之半導體層時的氧分壓為15體積%以上,使得滿足氧化物的缺陷密度為7.5×1015cm-3以下、遷移率為15cm2/Vs以上。


專利範圍

1.一種薄膜電晶體之半導體層用氧化物的製造方法,係為用於薄膜電晶體之半導體層的氧化物的製造方法,其特徵為:構成前述氧化物的金屬元素是由In、Zn、及Sn所組成,控制前述氧化物成膜於薄膜電晶體之半導體層時的氧分壓為15體積%以上,使得前述氧化物的缺陷密度滿足7.5×10 15 cm -3 以下、遷移率滿足15cm 2 /Vs以上。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體層用氧化物的製造方法,其中,前述氧化物中,對於除了氧以外的所有金屬元素,設各金屬元素的含有量(原子%)分別為〔In〕、〔Zn〕、及〔Sn〕時,係滿足以下關係:1≦〔In〕、50≦〔Zn〕≦95、1≦〔Sn〕≦30。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體層用氧化物的製造方法,其中,控制前述氧分壓為40體積%以下。 4.一種薄膜電晶體,其特徵為:薄膜電晶體之半導體層中具備藉由申請專利範圍第3項之半導體層用氧化物的製造方法所製造之半導體層用氧化物。 5.一種顯示裝置,其特徵為:具備申請專利範圍第4項之薄膜電晶體。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統