納米管



  • 含有奈米粒子敏化碳奈米管的光伏特裝置

    公告號:200802905 - 索洛森公司 SOLEXANT CORP. 美國

    1.一種光伏特裝置,包含:一第一電極與一第二電極,其中至少一者對太陽輻射係透光的;及介於該第一與該第二電極間之感光層,該感光層與該第一電極作電子傳導連通並與該第二電極作電洞傳導連通,其中該感光層包含一感光奈米結構,該感光奈米結構包含一碳奈米管(CNT)及一光敏奈米粒子。 2.如申請專利範圍第1項之光

  • 碳奈米管場發射體及其製造方法

    公告號:200802507 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種碳奈米管場發射體,包括陰極、陽極、位於陰極與陽極之間的柵極,用作發射單元的碳奈米管和將柵極與陰極隔開一定距離的支撐體,該碳奈米管的一個端面與陰極電性相連,其改良在於:該柵極與阻隔層之間設置有絕緣體。 2.如申請專利範圍第1所述之碳奈米管場發射體,其中該絕緣體為防短路保護體。 3.如申請專利範

  • 碳奈米管集合體之製造方法、碳奈米管集合體、觸媒粒子分散膜、電子射出元件、以及場發射顯示器

    公告號:200801225 - 尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION 日本

    1.一種碳奈米管集合體之製造方法,係對基板上之碳奈米管之生長密度加以控制,其特徵在於,包含下述步驟:準備觸媒粒子分散膜形成基板之步驟,該觸媒粒子分散膜形成基板係具備具既定粒徑之金屬觸媒粒子分散於障礙粒子中的觸媒粒子分散膜;及熱CVD步驟,係以該金屬觸媒粒子為基點,藉由有機化合物蒸氣之熱分解來使碳奈米

  • 利用模板之碳奈米管沈積

    公告號:200800794 - 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC. 美國

    1.一種用於製造場發射陰極的方法,其包括以下步驟:將其中具有孔的模板放置在基板上;以及將碳奈米管(CNT)混合物經由該等孔沈積於該基板上呈該模板之孔所界定的圖樣。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該CNT混合物是CNT墨水。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該CNT混合物是CNT糊狀物。 4

  • 碳奈米管絲陰極體之製造方法

    公告號:200805414 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種碳奈米管絲陰極體之製造方法,其包括以下步驟:提供一根碳奈米管絲;由該根碳奈米管絲得到若干段碳奈米管絲;將一段碳奈米管絲粘在金屬絲的一端;將該段碳奈米管絲置於火焰中燃燒,得到一個碳奈米管絲陰極體。 2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管絲陰極體之製造方法,其中,該根碳奈米管絲的直徑為50 μ

  • 從奈米管合成純的奈米管

    公告號:200804613 - 雷根斯加州大學 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 美國

    1.一種用於合成奈米管的方法,其包括使第一奈米管黏著至基質上,以及由第一奈米管處延伸而合成第二奈米管之步驟。 2.根據申請專利範圍第1項之方法,其中該第一和第二奈米管為奈米碳管(CNTs)。 3.根據申請專利範圍第2項之方法,其中該第一和第二CNTs為單壁式奈米管(SWNTs)。 4.根據申請專利範

  • 單層碳奈米管、含有該單層碳奈米管之碳纖維集合體及單層碳奈米管與碳纖維集合體之製造方法

    公告號:200804179 - 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 日本

    1.一種單層碳奈米管,其特微為:直徑在1.0至2.0nm的範圍內,且在拉曼光譜中之G波段與D波段的強度比IG/ID為200以上。 2.一種碳纖維集合體,其特微為:申請專利範圍第1項之單層碳奈米管的含量為全體的90at.%(原子百分數)以上。 3.一種單層碳奈米管或含有該單層碳奈米管之碳纖維集合體之製

  • 熱電奈米管陣列

    公告號:200808131 - 奇異電器公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY 美國

    1.一種熱電裝置,其包含:a)一第一導熱基板,其具有置放於其上的一第一圖案化電極;(b)一第二導熱基板,其具有置放於其上的一第二圖案化電極,其中該等第一與第二導熱基板係配置使得該等第一與第二圖案化電極連接而形成一電連續電路;(c)複數個熱電元件,其係位於該等第一與第二圖案化電極之間,其中該等熱電元件

  • 用於碳奈米管毛細結構的方法、設備與系統

    公告號:200806576 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種具有碳奈米管毛細結構之熱管,包括:一導熱壁材料,形成該熱管之內部範圍;一觸媒層,沉積在該壁材料上;一碳奈米管毛細,形成於在該觸媒層上;以及一工作流體。 2.如專利申請範圍第1項所述之熱管,其中,該壁材料包含銅或矽。 3.如專利申請範圍第1項所述之熱管,其中,該觸媒層包含金屬。 4.如專利申請

  • 於流體化床製造碳奈米管之製造方法

    公告號:200806575 - 拜耳材料科學股份有限公司 BAYER MATERIALSCIENCE AG 德國

    1.一種碳奈米管的製造方法,其藉由氣態碳氫化合物在可選擇性被支撐之異相催化劑上分解,該催化劑較佳地基於錳及鈷以及非必須的鉬,且在流體化床反應器中達成,其特徵在於:選擇該催化劑及碳奈米管黏聚物的粒徑,俾使對於存在於該流體化床反應器中的所有該催化劑及黏聚物粒子而言,氣體空管速度與最小流體化速度的比係介於

  • 封閉的奈米管結構以及形成其之方法

    公告號:200810017 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種半導體裝置,其包含:一基板;一第一導電構件,其形成於該基板之一第一部分上;一第一絕緣層,其形成於該基板之一第二部分上;一導電奈米管,其形成於該第一絕緣層上且形成於該第一導電構件上,使得在該導電奈米管之一底面與該第一導電構件之一頂面之間存在一第一間隙,其中該導電奈米管經調適而經啟動以使得該導電

  • 捕集碳奈米管之裝置以及製造碳奈米管之系統與方法

    公告號:200811307 - 細美事有限公司 SEMES CO., LTD. 韓國

    1.一種捕集於一反應管產生之碳奈米管之碳奈米管捕集裝置,包含:包括一內部空間之一殼體,包括長在一金屬催化劑上之碳奈米管之一排放氣體通過該內部空間;以及安裝於該殼體且組配來經由使用磁力而捕集長在該金屬催化劑上之碳奈米管之一磁性區段。 2.如申請專利範圍第1項之碳奈米管捕集裝置,其中該磁性區段包括一電磁

  • 碳奈米管量產系統及量產方法

    公告號:200811032 - CNT股份有限公司 CNT CO., LTD. 韓國

    1.一種合成碳奈米管的量產系統,其至少包含:一反應室,包括至少一連通至一外界空氣的開口、和至少一不同比重氣體佔據區域,該區域充滿一不同比重氣體,該氣體之比重不同於該外界空氣之比重,以防止該外界空氣經由該開口進入該反應室;一碳奈米管合成單元,位在該不同比重氣體佔據區域,並利用通過該開口引入的一催化劑介

  • 具有奈米管之有機光電裝置電極

    公告號:200814393 - 美國南加州大學 THE UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA 美國

    1.一種製造一光電裝置之方法,其包含:製備一奈米管懸浮液;過濾該懸浮液以在一過濾隔膜上形成一奈米管薄膜;以及將該薄膜沉積於一基板上。 2.如請求項1之方法,其中在該基板上沉積該奈米管薄膜包含:使用一彈性壓印器,從該過濾隔膜剝離該薄膜;以及將該彈性壓印器壓印於該基板上,以將該薄膜從該彈性壓印器轉移至該

  • 碳奈米管分散物及導電薄膜

    公告號:200815283 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號

    1.一種導電薄膜,包括:一高分子薄膜;一分散劑;以及一碳奈米管,該碳奈米管經該分散劑之作用而分散於該高分子薄膜中,其中該分散劑包括聚苯乙烯/丙烯酸共聚物及其衍生物或層狀材料。 2.如申請專利範圍第1項所述之導電薄膜,其中該導電薄膜係為經下列步驟後所得之產物,包括:將該碳奈米管與該分散劑溶於一溶劑中,