納米管



  • 促進碳奈米管之穩定合成的方法與結構

    公告號:200526803 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種量產碳奈米管的方法,包含:合成複數個碳奈米管於一第一基質所負載的複數個合成地點至一第一長度;中斷該複數個碳奈米管之合成;以一第二基質支持每一該複數個碳奈米管的自由端;分隔該複數個合成地點與該第一基質;以及回復合成該複數個合成地點的該複數碳奈米管,以增長該複數個碳奈米管至大於該第一長度的一第二

  • 碳奈米管及其精製方法

    公告號:200526518 - 國立大學法人京都大學 KYOTO UNIVERSITY 日本 日本電信電話股份有限公司 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION 日本 先鋒股份有限公司 P

    1.一種碳奈米管之精製方法,其特徵為包含下列步驟:於溶解有模板化合物的溶液中添加碳奈米管,並使特定之碳奈米管被萃取於溶液中的步驟,其中該模板化合物由含有共軛環狀構造的受納基部位及用於固定複數個前述受納基部位的間隔基部位所構成;以及回收所萃取之碳奈米管的步驟。 2.如申請專利範圍第1項之碳奈米管之精製

  • 包含碳奈米管之組成物及自其形成之製品

    公告號:200533706 - 安堤格里斯公司 ENTEGRIS, INC. 美國

    1.一種組成物,包含一聚合物共價鍵結至碳奈米管側壁。 2.如申請專利範圍第1項之組成物,其中該奈米管包含單壁碳奈米管、多壁碳奈米管或其組合。 3.如申請專利範圍第1項之組成物,其中該碳奈米管係以低於約50%重量比之濃度存在。 4.如申請專利範圍第1項之組成物,其中該碳奈米管係以約0.1%重量比至約4

  • 觸媒構造體及使用它之碳奈米管之製法

    公告號:200535093 - 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種觸媒構造體,其係用於藉由氣相成長來製造由碳結晶所構成的碳奈米管(24)之觸媒構造體(21),且係由在結晶成長面(22)上形成環形狀或渦卷形狀之觸媒材料所構成。 2.如申請專利範圍第1項之觸媒構造體,其係由以結晶成長面(22)做上面之柱狀體,且該柱狀體之側面的至少一部分係對於該碳結晶之成長不具

  • 具有成長在間隙壁定義通道之半導奈米管的垂直場效電晶體

    公告號:200537687 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種垂直半導體裝置結構,包含:一基板,界定一實質上水平之平面;一閘電極,垂直突出於該基板且包括一垂直側壁;一間隙壁,位於該垂直側壁側面;一半導奈米管,置於該閘電極與該間隙壁之間,且於相反的一第一端及一第二端之間向一實質上垂直之方向延伸;一閘極介電質,位於該垂直側壁上,介於該奈米管及該閘電極之間;

  • 合成具有電子場發射性質之小直徑碳奈米管之方法

    公告號:200536779 - 新泰科有限公司 XINTEK, INC. 美國 公爵大學 DUKE UNIVERSITY 美國

    1.一種製造碳奈米管之方法,其包含以下步驟:(a)製造包含受支撐於MgO粉末上的Mo及一或多個其他金屬之觸媒;(b)使用作為先驅物的含有含碳氣體之一氣體混合物;以及(c)將該觸媒及該氣體混合物加熱至高於900℃之溫度以產生一碳奈米管。 2.如請求項1之方法,其中該等其他金屬包括Fe及Co。 3.如請

  • 使用碳奈米管組合物互連孔之積體電路晶片

    公告號:200539411 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種積體電路晶片,其包含:形成於一基板上之複數個主動裝置;一或多個導電層中之複數個電導體,其用於對該等複數個主動裝置提供電連接;及複數個導電孔,每一孔電連接位在一個別第一導電層中的一個別第一電導體,其具有由以下各物所組成之組中之至少一者:(a)一個別第二導電層中的一個別第二電導體,每一該個別第二

  • 製造穿隧奈米管場效電晶體之方法

    公告號:200603228 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 佛權參創決立克公司 FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH 德國

    1.一種用來製造一穿隧奈米管場效電晶體的方法,該方法包含:提供具有半導體性質之一奈米管;定義該奈米管中該電晶體之一通道區、一第一汲極/源極區、以及一第二汲極/源極區,該第一汲極/源極區鄰接於該通道區之一第一末端,而該第二汲極/源極區鄰接於該通道區之一第二末端;形成一閘極介電層於該通道區上;形成一閘極

  • 包括PPTA及奈米管之複合材料

    公告號:200602407 - 帝人特瓦朗公司 TEIJIN TWARON B.V. 荷蘭

    1.一種包括PPTA(聚對伸苯基對酞醯胺)及具有至少100之縱橫比及5奈米或更小之橫切面直徑之奈米管的複合材料,此複合材料含有至多12重量%之奈米管,其係藉由將奈米管加入硫酸中,降低溫度以使混合物固化,將PPTA加入固體混合物中,加熱至高於固化點之溫度,且將混合物混合,及將混合物紡絲、流延、或模製成

  • 用於形成碳奈米管之電漿强化化學氣相沉積系統

    公告號:200604370 - 理想股份有限公司 CDREAM CORPORATION 美國

    1.一種用以形成複數個碳奈米管之電漿強化化學氣相沉積系統,該系統包含:一室,係用以於其中容納一目標基板,並於該目標基板上形成該些碳奈米管;一電極結構,係位於該室內,以提供形成該些碳奈米管之能量;一射頻電源,係耦合至該電極結構,以於該室內施加能量;及一直流電源,係耦合至該電極結構,以於該室內施加足夠能

  • 供場放射應用之碳奈米管的活化

    公告號:200606988 - 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC. 美國

    1.一種自含有碳奈米管的場放射陰極改善電場放射之方法,該方法之步驟包含:使CNT層澱積於底質上;對非黏著材料施壓以與CNT層接觸;和移除非黏著材料,使其不與CNT層接觸。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中非黏著材料是軟性或非軟性材料,如:彈性泡沫板、紙、金屬、陶瓷或玻璃板。 3.如申請專利範圍第

  • 圖案化碳奈米管射極

    公告號:200608444 - 奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC. 美國

    1.一種圖案化奈米粒子場射極的方法,包含下列步驟:提供一結構,以在其上圖案化奈米粒子場射極;在該結構的整個表面上沉積一均勻之奈米粒子材料之層;以及使用物理方法自該結構之該表面之不需要的區域移除該奈米粒子材料之層。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該沉積係以一製程執行,且該製程係選自包含下列方法之

  • 以碳奈米管及聚合物基質為底之複合材料及彼之製法

    公告號:200609284 - 艾克瑪公司 ARKEMA 法國

    1.一種複合材料,包含以重量計為:-0.01至99%碳奈米管(CNT),-99.99至0%至少一種聚合物P1,和-至少一種具有至少一個嵌段1和選擇性之嵌段2之嵌段共聚物,其中嵌段1帶有離子或可離子化官能基,其衍生自帶有這些離子或可離子化官能基的至少一種單體M1之聚合反應,M1量是嵌段1總重之至少10

  • 用於形成高純度奈米管薄膜之可旋敷液體

    公告號:200610774 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種用於形成奈米管薄膜之可旋敷液體,其包含:含有受控濃度的純化奈米管之液體介質,其中該受控濃度係足以形成具預選密度及均勻性之奈米管織物或薄膜,並且其中該可旋敷液體含有小於1×10 1 8 原子/立方公分之金屬不純物。 2.如申請專利範圍第1項之可旋敷液體,其中該可旋敷液體含有小於約1×10 1

  • 含混合稀土之雙相納米晶硬磁材料

    公告號:200610733 - 速敏科技股份有限公司 SPIN TECHNOLOGY CORP. 新竹縣湖口鄉新竹工業區光復南路39號

    1.一種含混合稀土之雙相納米晶硬磁材料,其係由原子百分比以(Y a La b Ce c Pr d Nd e ) x Fe 100-x-y-z-u Co y X z B u 表示之組成物所組成,Y a La b Ce c Pr d Nd e 為混合稀土,其係為稀土元素提煉過程之中間產物,而X為耐火元素