薄膜電晶體的半導體層用氧化物及濺射靶,以及薄膜電晶體
申請人· 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR


專利信息

專利名稱 薄膜電晶體的半導體層用氧化物及濺射靶,以及薄膜電晶體
公告號 I517391
公告日 2016/01/11
證書號 I517391
申請號 2011/07/29
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 森田晉也 MORITA, SHINYA; 三木綾 MIKI, AYA; 岩成裕美 IWANARI, YUMI; 釘宮敏洋 KUGIMIYA, TOSHIHIRO; 安野聰 YASUNO, SATOSHI; 朴在佑 PARK, JAE WOO; 李制勳 LEE, JE HUN; 安秉斗 HAN, BYUNG DU
申請人 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-172868 20100730 日本 2011-008323 20110118
參考文獻 TW200939470
審查人員 董柏昌

專利摘要

本發明是在於提供一種薄膜電晶體的開關特性佳,特別是保護膜形成後也可安定取得良好的特性之薄膜電晶體半導體層用氧化物。本發明的薄膜電晶體的半導體層用氧化物是可使用於薄膜電晶體的半導體層的氧化物,上述氧化物是含Zn、Sn及Si。


專利範圍

1.一種薄膜電晶體的半導體層用氧化物,係使用於薄膜電晶體的半導體層的氧化物,其特徵為:上述氧化物係含Zn、Sn、及Si,若將含於前述氧化物的Si、Zn、及Sn的含有量(原子%)分別設為[Si]、[Zn]、及[Sn],則[Si]/([Zn]+[Sn]+[Si])的比為0.01以上0.30以下。 2.如申請專利範圍第1項之氧化物,其中,將含於半導體層用氧化物的Zn及Sn的含有量(原子%)分別設為[Zn]及[Sn]時,[Zn]/([Zn]+[Sn])的比為0.8以下。 3.一種薄膜電晶體,係具備如申請專利範圍第1或2項之氧化物,作為薄膜電晶體的半導體層。 4.如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體,其中,上述半導體層的密度為5.8g/cm 3 以上。 5.一種濺射靶,係用以形成如申請專利範圍第1或2項之氧化物的濺射靶,其特徵係含Zn、Sn、及Si,若將含於前述濺射靶的Si的含有量(原子%)設為[Si],則[Si]/([Zn]+[Sn]+[Si])的比為0.01以上0.30以下。 6.如申請專利範圍第5項之濺射靶,其中,將含於濺射靶的Zn及Sn的含有量(原子%)分別設為[Zn]及[Sn]時,[Zn]/([Zn]+[Sn])的比為0.8以下。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統