覆晶晶圓級封裝及其方法 FLIP-CHIP WAFER LEVEL PACKAGE AND METHODS THEREOF
申請人· 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE


專利信息

專利名稱 覆晶晶圓級封裝及其方法
公告號 I517342
公告日 2016/01/11
證書號 I517342
申請號 2013/11/14
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 梅爾 索斯登 MEYER, THORSTEN
申請人 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE
代理人 林志剛
優先權 美國 13/731,123 20121231
參考文獻 TW200908273; US2003/0193078A1; US2011/0159639A1; US2012/0070939A1
審查人員 翁佑菱

專利摘要

一種電子封裝,包含:一覆晶組件,其具有耦合至一覆晶基板之一第一晶粒;堆疊在該第一晶粒上之第二晶粒;形成於該第一晶粒與該第二晶粒周圍之一包封化合物;一組穿過該包封化合物至該覆晶基板之穿包封物通孔(TEV),其提供從該電子封裝之第一側至該電子封裝之第二側的一組電連接件;及一重分佈層,其將該第二晶粒上之一組接點電連接至該電子封裝之第一側上的該組TEV。


專利範圍

1.一種電子封裝,包括:一覆晶組件,其具有耦合至一覆晶基板的一第一晶粒;堆疊在該第一晶粒上之一第二晶粒;形成於該第一晶粒與該第二晶粒周圍之一包封化合物;一組穿過該包封化合物至該覆晶基板之穿包封物通孔(TEV),其提供從該電子封裝之第一側至該電子封裝之第二側的一組電連接件;一重分佈層,其將該第二晶粒上之一組接點電連接至該電子封裝之第一側上的該組TEV;一保護層,一致地且連續地覆蓋遠離該覆晶基板的該重分佈層的至少一表面;及複數焊料球,黏合至於遠離該第一晶粒的該覆晶基板的表面處的該電子封裝的單側。 2.如申請專利範圍第1項之電子封裝,其進一步包括堆疊在該覆晶組件之該第一晶粒上的一組額外晶粒。 3.如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該第一晶粒之一組接點係配置成與該第二晶粒之該組接點相對置。 4.如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該重分佈層係一薄膜層。 5.如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中在該第二晶粒上之該組接點及該電子封裝之該第一側的一表面之間的距離係小於大約20微米。 6.如申請專利範圍第1項之電子封裝,其進一步包括在該第二晶粒與該重分佈層之間之一介電層。 7.一種記憶體裝置,包括:一覆晶組件,其具有耦合至一覆晶基板的一第一晶粒;堆疊在該第一晶粒上之一第二晶粒;形成於該第一晶粒與該第二晶粒周圍之一包封化合物;一組穿包封物通孔(TEV),其提供從該電子封裝之第一側至該電子封裝之第二側穿過該包封化合物至該覆晶基板的一組電連接件;一重分佈層,其將第二晶粒上之一組接點電連接至該電子封裝之該第一側上的該組TEV;一保護層,一致地且連續地覆蓋遠離該覆晶基板的該重分佈層的至少一表面;及複數焊料球,黏合至於遠離該第一晶粒的該覆晶基板的表面處的該電子封裝的單側,其中由該第一晶粒及該第二晶粒組成之群組中的至少一者包含記憶體功能。 8.一種電子封裝,包括:一第一電子封裝;及一第二電子封裝,其包括:一覆晶組件,其具有耦合至一覆晶基板的一第一晶粒;堆疊在該第一晶粒上之一第二晶粒;形成於該第一晶粒與該第二晶粒周圍之一包封化合物;一組穿包封物通孔(TEV),其提供從該電子封裝之第一側至該電子封裝之第二側穿過該包封化合物至該覆晶基板的一組電連接件;一重分佈層,其將第二晶粒上之一組接點電連接至該電子封裝之該第一側上的該組TEV;一保護層,一致地且連續地覆蓋遠離該覆晶基板的該重分佈層的至少一表面;及


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