半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517401
公告日 2016/01/11
證書號 I517401
申請號 2011/01/28
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-024385 20100205
參考文獻 TW359882; TW200414538A; TW200527657A; JP5-326956A; JP2002-368229A; JP2009-10431A; JP2009-33145A; US2001/0030323A1; US2008/0136990A1; US2009/0224754A1; US2009/0283763A1; US2010/0123128A1
審查人員 宋國明

專利摘要

提供一種更加方便及高度可靠的半導體裝置,其具有包括用於各種應用之具更高耐衝擊性之氧化物半導體的電晶體。半導體裝置具有:於基板上包括閘極電極層、閘極絕緣層及氧化物半導體層之底閘電晶體;該電晶體上之絕緣層;及該絕緣層上之導電層。該絕緣層覆蓋該氧化物半導體層及接觸該閘極絕緣層。沿該氧化物半導體層之通道寬度方向,該閘極絕緣層之端部及該絕緣層之端部於該閘極電極層之上彼此對齊,及該導電層覆蓋該氧化物半導體層之通道形成區、該閘極絕緣層之該端部及該絕緣層之該端部,並接觸該閘極電極層。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極,其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。 2.一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極,其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,使得該氧化物半導體層被該閘極電極、該第一絕緣層、該第二絕緣層及該導電層所圍繞,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。 3.一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極,其中該第二絕緣層包含第一開口及第二開口,該第一開口及該第二開口以該氧化物半導體層位在該第一開口及該第二開口之間的方式沿著該電晶體之通道寬度方向排列,其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的該通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,使得該導電層之部份形成在該第一開口及該第二開口之中,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。 4.如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該閘極電極與該導電層沿著該電晶體的該通道寬度方向於該氧化物半導體層之兩側彼此接觸。 5.如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統