納米管



  • 超奈米結晶鑽石及碳奈米管之自組裝混合物之合成

    公告號:200610728 - 美國芝加哥州立大學 THE UNIVERSITY OF CHICAGO 美國

    1.一種材料,其包含一實質上不具有空隙且含有碳奈米管及鑽石之混合物之薄膜。 2.如請求項1之材料,其中該鑽石實質上係所有奈米結晶鑽石。 3.如請求項1之材料,其中該鑽石實質上係所有超奈米結晶(UNCD)鑽石。 4.如請求項1之材料,其中該鑽石係經氮摻雜且具有導電性。 5.如請求項1之材料,其中該鑽石

  • 碳奈米管陣列處理方法

    公告號:200611876 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種碳奈米管陣列處理方法,包括步驟:一基底,其上形成一碳奈米管陣列;通過預定圖形之模壓裝置對所述碳奈米管陣列壓印;取下模壓裝置,形成具有相應圖形之碳奈米管陣列。 2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管陣列處理方法,其中,所述基底材料包括玻璃、矽、金屬及其氧化物。 3.如申請專利範圍第1項所述之碳

  • 即時監控光學捕獲碳奈米管

    公告號:200613719 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種用以監控碳奈米管的方法,該方法包含:藉由一雷射光束操控一流體中的一碳奈米管(CNT);沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光源的一照明光線,以從該碳奈米管產生一光學響應;以及依據該光學響應並使用一光學感應器以監控該碳奈米管。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該操控包含下述的其中之一:捕獲該

  • 奈米管碳煙之製造方法

    公告號:200613218 - 林建宏 LIN, JARRN HORNG 高雄市三民區寶鼎街42號

    1.一種奈米管碳煙之製造方法,其係以化學氣相沉積法在不需催化劑狀況下,將碳煙與含碳反應氣體進行反應,並包含有下列之步驟:選用一種碳煙作為生長碳奈米管之基材;將基材置於石英床內,並將石英床放在管狀石英管中,一併送入加熱爐;將加熱爐從室溫加熱至適當溫度,待到達反應溫度後,通入含碳反應氣體,經過適當之反應

  • 合併有奈米管的熱介面

    公告號:200615501 - 塞威公司 ZYVEX CORPORATION 美國

    1.一種製備複數熱介面裝置的方法,包含:在一基材的二相反表面上調節複數試樣供奈米管生長;和在該試樣的二相反表面上生長熱傳導性之多個奈米管,該等奈米管相對該基材垂直地對齊;和其中,具有該等奈米管生長在其二相反表面上的該等試樣,包含複數熱介面裝置。 2.如申請專利範圍第1項所述製備複數熱介面裝置的方法,

  • 高純度奈米管織物及薄膜

    公告號:200616847 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種於基板上之奈米管薄膜,其包含:於基板上之連接之奈米管的網絡,其中該奈米管形成具實質上均勻的孔隙率或厚度之薄膜,並且其中該薄膜含有小於約1×10 1 8 原子/平方公分之金屬不純物。 2.如申請專利範圍第22項之物件,其中該薄膜含有小於約15×10 1 0 原子/平方公分之金屬不純物。 3.如

  • 使用具有由碳奈米管所形成之定向柱狀孔洞之介電層的積體電路晶片

    公告號:200620435 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種製造一積體電路晶片之方法,至少包含下列步驟:提供一晶片基材,該晶片基材具有複數個形成於其內之主動元件;形成複數個柱狀結構於該積體電路晶片之一表面上;沈積一層介電質於該積體電路晶片之該表面上方以包圍住該些柱狀結構;移除該些柱狀結構以建立具有孔洞之一介電層;以及形成複數個分離導體於該介電層結構中

  • 具碳奈米管之可塗覆導電性聚伸乙基二氧吩

    公告號:200619282 - 柯達公司 EASTMAN KODAK COMPANY 美國

    1.一種導電膜,其包含單壁碳奈米管及聚伸乙基二氧噻吩。 2.如請求項1之導電膜,其中該膜具有至少80%之可見光透射率。 3.如請求項1之導電膜,其中該膜具有高達1,000歐姆/平方之表面電阻率。 4.如請求項1之導電膜,其中該膜具有在0.001與500歐姆/平方之間的表面電阻率。 5.如請求項1之導

  • 奈米管電晶體與整流裝置

    公告號:200623407 - 湯瑪斯W. 湯姆布雷 JR. THOMAS W. TOMBLER, JR. 美國

    1.一種裝置,包含有:一結構具有一第一側、一第二側以及複數個孔由該第一側沿伸至該第二側;複數個單壁層碳奈米管,其中在每一孔中具有至少一個單壁層碳奈米管由該孔位於該結構之第一側之一第一端沿伸至該孔位於該結構之第二側之一第二端;一第一電極區,位於該結構之第一側,電性連接至複數個單壁層碳奈米管之第一端;一

  • 使用奈米管之發光體及其製造方法

    公告號:200625689 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種發光體,包含:一奈米管物件(nanotube article),與第一以及第二接點(contact)電性連通;一基板,擁有具有相對低之熱傳導率的預定區域,該區域與該奈米管物件成預定實質關係(predefined physical relation);以及一刺激電路(stimulus circ

  • 以奈米管為基礎之轉換裝置及相關電路

    公告號:200625622 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種奈米管轉換裝置,其包含:一用以電氣連接至一第一任意網路之第一輸出節點;一用以電氣連接至一第二任意網路之第二輸出節點;一包含至少一電氣傳導奈米管之奈米管通道構件,該奈米管通道構件被建構及配置使其在該裝置之一狀態下與該第一輸出節點或該第二輸出節點電氣接觸,該奈米管通道構件具一第一操作電壓範圍;及

  • 碳奈米管之低介電値介電材料以及形成此低介電値介電材料之方法

    公告號:200627546 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種供形成一積體電路之一結構之介電材料,該介電材料包含複數個碳奈米結構。 2.如請求項1所述之介電材料,其中該碳奈米結構包含複數個碳奈米管。 3.如請求項1所述之介電材料,其中該碳奈米結構包含複數個氟化的碳奈米管。 4.如請求項1所述之介電材料,其中該介電材料具有約小於3的介電常數。 5.如請求

  • 單層碳奈米管的製造方法

    公告號:200626495 - 日機裝股份有限公司 NIKKISO CO., LTD. 日本 獨立行政法人產業技術綜合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND

    1.一種單層碳奈米管的製造方法,包括:將含有原料烴、茂金屬及硫化合物之原料混合物以煙霧狀導出到以1~50 m/s之流通線速度而流通有氫氣之導出區域中,其中,對於上述氫氣及上述原料混合物的合計質量而言,上述原料烴之濃度為0.01~2.0質量%,上述茂金屬的濃度為0.001~0.2質量%,且上述硫化合物

  • 碳奈米管裝置及其製造方法

    公告號:200629715 - 諾斯洛普格拉曼公司 NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 美國

    1.一種射頻(RF)混頻器,其包含:一RF輸入端,其用於接收一RF信號;及至少兩個碳奈米管二極體,其與該RF輸入端相耦接。 2.如請求項1之混頻器,進一步包含一與該等至少兩個碳奈米管二極體相耦接之局部振盪器輸入端。 3.如請求項1之混頻器,其中該等碳奈米管二極體中之每一者包含至少一半導體單壁碳奈米管

  • 積體碳奈米管感應器

    公告號:200629582 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種積體電路,包含:一被監控之裝置;及一碳奈米管場效電晶體(CNT FET),係接近該被監控之裝置。 2.如請求項1之積體電路,其中該CNT FET係適用於感應來自該被監控之裝置的信號,其中該信號包含以下項目中任何一項:溫度、電壓、電流、電場、及磁場信號。 3.如請求項1之積體電路,其中該CNT