納米管



  • 含碳奈米管組成物、複合體以及其製造方法

    公告號:I386420 - 三菱麗陽股份有限公司 MITSUBISHI RAYON CO., LTD. 日本 JP

    1.一種含碳奈米管組成物,其含有碳奈米管(a)、以及含羥基的(甲基)丙烯酸酯化合物(b-1)與異氰酸酯化合物(b-2)之反應物即胺基甲酸酯化合物(b),其中所述含羥基的(甲基)丙烯酸酯化合物(b-1),是以下述通式(1)(式中,R 11 表示氫原子或甲基,R 12 為可含有酯鍵的碳數2~24之烴基,

  • 合成碳奈米管的裝置

    公告號:I385268 - 錦湖石油化學股份有限公司 KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD 南韓 KR

    1.一種合成碳奈米管的裝置,包含:反應管,其經組態以界定製造碳奈米管所在之製造空間;加熱單元,其經組態以加熱所述反應管;舟皿,其在製程期間安置於所述製造空間中,複合基板裝載於所述舟皿上,其中所述舟皿為雙層結構,且所述舟皿的每一層放置有至少一複合基板;以及氣體供應部分,具有經組態以將源氣體供應至所述製

  • 單層碳奈米管、含有該單層碳奈米管之碳纖維集合體及單層碳奈米管與碳纖維集合體之製造方法

    公告號:I383952 - 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 日本 JP

    1.一種單層碳奈米管,其特微為:直徑在1.0至2.0nm的範圍內,且在拉曼光譜中之G波段與D波段的強度比IG/ID為200以上。2.一種碳纖維集合體,其特微為:申請專利範圍第1項之單層碳奈米管的含量為全體的90at.%(原子百分數)以上。3.一種單層碳奈米管之製造方法,該直徑在1.0至2.0

  • 具有高可靠性可細微圖案化碳奈米管放射器之製造方法

    公告號:I383419 - 韓國電子通信研究院 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 南韓 KR

    1.一種製造一碳奈米管(CNT)放射器之方法,其包括以下步驟:(a)將一CNT粉、一有機黏合劑、一光敏材料、一單體及一奈米尺寸金屬顆粒分散在一溶劑中,以製造一CNT膏劑;(b)將該CNT膏劑塗布至一於一基板上形成的電極上;(c)曝光塗布在該電極上之CNT膏劑,藉以執行細微圖案化;(d)塑化該已細微圖

  • 奈米管強化銲料帽及其組裝方法,晶片構裝及含有晶片構裝之系統

    公告號:I382500 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US

    1.一種碳奈米管銲料帽,包含:被配置在一銲料凸塊上之一銲料帽,其中該銲料帽包含散佈在其中之奈米碳管網絡;以及被配置在該銲料凸塊之下且與該銲料凸塊接觸之一接合墊。2.如申請專利範圍第1項之碳奈米管銲料帽,其中該奈米碳管網絡係在佔該銲料帽的大約1至大約99容積百分率之範圍下出現在該銲料帽中。3.

  • 在未激活下自碳奈米管所為之增強之電子場發射

    公告號:I378155 - 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種形成場發射陰極裝置之方法,其包括下述步驟:在一基材上沉積一層奈米粒子材料表面層,使得該奈米粒子材料表面層形成複數個在物理上彼此分隔之場發射島,其中該些奈米粒子材料場發射島具有大於約10奈米之寬度。2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該等奈米粒子材料場發射島:彼此之間具有超過約10奈米之距

  • 金屬氧化物奈米管支撐之金觸媒及其製法

    公告號:I377981 - 國立彰化師範大學 NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION 彰化縣彰化市進德路1號 TW

    1.一種金屬氧化物奈米管支撐之金觸媒,包含:氧化物擔體,係由鈦酸鈉奈米管、鈦酸鈉奈米管形成之管束或前述兩者混合所組成;以及複數金顆粒負載於該氧化物擔體上,且該擔體上同時包含Au 0 、Au +1 及Au δ- 三種氧化態的金顆粒,其中該些金顆粒的含量為0.3~40.2 wt.%,且該些金顆粒之粒徑不

  • 電子束處理裝置及使用碳奈米管發射器的方法

    公告號:I376726 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種半導體處理之方法,其包括:導入一化學物種至一處理室中之一半導體表面;活化一碳奈米管發射器以產生一電子束;使該化學物種及該半導體表面曝露於該電子束;至少部分地分解該化學物種以形成一蝕刻物種,用以與該半導體表面之一第一區域反應;以及同時地沉積一塗層於該半導體表面之一第二區域上。2.如請求項1

  • 單層碳奈米管的製造方法

    公告號:I374857 - 日機裝股份有限公司 NIKKISO CO., LTD. 日本 JP; 獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE

    1.一種單層碳奈米管的製造方法,包括:將含有原料烴、茂金屬及硫化合物之原料混合物以煙霧狀導出到以1~50 m/s之流通線速度而流通有氫氣之導出區域中,其中,對於上述氫氣及上述原料混合物的合計質量而言,上述原料烴之濃度為0.01~2.0質量%,上述茂金屬的濃度為0.001~0.2質量%,且上述硫化合物

  • 具有碳奈米管毛細結構的熱管、設備與系統

    公告號:I372138 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US

    1.一種具有碳奈米管毛細結構之熱管,包括:一導熱壁材料,形成該熱管之內部尺寸;一觸媒層,沉積在該壁材料上;一碳奈米管毛細,形成於在該觸媒層上;以及一體積的工作流體。2.如申請專利範圍第1項所述之熱管,其中,該壁材料包含銅或矽。3.如申請專利範圍第1項所述之熱管,其中,該觸媒層包含金屬。4

  • 垂直碳奈米管電晶體整合

    公告號:I371099 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種混合半導體結構,其包括:至少一個水平半導體器件及至少一個垂直碳奈米管電晶體,該至少一個垂直碳奈米管電晶體包含:至少一個垂直成長之碳奈米管;一第一水平方向之閘極電極,其位於一第一層間介電層內;及一第二水平方向之閘極電極,其與該至少一個垂直成長之碳奈米管之一上部部分接觸且位於一第二層間介電層之頂

  • 表面改質之碳奈米管及其表面改質之碳奈米管分散液的形成方法

    公告號:I370106 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW

    1.一種表面改質之碳奈米管分散液的形成方法,包括:提供一碳奈米管;形成一硬質無機層於該碳奈米管之部份表面,即得一表面改質之碳奈米管;以及將該表面改質之碳奈米管、一分散劑、及一研磨珠置於一溶劑中,進行一研磨分散步驟,即得一表面改質之碳奈米管分散液;其中該硬質無機層係由一烷氧化物熱處理縮合而成,且該烷氧

  • 供場放射應用之碳奈米管的活化

    公告號:I369714 - 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC. 美國 US

    1.一種自含有碳奈米管的場放射陰極改善電場放射之方法,該方法之步驟包含:使CNT層澱積於底質上;對非黏著性材料施壓以與CNT層接觸;和移除非黏著性材料,使其不與CNT層接觸。2.如申請專利範圍第1項之方法,其中非黏著材料是可撓性或非可撓性材料,如:彈性泡沫板、紙、金屬、陶瓷或玻璃板。3.如申

  • 包括PPTA及奈米管之複合材料

    公告號:I367913 - 帝人亞拉米公司 TEIJIN ARAMID B. V. 荷蘭 NL

    1.一種複合材料,其包括PPTA(聚對伸苯基對酞醯胺)及具有至少100之縱橫比及5奈米或更小之橫切面直徑之奈米管,此複合材料含有至多12重量%之奈米管,且如依照ASTM D885-98測定,其具有至少1.5 GPa之拉伸強度及至少50 GPa之模數,其係藉由將奈米管加入硫酸中,降低溫度以使混合物固化

  • 合成具有電子場發射性質之小直徑碳奈米管之方法

    公告號:I367861 - 新泰科有限公司 XINTEK, INC. 美國 US; 公爵大學 DUKE UNIVERSITY 美國 US

    1.一種製造碳奈米管之方法,其包含以下步驟:(a)藉由燃燒方法製造包含支撐於MgO粉末上的Mo及一或多個其他金屬之觸媒;(b)使用作為先驅物的含有含碳氣體之一氣體混合物;以及(c)將該觸媒及該氣體混合物加熱至高於900℃之溫度以產生具有外徑等於或小於10 nm之碳奈米管,其中該奈米管的壁之數量係從2