納米管



  • 合成碳奈米管的裝置

    公告號:I410372 - 錦湖石油化學股份有限公司 KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD 南韓 KR

    1.一種合成碳奈米管的裝置,其包含:一垂直反應室;一混合器,係設置於該垂直反應室之中,且用以混合從上方供應之一催化劑;將該垂直反應室內部空間垂直分隔成複數個區域的複數個散流板,其用以均勻地散播一來源氣體,該來源氣體係從上方供應至該等複數個區域;一催化劑供應器,其連續地從該垂直反應室上方供應一催化劑至

  • 具有電磁波干擾遮蔽效應之多壁碳奈米管/高分子奈米複合材之製備方法

    公告號:I405801 - 國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 新竹市光復路2段101號 TW

    1.一種具有電磁波干擾遮蔽效果之碳奈米管/高分子奈米複合材料的製備方法,包含下列步驟:a)製備一分散有碳奈米管的高分子溶液,該高分子溶液含有0.5-10重量%的碳奈米管;b)將該分散有碳奈米管的高分子溶液塗佈於一基材,及乾燥所獲得的塗層;及c)堆疊多片步驟b)所得到的之具乾燥的塗層的基材,其中該高分

  • 橫向生長奈米管及其形成方法

    公告號:I402888 - 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 美國 US

    1.一種橫向生長奈米管之方法,其包含:形成在二金屬觸媒之間延伸的一橫向開口,該橫向開口包含一頸部分與一腔部分;將該橫向開口之腔部分用作一限制空間以生長一奈米管,以在該等二金屬觸媒之間形成一連續橫向電性導體;及在該橫向開口之頸部分上面形成一電漿來排他地限制該奈米管之生長以實質上在該等二金屬觸媒之間的一

  • 使用奈米管之發光體及其製造方法

    公告號:I399864 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種發光體,包含:一奈米管物件(nanotube article),與第一接點(contact)以及第二接點電性連通,該奈米管物件包含一纏繞的奈米管織物且具有第一熱傳導率;一多孔基板,擁有具有第二熱傳導率的預定區域,該預定區域與該奈米管物件成預定實質關係(predefined physical

  • 碳奈米管顯示器驅動電路及調整碳奈米管顯示器之輸出亮度的方法

    公告號:I399713 - 普誠科技股份有限公司 PRINCETON TECHNOLOGY CORPORATION 新北市新店區寶橋路233之1號2樓 TW

    1.一種碳奈米管顯示器驅動電路,用以驅動一碳奈米管顯示器之至少一畫素,該碳奈米管顯示器驅動電路包括:一輸出級,耦接至該畫素,並受一畫素訊號控制使該畫素切換於一高壓及一低壓之間;以及一調校裝置,耦接於該輸出級與該畫素之間,並接受至少一偏壓之控制而調整該調校裝置之等效電阻值以校準該畫素之顯示亮度。2

  • 產生碳奈米管之裝置與方法

    公告號:I397605 - 錦湖石油化學股份有限公司 KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種產生碳奈米管之裝置,包括:一製程室;一觸媒供應器,用以沿著一第一方向供應一觸媒粉至該製程室中,該觸媒粉係於該製程室中沿著該第一方向移動;以及一來源氣體供應器,用以沿著與該第一方向相對之一第二方向供應一來源氣體至該製程室,使得該來源氣體延遲該觸媒粉於該第一方向之移動,且該來源氣體係於該製程室中

  • 純化碳奈米管之連續式方法及裝置

    公告號:I394713 - 韓華石油化學股份有限公司 HANWHA CHEMICAL CORPORATION 南韓 KR

    1.一種純化碳奈米管之連續式方法,包含:一第一純化步驟,其於一50至400大氣壓之壓力及一100至600℃之溫度之次臨界水或超臨界水條件下,將一含有一氧化劑之碳奈米管液體混合物注入至一第一純化反應器中,以獲得一第一經純化之產物。2.如請求項1之純化碳奈米管之連續式方法,更包含一第二純化步驟,其使

  • 官能化碳奈米管之連續式方法及裝置

    公告號:I394712 - 韓華石油化學股份有限公司 HANWHA CHEMICAL CORPORATION 南韓 KR

    1.一種官能化碳奈米管之連續式方法,包含:於一50至400大氣壓之壓力及一100至600℃之溫度下,供給一具有一或多種官能基之官能基化合物至一具有50至400大氣壓之次臨界水或超臨界水條件的官能化反應器中,以獲得經官能化之產物,於該反應器中係供給有一包含一氧化劑之碳奈米管混合物冷卻並降壓該經官能化之

  • 獨立式靜電摻雜碳奈米管裝置和其製造方法

    公告號:I394711 - 通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY 美國 US

    1.一種靜電摻雜碳奈米管裝置(110),包括一碳奈米管(112)配置在一基板(22)上,致使該碳奈米管之至少一部分是獨立的,其中該碳奈米管具有一第一端(114)和一第二端(116);一第一金屬接點(18),配置以直接相鄰該碳奈米管的該第一端(114);一第二金屬接點(20),配置以直接相鄰該碳奈米管

  • 基於奈米管之填充物

    公告號:I393226 - 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW

    1.一種積體電路晶片配置(200),其包含:一積體電路晶片(220);一支撐基板(210),其經配置以實體支撐該積體電路晶片;及一包括碳奈米管材料之介面區域(240),該介面區域經組態及配置以促進該積體電路晶片在一具有該支撐基板之配置中的結構支撐,其中該介面區域係一將該積體電路晶片實質地耦接至該支撐

  • 製造碳奈米管的裝置及其方法

    公告號:I391322 - 錦湖石油化學股份有限公司 KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種製造碳奈米管的裝置,包括:反應室,提供一形成碳奈米管的反應空間;以及分散板,配置在所述反應室的底面上,以釋放源氣體到所述反應空間中以形成所述碳奈米管,所述分散板包括:板,其中所述板在其所述中心部分界定觸媒供應孔來引流金屬觸媒;以及氣體導引部分,配置在所述板的上表面邊緣上,用來從外界接收所述源

  • 碳奈米管集合體及其製法

    公告號:I388499 - 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC. 日本 JP

    1.一種碳奈米管集合體,係全部滿足以下(1)~(3)的條件之碳奈米管集合體,(1)體積電阻係數為1×10 -5 Ω.cm至5×10 -3 Ω.cm;(2)使用透射型電子顯微鏡觀測時100支中50支以上的碳奈米管為2層碳奈米管;及(3)在以10℃/分鐘升溫時的熱重量測定,從200℃至400℃的重量減少

  • 合成碳奈米管裝置

    公告號:I388495 - 錦湖石油化學股份有限公司 KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD 南韓 KR

    1.一種合成碳奈米管裝置,該裝置包含:一提供用以合成碳奈米管之空間並且在垂直方向呈現為長形的反應管;一形成於該反應管外部的加熱單元,其用於加熱該反應管;一供氣單元,其噴灑一用於與位於該反應管內的催化劑反應而合成該等碳奈米管的該反應氣體;一連接於該反應管上部的排放單元,其排出用以合成該等碳奈米管之未反

  • 基於奈米管基板之積體電路

    公告號:I388042 - 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW

    1.一種積體電路晶片配置,其包含:一基板,其具有一厚度且垂直於該厚度橫向延伸,該基板具有一上表面及一下表面,且該下表面具有一傳導襯墊;一上表面層,其經配置以支撐一第一電路;及一碳奈米管材料支撐層,其位於該基板中且在該上表面層下方,該支撐層經組態及配置以在結構上支撐該基板及形成於該上表面層之該第一電路

  • 官能化碳奈米管之連續式方法及裝置

    公告號:I387557 - 韓華石油化學股份有限公司 HANWHA CHEMICAL CORPORATION 南韓 KR

    1.一種官能化碳奈米管之連續式方法,包含:a)於一50至400大氣壓之壓力下,經一熱交換器將一碳奈米管溶液及一氧化劑各別或共同地連續供給至一預熱器,並預熱該碳奈米管溶液及該氧化劑之混合物至100至370℃之溫度;b)於50至400大氣壓及100至380℃之次臨界水條件下,在該經預熱之混合物中官能化該