納米管



  • 包括碳奈米管之複合結合劑及使用其之鋰二次電池

    公告號:I346407 - LG化學股份有限公司 LG CHEM, LTD. 南韓 KR

    1.一種用於一二次電池之一電極混合物的奈米複合結合劑,其包含複數碳奈米管,該些碳奈米管係於一光及/或熱電可聚合化材料或聚合物,或一其混合物中,其中,該碳奈米管插入光及/或熱電可聚合化材料或聚合物,或該碳奈米管經由物理或化學結合被捕獲於該聚合物間,藉此形成該奈米複合結合劑,及其中,該些碳奈米管包含重量

  • 使用非水平定向奈米管元件之感測器平臺及製造感測器、電容結構與電阻結構之方法

    公告號:I346202 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種感測器平臺,包括:一感測器構件,其包括至少一奈米管;一包括一基板之支撐結構,其支撐該感測器構件使之可暴露於一流體,並具有實質非平行於該感測器構件之該基板之一主表面;及控制電路系統,其電氣感測該感測器構件,俾可檢測一相應分析物之存在。2.如申請專利範圍第1項之感測器平臺,其中該感測器構件具

  • 觸媒構造體及使用它之碳奈米管之製法

    公告號:I345554 - 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 日本 JP

    1.一種觸媒構造體,其係用於藉由氣相成長來製造由碳結晶所構成的碳奈米管(24)之觸媒構造體(21),且係由在結晶成長面(22)上形成環形狀或渦卷形狀之觸媒材料所構成。2.如申請專利範圍第1項之觸媒構造體,其係由以結晶成長面(22)做上面之柱狀體,且該柱狀體之側面的至少一部分係對於該碳結晶之成長不

  • 以奈米管為基礎之切換元件及邏輯電路

    公告號:I343182 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種切換元件,包含:一輸入節點;一輸出節點;一具有至少一電氣傳導奈米管之奈米管通道元件;一控制電極,相對於該奈米管通道元件而設置,以於該輸入節點及該輸出節點之間形成一電氣傳導通道,其中該通道至少包括該奈米管通道元件;以及其中該輸出節點係被建構與安排為使得該通道形成實質上不受該輸出節點的電氣狀態的

  • 垂直奈米管半導體元件結構及其形成之方法

    公告號:I343123 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種用以形成一半導體元件結構之方法,其至少包含下列步驟:於一基材上形成一導體墊;自該導體墊大致垂直地延伸成長至少一半導體奈米管於一電性耦接於該導體墊之第一端與一第二自由端之間;施加一第一絕緣層於該導體墊與該至少一半導體奈米管上,以致該第一絕緣層之一部分於該至少一半導體奈米管上界定一閘極介電質;施

  • 碳奈米管之製造方法及製造裝置

    公告號:I341295 - 大塚化學股份有限公司 OTSUKA CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP

    1.一種碳奈米管之製造方法,係藉燃燒法製造碳奈米管之方法,其特徵為具備下列步驟:準備在粉體基材表面載持觸媒之觸媒載持粉體之步驟;在多孔質支持體內部之火焰流通用通孔內,保持上述觸媒載持粉體而不使該觸媒載持粉體固著於該通孔內之步驟;將保持上述觸媒載持粉體之上述多孔質支持體配置在一端呈開放狀之燃燒爐內之步

  • 碳奈米管分散物及導電薄膜

    公告號:I340732 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW

    1.一種導電薄膜,包括:一高分子薄膜;一分散劑;以及一碳奈米管,該碳奈米管經該分散劑之作用而分散於該高分子薄膜中,其中該分散劑包括層狀材料。2.如申請專利範圍第1項所述之導電薄膜,其中碳奈米管係擇自由多層碳奈米管、雙層碳奈米管、單層碳奈米管與碳奈米纖維所組成族群中。3.如申請專利範圍第1項所

  • 製造穿隧奈米管場效電晶體之方法

    公告號:I339852 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US; 佛權參創決立克公司 FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

    1.一種用來製造一穿隧奈米管場效電晶體的方法,該方法包含:提供具有半導體性質之一奈米管;定義該奈米管中該電晶體之一通道區、一第一汲極/源極區、以及一第二汲極/源極區,該第一汲極/源極區鄰接於該通道區之一第一末端,而該第二汲極/源極區鄰接於該通道區之一第二末端;形成一閘極介電層於該通道區上;形成一閘極

  • 使用碳奈米管組合物互連孔之積體電路晶片

    公告號:I339430 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種積體電路晶片,其包含:形成於一基板上之複數個主動裝置;一或多個導電層中之複數個電導體,其用於對該等複數個主動裝置提供電連接;及複數個導電孔,每一孔電連接位在一個別第一導電層中的一個別第一電導體,其具有由以下各物所組成之組中之至少一者:(a)一個別第二導電層中的一個別第二電導體,每一該個別第二

  • 用於高階奈米電子元件製造中具有改良特性之超低K值電漿化學氣相沉積奈米管/旋塗介電質

    公告號:I336897 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種用以形成一導電特徵之方法,其至少包含步驟:沉積一觸媒種層在一基材上;沉積一層包含碳之奈米管在該觸媒種層上;形成一內連線開口在該層奈米管中,其中該形成一內連線開口的步驟包含沉積一抗蝕層於該層奈米管上、圖案化該抗蝕層、及蝕刻該層奈米管;及沉積一導電材料在該內連線開口中。2.如申請專利範圍第1

  • 具有成長在間隙壁定義通道之半導奈米管的垂直場效電晶體

    公告號:I335669 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種垂直半導體裝置結構,包含:一基板,界定一實質上水平之平面;一閘電極,垂直突出於該基板且包括一垂直側壁;一半導奈米管,於相反的一第一端及一第二端之間向一實質上垂直之方向延伸;一介電材料之一間隙壁,位於該垂直側壁側面且與該閘電極之該垂直側壁水平隔開以定義一垂直通道,該垂直通道具有適於該半導奈米管

  • 安全填充碳奈米管的方法、採用此方法的填充系統及工業設施

    公告號:I333921 - 艾克瑪公司 ARKEMA FRANCE 法國 FR

    1.一種用於以來自一收容器之碳奈米管(CNT)來填充另一收容器之工業方法,藉此,藉由一包含一雙閥裝置(30)之耦接(300)來將該等CNT自一個收容器傳遞至另一收容器,閥(31、32)中之每一者耦接至該等收容器中之一者,上述該等閥(31、32)獨立且緊密地閉合且僅在其彼此耦接時方可打開,該上述裝置為

  • 使用水平定向奈米管元件之感測器平臺

    公告號:I330403 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種感測器平臺,包括一感測器構件,其包括一複數個奈米管之樣式化集並具一電氣特徵;一支撐結構,其支撐該感測器構件使之可暴露於一流體中;及控制電路系統,其電氣感測該感測器構件之該電氣特徵,俾可檢測一相應分析物之存在。2.如申請專利範圍第1項之感測器平臺,其中該感測器構件亦包括至少一奈米線。3

  • 二端奈米管裝置與系統以及其製造方法

    公告號:I329348 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種二端切換裝置,其包含:一第一傳導端子;一第二傳導端子,其與該第一端子成間隔關係;一奈米管物件,其具有至少一碳奈米管,該物件係被排列以固定和直接地物理接觸該第一及第二傳導端子;以及一刺激電路,其與該第一及第二端子中之至少一者電通訊,該刺激電路配置為製造不同於該第一端子和該第二端子之一第一電壓,

  • 使用具可再程式電阻之奈米管物件的記憶體陣列及其使用方法

    公告號:I328227 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種記憶體陣列,包含:多個記憶體胞,各記憶體胞收容一位元線、一第一字元線、及一第二字元線,各記憶體胞包括:一記憶體胞選擇電路,可操作耦合至該第一字元線及該位元線以選擇對該位元線及該第一字元線之至少其一之啟動作出反應之該記憶體胞;及一兩端開關裝置,僅具有第一及第二導電端以存取及程式化該開關裝置,其