納米管



  • 製造一碳奈米管之反應室、設備以及系統

    公告號:I365920 - 細美事有限公司 SEMES CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種製造一碳奈米管之反應室,包括:一反應爐,該反應爐具有一箱型結構以接受一基質;該反應爐提供一空間以於該基質上形成該碳奈米管;一氣體入口,該氣體入口具有形成於該反應室之一第一部分的一貫穿孔結構,該氣體入口提供一通道使一源氣體之一流入物流入該反應室,以形成該碳奈米管;一氣體排出口,該氣體排出口具有

  • 奈米管聚合合成物及其製造方法

    公告號:I365892 - 恩特葛瑞斯公司 ENTEGRIS, INC. 美國 US

    1.一種組合物,其包含:一起擠壓混合於該組合物中之聚合物熔體及一定量單壁碳奈米管,該一定量奈米管分散於該聚合物中,該組合物具有隨著該組合物之進一步擠壓混合實質上恆定之儲存模數G'。2.如請求項1之組合物,其中該聚合物係一高溫高強度熱塑性聚合物。3.如請求項1之組合物,其中當分散於該組合物中之

  • 一種碳奈米管鍵接磷酸亞鐵鋰複合電極材料及其製備方法

    公告號:I365563 - 上海華實納米材料有限公司 中國大陸 CN

    1.一種碳奈米管鍵接磷酸亞鐵鋰複合電極材料,該複合電極材料以磷酸亞鐵鋰顆粒為載體,顆粒表面鍵接碳奈米管成分,碳奈米管含量為0.1~10%之間。2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管鍵接磷酸亞鐵鋰複合電極材料,該複合電極材料中磷酸亞鐵鋰顆粒為橄欖石型結構,粒徑在100~500奈米。3.如申請專

  • 含有碳奈米管之複合組成物及使用該複合組成物之透明導電膜

    公告號:I363778 - 第一毛織股份有限公司 CHEIL INDUSTRIES INC. 南韓 KR

    1.一種用於平面顯示器與觸控面板之複合組成物,包含在一溶劑中的一離子導電聚合物黏結劑之一溶液、及分散在該溶液中的碳奈米管。2.如請求項1的複合組成物,其中該離子導電聚合物黏結劑是選自具有含硫醯官能基的氟化聚乙烯,及具有含羧基、硫醯基、膦醯基或磺醯亞胺官能基的熱塑性聚合物。3.如請求項1的複合

  • 具有雙層奈米管結構之染料敏化太陽能電池及其製造方法

    公告號:I362756 - 德元太陽能科技股份有限公司 DC SOLAR CORP. 臺北市中正區重慶南路1段63號9樓之4(909室) TW

    1.一種具有雙層奈米管結構的染料敏化太陽能電池,包含:一奈米模板,藉由在一鋁金屬板的表面上成長兩端貫通的氧化鋁(Al2 O3)奈米管而形成,並且在該等氧化鋁奈米管的管內形成二氧化鈦(TiO2)奈米管,以作為該電池的一陽極;一光敏染料,吸附在該等二氧化鈦奈米管的表面;一金屬電極薄膜,形成在該奈米模板的

  • 配向碳奈米管叢集合體以及其製造方法與用途

    公告號:I360522 - 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 日本 JP

    1.一種配向碳奈米管叢集合體,其特徵為:複數個碳奈米管係配向於預定方向,且密度為0.2至1.5g/cm 3 ,純度為98mass%以上,比表面積為600至2600m 2 /g。2.如申請專利範圍第1項之配向碳奈米管叢集合體,其中,碳奈米管為單層碳奈米管。3.如申請專利範圍第1項之配向碳奈米管

  • 使用碳奈米管電晶體之邏輯電路

    公告號:I356588 - 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國 US

    1.一種積體電路,其包含:串聯耦合於高與低準位供應器參考點間之第一及第二碳奈米管場效電晶體(CNTFET),該第一CNTFET具有一閘極來提供用以接收高與低邏輯值之一邏輯輸入,該第二CNTFET具有耦合至一偏壓供應器之一閘極,使得該第二CNTFET為該第一CNTFET提供一主動負載以提供適當的邏輯高

  • 具多重控制之以奈米管為基之切換構件及由其製成之電路

    公告號:I355073 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種切換元件,包含:一輸入節點;一輸出節點;一奈米管通道元件,具有至少一電氣傳導奈米管;一控制結構,配置為與該奈米管通道元件相關,以控制性地於該輸入節點及該輸出節點之間形成與不形成一電氣傳導通道,其中該電氣傳導通道至少包括該奈米管通道元件;以及其中該輸出節點係被建構與安排為使得通道形成實質上不受

  • 二氧化鈦奈米管及其製造方法與感測器

    公告號:I354650 - 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD. 日本 JP

    1.一種二氧化鈦奈米管,該二氧化鈦奈米管的長度為1微米以上。2.如申請專利範圍第1項所述之二氧化鈦奈米管,其直徑為0.1微米以下。3.如申請專利範圍第1項或第2項所述之二氧化鈦奈米管,其高寬比為100以上。4.一種感測器,包括如申請專利範圍第1~2項中任一項所述之二氧化鈦奈米管以及一電極

  • 含碳奈米管之生物分解性高分子複合材料及其製備方法

    公告號:I353997 - 遠東科技大學 FAR EAST UNIVERSITY 臺南市新市區中華路49號 TW

    1.碳奈米管(CNT)/高分子奈米複合材料,包含一非晶或低結晶性聚乳酸樹脂及分散於該聚乳酸樹脂中的一經修飾的碳奈米管,其中該經修飾的碳奈米管包含一碳奈米管及偶合於該碳奈米管表面上的一馬來酸酐,並且該經修飾的碳奈米管對該聚乳酸樹脂的重量比係介於0.1%至5.0%之間,其中該馬來酸酐係與該碳奈米管及一自

  • 金屬植入之二氧化鈦奈米管之製造方法

    公告號:I353964 - 元智大學 YUAN ZE UNIVERSITY 桃園縣中壢市遠東路135號 TW

    1.一種金屬植入之二氧化鈦奈米管之製造方法,其步驟包括:調整摻雜金屬的比例於二氧化鈦奈米粉體中並混合,以製造出由金屬與二氧化鈦相互混合的奈米粉體;將上述由金屬與二氧化鈦相互混合的奈米粉體加入一鹼性溶液且互相攪拌混合,攪拌後的混合溶液移置於一高壓釜反應器中反應;待反應結束後將產物離心過濾,並以蒸餾水及

  • 積體碳奈米管感應器

    公告號:I351772 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種積體電路,包含:一被監控之主要電晶體裝置;及一內嵌式碳奈米管場效電晶體(CNT FET),係與該被監控之主要電晶體裝置隔開;其中該CNT FET係適用於偵測缺陷電路及測量該積體電路中的物理性質;其中該CNT FET係適用於量測該積體電路中的機械與熱的應力與應變;以及其中該被監控之主要電晶體裝

  • 用於互連的碳奈米管-焊錫組合結構、製造該組合結構的製程、含有該組合結構的封裝、以及含有該組合結構的系統

    公告號:I348456 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US

    1.一種物品,包含:一基材;一嵌埋於該基材中之金屬種晶層;一設置在該金屬種晶層上之非等向性的碳奈米管(CNT)陣列;及一電凸塊,其中該CNT陣列被用該電凸塊充滿,及其中該電凸塊被耦合至該基材。2.如申請專利範圍第1項之物品,其中該基材包括一陽極化的氧化鋁表面。3.如申請專利範圍第1項之物品,

  • 使用碳奈米管之電阻性元件

    公告號:I348169 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種電阻性元件,包含:一具有預定面積之奈米織物圖案化區域,該奈米織物具有一選出的薄層(sheet)電阻;以及第一與第二電性接點,接觸奈米織物的圖案化區域並彼此隔開,其中,第一與第二電性接點之間的元件電阻是由選出的奈米織物薄層電阻與預定面積以及第一與第二電性接點的間隔關係所決定;以及其中該元件的主

  • 以非催化方式成長奈米管碳煙之製造方法

    公告號:I347980 - 林建宏 LIN, JARRN HORNG 臺南市中西區樹林街2段33號 TW

    1.一種以非催化方式成長奈米管碳煙之製造方法,係提供一含有石英床及管狀高温爐的氣態反應系統,選用一種碳煙作為基材置於石英床;以及提供一含碳的反應氣體,連續地將含碳的反應氣體送入該反應系統中;其特徵在:在碳煙基材與含碳反應氣體反應之前,將碳煙基材經表面氧化處理,使碳煙基材之表面因此產生粗糙狀態。2