發光二極體裝置及其製作方法 LIGHT EMITTING DIODE (LED) DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 億光電子工業股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 新北市樹林區中華路6之8號 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體裝置及其製作方法
公告號 I517442
公告日 2016/01/11
證書號 I517442
申請號 2013/04/18
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 葉寅夫 YEH, ROBERT; 林治民 LIN, CHIH MIN; 康桀侑 KANG, CHIEH YU
申請人 億光電子工業股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 新北市樹林區中華路6之8號 TW
代理人 詹銘文; 葉璟宗
優先權
參考文獻 TW200723561; TW201238074
審查人員 邱智強

專利摘要

一種發光二極體裝置,包括基板、第一發光二極體、第二發光二極體、絕緣層、導線層、反射層、第一接墊以及第二接墊。第一發光二極體設置於基板上且包括第一電極以及第一發光區域。第二發光二極體設置於基板上並與第一發光二極體之間具有空隙。第二發光二極體包括第二電極以及第二發光區域。導線層電性連接第一及第二發光二極體。反射層位於第一發光區域與第一接墊間及第二發光區域與第二接墊間。絕緣層填充於空隙中並位於導線層與反射層之間。絕緣層接觸第一及第二發光二極體。第一接墊以及第二接墊分別設置於第一電極以及第二電極上。


專利範圍

1.一種發光二極體裝置,包括:一基板,具有一表面;一第一發光二極體,設置於該表面上,該第一發光二極體包括一第一電極以及一第一發光區域;一第二發光二極體,設置於該表面上並與該第一發光二極體之間具有一空隙,該第二發光二極體包括一第二電極以及一第二發光區域;一導線層,設置於該間隙內且電性連接該第一發光二極體與該第二發光二極體;一第一接墊以及一第二接墊,分別設置於該第一電極以及該第二電極上並與該第一電極以及該第二電極電性連接;以及一反射層,連續地設置於該第一發光二極體及該第二發光二極體上,且位於該第一發光區域與該第一接墊之間以及該第二發光區域與該第二接墊之間。 2.如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,其中該第一發光二極體包括一第一半導體層、一第一發光層和一第二半導體層自該表面依序堆疊,該第一發光層定義出該第一發光區域,該第一電極設置於該第二半導體層上,該第二發光二極體包括一第三半導體層、一第二發光層和一第四半導體層自該表面依序堆疊,該第二發光層定義出該第二發光區域,該第二電極設置於該第三半導體層上。 3.如申請專利範圍第2項所述的發光二極體裝置,其中該導線層電性連接該第一發光二極體之一第三電極以及該第二發光二極體之一第四電極。 4.如申請專利範圍第2項所述的發光二極體裝置,其中該第一半導體層與該第三半導體層為N型半導體層,該第二半導體層與該第四半導體層為P型半導體層。 5.如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,更包括一絕緣層設置於該導線層與該第一接墊及該第二接墊之間。 6.如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置,其中該絕緣層包括一第一絕緣層及一第二絕緣層,該第一絕緣層接觸該第一半導體層、該第二半導體層、該第三半導體層以及該第四半導體層,且該第一絕緣層及該第二絕緣層包覆該反射層。 7.一種發光二極體裝置的製作方法,包括:提供一發光二極體晶片結構,其包括一基板、一第一發光二極體、一第二發光二極體以及一導線層,其中該第一發光二極體設置於該基板之一表面上,並包括一第一電極以及一第一發光區域,該第二發光二極體設置於該表面上並與該第一發光二極體之間具有一空隙,該第二發光二極體包括一第二電極以及一第二發光區域該導線層連接該第一發光二極體以及該第二發光二極體;形成一第一絕緣層,覆蓋該發光二極體晶片結構;形成一反射層,覆蓋該第一絕緣層,並位於該第一發光區域以及該第二發光區域上;形


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