納米管



  • 以奈米管為基礎之連接配置及方法

    公告號:200629511 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種積體電路晶片配置(200),其包含:一積體電路晶片(220),其在其一外表面處具有一導電連接器(222);一具有一接觸區(212、234)之外部電路組件(210),該接觸區(212、234)經組態及配置以耦接至碳奈米管;及複數個碳奈米管(230),其自該導電連接器(222)延伸且耦接至該接觸

  • 以奈米管為基礎之具方向性導電黏著

    公告號:200629510 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種具方向性導電黏著帶狀配置(100),其包含:一帶狀基底材料(120),其橫向地延伸且具有相對之上表面(102)及下表面(104);複數個近似平行之碳奈米管(110-117),其處於該帶狀基底材料中且延伸於該等相對表面之間;且其中該帶狀基底材料及該等碳奈米管經配置以在該等相對表面之間傳導電流且

  • 包括奈米管交換單元之隨機存取記憶體

    公告號:200629275 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種記憶胞(memorycell),包含一第一與第二奈米管切換元件(element),每一奈米管切換元件包括:一輸出節點;一奈米管通道元件,具有至少一導電奈米管與一通道電極;一控制結構,具有一設定電極與一釋放電極,配置成相關於奈米管通道元件,以可控制方式形成與不形成(unform)介於該通道電極

  • 以奈米管為基礎之電路連接方法

    公告號:200631111 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種積體電路配置(200、400),其包含:一積體電路晶粒(210、410);及一以碳奈米管為基礎之複合導體(100、105、240、250、300、320、340、420),其經組態及配置以電連接該積體電路配置之電子組件。 2.如請求項1之配置,其中該以碳奈米管為基礎之複合導體包含以下幾者中之

  • 碳奈米管集合體及其製造方法

    公告號:200630297 - 尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION 日本

    1.一種碳奈米管集合體之製造方法,其特徵在於,含有:在基板上形成具有既定粒徑之金屬微粒之步驟;將該金屬微粒於還原環境氣氛中加熱至300℃~400℃之既定溫度以使表面還原之步驟;將該金屬微粒於反應爐內加熱至既定之反應溫度之步驟;於反應爐導入有機化合物蒸氣而在該金屬微粒上長碳奈米管之步驟,其從開始對該金

  • 基於奈米管基板之積體電路

    公告號:200633175 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種積體電路晶片配置(100),其包含:一基板(110),其具有一厚度且垂直於該厚度橫向延伸;一上表面層(110),其經配置以支撐電路;及一碳奈米管材料支撐層(120),其位於該基板中且在該上表面層下方,該支撐層經組態及配置以在結構上支撐該基板及形成於該上表面層之積體電路。 2.如請求項1之配置

  • 以奈米管為基礎之流體介面材料及方法

    公告號:200633171 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種積體電路晶片配置(100),其包含:一積體電路晶片(120);一與該積體電路晶片相鄰之導熱裝置(140);及一與該積體電路晶片直接相鄰之介面區(130),該介面區包括在一流體混合物中之碳奈米管材料,該碳奈米管材料與該流體混合物一起組態及配置以在該積體電路晶片與該導熱裝置之間熱耦合熱。 2.如

  • 基於奈米管之填充物

    公告號:200633158 - 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 荷蘭

    1.一種積體電路晶片配置(200),其包含:一積體電路晶片(220);一支撐基板(210),其經配置以實體支撐該積體電路晶片;及一包括碳奈米管材料之介面區域(240),該介面區域經組態及配置以促進該積體電路晶片在一具有該支撐基板之配置中的結構支撐。 2.如請求項1之配置,其中該介面區域係一將該積體電

  • 具有奈米管之電容器及其製造方法

    公告號:200633924 - 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 韓國

    1.一種電容器,包括:一下電極,包括一已圖案化導電層及複數個在該已圖案化導電層上所形成之無需使用一催化層的奈米管;一介電層,形成於該下電極上;以及一上電極,形成於該介電層上。 2.如申請專利範圍第1項之電容器,其中該已圖案化導電層係一雜質摻雜矽層及一雜質未摻雜矽層中之一。 3.如申請專利範圍第1項之

  • 使用碳奈米管之電阻性元件

    公告號:200638440 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種電阻性元件,包含:一具有預定面積之奈米織物圖案化區域,該奈米織物具有一選出的薄層(sheet)電阻;以及第一與第二電性接點,接觸奈米織物的圖案化區域並彼此隔開,其中,第一與第二電性接點之間的元件電阻是由選出的奈米織物薄層電阻與預定面積以及第一與第二電性接點的間隔關係所決定;以及其中該元件的主

  • 一種製備均勻管徑碳奈米管的鑭摻雜催化劑及製備方法

    公告號:200637792 - 寧波華實納米材料有限公司 中國大陸

    1.一種製備均勻管徑碳奈米管的鑭摻雜催化劑,以氧化鎂為載體,載體上負載有複合金屬氧化物組分、鑭摻雜組分和促進催化組分,其特徵在於四者的摩爾比為0.5~3.0:0.1~1.0:0.01~1.0:0.5~3.0,其中,複合金屬氧化物組分為鐵、鈷、鎳中任意二者或三者的氧化物的複合物,鑭摻雜組分為鑭的氧化物

  • 獨立式靜電摻雜碳奈米管裝置和其製造方法

    公告號:200639118 - 通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY 美國

    1.一種靜電摻雜碳奈米管裝置(110),包括一碳奈米管(112)配置在一基板(22)上,致使該碳奈米管之至少一部分是獨立的。 2.如申請專利範圍第1項之靜電摻雜碳奈米管裝置,其中該基板包括一溝槽(128)。 3.如申請專利範圍第1項之靜電摻雜碳奈米管裝置,其中該碳奈米管具有一第一端(114)和一第二

  • 碳奈米管層之黏著性轉移方法

    公告號:200642022 - 柯達公司 EASTMAN KODAK COMPANY 美國

    1.一種用於一傳導層之黏著性轉移之施體層合物,該施體層合物包含一在其上具有一包含碳奈米管之傳導層之基板,該傳導層與該基板接觸。 2.如請求項1之層合物,其中該傳導層在一圖案中。 3.如請求項1之層合物,其中該傳導層包含單壁碳奈米管。 4.如請求項1之層合物,其中該傳導層進一步包含一聚合黏合劑。 5.

  • 水性碳奈米管塗佈器液體及製造其塗佈器液體之方法

    公告號:200641175 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種塗佈器液體,其包含:一或多種碳奈米管,以及含水之液體介質,其中該碳奈米管係分散於該液體介質中,而沒有明顯的沉澱、凝聚情形或其他宏觀交互作用。 2.如申請專利範圍第1項之塗佈器液體,其中該塗佈器液體係符合或超過適用於第1級半導體製造設施之規範。 3.如申請專利範圍第1項之塗佈器液體,其中該塗佈

  • 奈米管/奈米導線場效電晶體之自行對準製程

    公告號:200644240 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種半導體結構,包含:一基板,包含至少一閘極區域於其上,該至少一閘極區域包含至少一個一維奈米結構之一層;以及一金屬碳化物接觸,位於該基板之一表面上,係與該至少一個一維奈米結構之層之一邊緣對準。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中該至少一個一維奈米結構之層包含至少一奈米管。 3.如申請