納米管



  • 碳奈米管共振器電晶體及其製造方法

    公告號:200644232 - 諾斯洛普格拉曼公司 NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 美國

    1.一種共振電晶體,其包含:一基板;一源極,其係形成於該基板上;一汲極,其係形成於該基板上而與該源極相鄰,一間隙係形成於該源極與該汲極之間;一輸入電極,其係形成於該基板上;一碳奈米管閘極,其係定位於該間隙上以及該輸入電極上,該奈米管閘極在其一端上被一接觸電極夾住。 2.如請求項1之共振器電晶體,其中

  • 使用奈米管開關之非依電性影子閂鎖

    公告號:200643958 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種非依電性記憶體胞,包含:一依電性儲存裝置,其響應電刺激儲存一對應的邏輯狀態;及一影子記憶體裝置,其耦合至該依電性儲存裝置,以便響應電刺激而接收並儲存該對應的邏輯狀態,該影子記憶體裝置包括一非依電性奈米管開關,其中,該奈米管開關儲存該影子裝置之對應狀態。 2.如申請專利範圍第1項之非依電性記憶

  • 使用具可再程式電阻之奈米管物件的記憶體陣列

    公告號:200643953 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種記憶體陣列,包含:多個記憶體胞,各記憶體胞收容一位元線、一第一字元線、及一第二字元線,各記憶體胞包括:一記憶體胞選擇電路,可操作耦合至該第一字元線及該位元線以選擇對該位元線及該第一字元線之至少其一之啟動作出反應之該記憶體胞;及一兩端開關裝置,包含與奈米管物件電通訊之第一及第二導電端,該第一端

  • 垂直碳奈米管電晶體整合

    公告號:200703617 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

  • 超奈米結晶鑽石及碳奈米管之自組裝混合物之合成

    公告號:200702479 - 美國芝加哥州立大學 THE UNIVERSITY OF CHICAGO 美國

    1.一種材料,其包含一實質上不具有空隙且含有碳奈米管及鑽石之混合物之薄膜。 2.如請求項1之材料,其中該鑽石實質上係所有奈米結晶鑽石。 3.如請求項1之材料,其中該鑽石實質上係所有超奈米結晶(UNCD)鑽石。 4.如請求項1之材料,其中該鑽石係經氮摻雜且具有導電性。 5.如請求項1之材料,其中該鑽石

  • 二端奈米管裝置與系統以及其製造方法

    公告號:200711031 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種二端切換裝置,其包含:一第一傳導端子;一第二傳導端子,其與該第一端子成間隔關係;一奈米管物件,其具有至少一奈米管,該物件係被排列以與該第一及第二端子中之每一者之至少一部分重疊;以及一刺激電路,其與該第一及第二端子中之至少一者電通訊,該刺激電路能夠施加一第一電刺激至該第一及第二端子中之至少一者

  • 碳奈米管內連線接點

    公告號:200710258 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種用來形成一碳奈米管內連線結構之方法,包含下列步驟:在一溝槽內提供至少一碳奈米管;蝕刻該碳奈米管的至少一部分,以便產生一開孔;經由該開孔在該碳奈米管上以保形方式沈積一金屬層;以及在該開孔上形成被大致耦合到該碳奈米管之一金屬化接點。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中係在一介電材料中形成該溝槽

  • 碳奈米管分散液及用它之透明導電膜

    公告號:200710029 - 可樂麗股份有限公司 KURARAY, CO., LTD. 日本

    1.一種碳奈米管分散液,其係含有碳奈米管(A)、分散劑(B)及溶劑(C)之碳奈米管分散液,其中分散劑(B)具有至少一種選自羧基、環氧基、胺基及磺醯基所組成之群組,且沸點為30℃以上、150℃以下之有機化合物。 2.如申請專利範圍第1項之碳奈米管分散液,其中碳奈米管(A)的摻合量(質量份)表示為(Aw

  • 噴墨施加碳奈米管之方法

    公告號:200710020 - 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC. 美國

    1.一種製造場發射陰極之方法,包含下列步驟:使用一噴墨分注器在一基材上選擇性地沈積一場發射器混合物。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該場發射器混合物進一步包含一些碳奈米管。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該場發射器混合物進一步包含一些碳奈米管及一溶劑。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其

  • 富勒烯類或奈米管,以及富勒烯類或奈米管的製造方法

    公告號:200711995 - 伊雷阿爾史達股份有限公司 IDEAL STAR INC. 日本

    1.一種富勒烯類,其特徵在於:氧含量小於等於10 1 4 個/cm 3 ,且水含量小於等於10 1 6 cm - 3 。 2.一種富勒烯類,其特徵在於:水含量小於等於10 1 6 個/cm 3 。 3.一種富勒烯類,27℃下測量的導電率大於等於10 - 1 (Ω cm) - 1 ,小於等於10(Ω

  • 陣列奈米管之製造方法

    公告號:200711984 - 遠東技術學院 FAR EAST COLLEGE 臺南縣新市鄉中華路49號

    1.一種陣列奈米管之製造方法,包括下列步驟:A.鋁片表面處理:清潔鋁片表面;B.在鋁片兩側表面預成凹槽:在鋁片兩側表面上預先設計好的位置形成凹槽,鋁片表面上之每一凹槽均與鋁片另一表面之對應凹槽相對齊;C.陽極氧化處理:將上述鋁片置於電解液中進行陽極氧化處理,使金屬鋁片之凹槽加深,且金屬鋁片在其兩側表

  • 奈米管之製造方法

    公告號:200711983 - 遠東技術學院 FAR EAST COLLEGE 臺南縣新市鄉中華路49號

    1.一種具有奈米管之製造方法,包括下列步驟:A.鋁片表面處理清潔鋁片表面;B.在鋁片兩側表面預成凹槽在鋁片兩側表面上預先設計好的位置形成凹槽,鋁片表面上之每一凹槽均與鋁片另一表面之對應凹槽相對齊;C.陽極氧化處理;將上述鋁片置於電解液中進行陽極氧化處理,使金屬鋁片之凹槽加深,且金屬鋁片在其兩側表面依

  • 橫向生長奈米管及其形成方法

    公告號:200717597 - 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 美國

    1.一種橫向生長奈米管之方法,其包含:形成在二金屬觸媒之間延伸的一橫向開口,該橫向開口包含一頸部分與一腔部分;及將該橫向開口之腔部分用作一限制空間以從該等金屬觸媒之各金屬觸媒在一徑向方向上生長一奈米管,以在該等二金屬觸媒之間形成一連續橫向電性導體。 2.如請求項1之方法,其進一步包含:在該橫向開口之

  • 使用直立式奈米管的非揮發性開關與記憶裝置

    公告號:200719471 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種記憶結構,包含:一絕緣層在一基板的一上表面上;一電傳導位元線形成於該絕緣層中,或於該絕緣層之一上表面上,該位元線的一上表面平行該基板的該上表面;一第一電傳導字元線,具有一下表面,一上表面以及一第一側壁;一第二電傳導字元線,具有一下表面,一上表面以及一第二側壁,該第一與第二字元線的該上與下表面

  • 碳奈米管場效電晶體

    公告號:200723530 - 國立大學法人北海道大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY 日本

    1.一種場效電晶體,其特徵在於其係具有形成於基板上之源極電極及汲極電極、以及連接前述源極電極與汲極電極之碳奈米管構成之通道之場效電晶體;且進一步具有將前述碳奈米管固定於基板之碳奈米管親和性物質。 2.如請求項1之場效電晶體,其中前述碳奈米管親和性物質係具有芳香環之分子。 3.如請求項2之場效電晶體,