納米管



  • 奈米管複合高分子電解質之組成及其製造方法

    公告號:200421653 - 國立中央大學 NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY 桃園縣中壢市中大路三○○號

    1.一種奈米管複合高分子電解質之組成,包括:一高分子基材,其主鏈或側鏈上至少具有醚基、醯基、氨基、氟基或一路易士鹼官能基;一金屬鹽類,包括有一金屬陽離子與一陰離子,其中該金屬鹽類與該高分子基材形成一高分子鹽類錯合物的結構;一奈米管改質劑,其與該高分子基材及該高分子鹽類錯合物形成路易士酸鹼作用力。 2

  • 二氧化鈦奈米管及其製造方法與感測器

    公告號:200422261 - 住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD. 日本

    1.一種二氧化鈦奈米管,該二氧化鈦奈米管的長度為1微米以上。 2.如申請專利範圍第1項所述之二氧化鈦奈米管,其直徑為0.1微米以下。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述之二氧化鈦奈米管,其高寬比為100以上。 4.一種感測器,包括如申請專利範圍第1~2項中任一項所述之二氧化鈦奈米管以及一電極,其中

  • 使用水平定向奈米管元件之感測器平臺

    公告號:200514250 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種感測器平臺,包括一感測器構件,其包括一複數個奈米管之樣式化集並具一電氣特徵;一支撐結構,其支撐該感測器構件使之可暴露於一流體中;及控制電路系統,其電氣感測該感測器構件之該電氣特徵,俾可檢測一相應分析物之存在。 2.如申請專利範圍第1項之感測器平臺,其中該感測器構件亦包括至少一奈米線。 3.如

  • 具多重控制之以奈米管為基之切換構件及由其製成之電路

    公告號:200515597 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種切換元件,包含:一輸入節點;一輸出節點;一具有至少一電氣傳導奈米管之奈米管通道元件;一控制結構配置為與該奈米管通道相關,以控制性地於該輸入節點及該輸出節點之間形成與變形一電氣傳導通道,其中該通道至少包括該奈米管通道元件;以及其中該輸出節點係被建構與安排為使得該通道形成實質上不受該輸出節點的電

  • 碳奈米管及其製造方法、以及碳奈米管之製造裝置

    公告號:200514744 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.一種碳奈米管之製造方法,其特徵為其係以觸媒為起點生成碳奈米管者,且其配置觸媒於具有中空部之第1電極的內面,並且將第2電極以其前端位於上述第1電極之中空部內之方式配置,而於上述第1電極與上述第2電極間使之產生電弧放電。 2.如請求項1之碳奈米管之製造方法,其中使二層構造之碳奈米管生長作為上述碳奈米

  • 具對齊的碳奈米管之熱界面材料及其製法

    公告號:200516747 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種製造熱界面材料的方法,包括:將至少碳奈米管與一對齊材料結合以形成一結合後的材料;以及使對齊材料將碳奈米管對齊。 2.依據申請專利範圍第1項之方法,其中使對齊材料將碳奈米管對齊包括對結合後的材料施加剪力。 3.依據申請專利範圍第1項之方法,其中使對齊材料將碳奈米管對齊包括對結合後的材料施加場。

  • 碳奈米管的挑選方法

    公告號:200516641 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種挑選奈米管的方法,其包含:提供一基材;提供複數個半導體奈米管及金屬奈米管與該基材接觸;選擇性地保護半導體奈米管及金屬奈米管兩者中的一者,並讓該半導體奈米管及金屬奈米管中的另一者是未受保護的奈米管;及分解未受保護的奈米管,用以只留下受保護的奈米管。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該基

  • 以奈米管為基礎之切換元件及邏輯電路

    公告號:200518458 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種切換元件,包含:一輸入節點;一輸出節點;一具有至少一電氣傳導奈米管之奈米管通道元件;一控制電極,相關於該奈米管通道元件而設置,以可控制性地於該輸入節點及該輸出節點之間形成一電氣傳導通道,其中該通道至少包括該奈米管通道元件;以及其中該輸出節點係被建構與安排為使得該通道形成實質上不受該輸出節點的

  • 一種顯影型碳奈米管塗料及其製作陰極電子發射源塗層的方法

    公告號:200520015 - 東元奈米應材股份有限公司 臺北市中山區松江路156之1號6樓

    1.一種顯影型碳奈米管塗料用於電子裝置之陰極構造,包括有:溶劑;水溶性樹脂溶於該溶劑中;光反應起始劑具負型光阻特性且溶於該溶劑中;碳奈米管,懸浮於該溶劑中;及固著劑,可助碳奈米管於固著程序後附著於該陰極構造之上。 2.如申請專利範圍第1項所述之顯影型碳奈米管塗料,進一步具有導電粉體具降低塗層表面層之

  • 金屬奈米管製造裝置及金屬奈米管之製造方法

    公告號:200519242 - 國立大學法人京都大學 KYOTO UNIVERSITY 日本

    1.一種金屬奈米管製造裝置,由被對向配置之陰極及陽極、具有被設在陰極上之貫通孔的膜、以及充滿陰極與陽極之間的空間的電解液所構成,在前述貫通孔之壁面使金屬析出,其中前述陰極為厚度10~80nm之金屬薄膜。 2.如申請專利範圍第1項之金屬奈米管製造裝置,其中前述陰極係由金、銅、金系合金、銅系合金或白金-

  • 使用化學氣相沉積法或電漿增强化學氣相沉積法生成之碳奈米管直徑之控制

    公告號:200519239 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種用於將由化學氣相沈積法(CVD)或電漿增強化學氣相沈積法(PECVD)生成之碳奈米管(CNT)直徑控制在約0.2至約100奈米範圍內的方法,其包含:在一CVD或PECVD生成器中引入一催化劑基板;將反應器腔室之溫度增加至一所要生成溫度;流動包括一含碳前驅物之反應性氣體;及控制該反應器中之該含

  • 碳奈米管作為火花式點火引擎混合油氣燃燒之助劑

    公告號:200519037 - 孫文郁 SUN, WEN YU 臺北市信義區基隆路2段109號9樓

    1.利用多層碳奈米管或單層碳奈米管,作為火花式點火引擎內混合油氣燃燒之助劑(Catalyst)。由於此碳奈米管(Carbon nanotubes)外徑非常小約在1到100奈米之間,長度約在0.01-100 μm之間,有很高的細長比,同時它的尖端極細,所以可在很低的電壓下(10V)於尖端處形成很強的電

  • 形成碳奈米管的方法

    公告號:200521272 - 理想顯示公司 CDREAM DISPLAY CORPORATION 美國

    1.一種在基材組件上形成眾多碳奈米管之方法,其包含:藉由電漿化學沈積生長該眾多的碳奈米管;以及藉由電漿蝕刻後處理該眾多的碳奈米管。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材組件係由石英形成。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材組件係由玻璃形成。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材組

  • 使用非水平定向奈米管元件之感測器平臺

    公告號:200525144 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種感測器平臺,包括一感測器構件,其包括至少一奈米管並具一電氣特徵;一包括一基板之支撐結構,其支撐該感測器構件使之可暴露於一流體,並具有實質非平行於該感測器構件之該基板之一主表面;及控制電路系統,其電氣感測該感測器構件之該電氣特徵,俾可檢測一相應分析物之存在。 2.如申請專利範圍第1項之感測器平

  • 垂直奈米管半導體元件結構及其形成之方法

    公告號:200527667 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種垂直半導體元件結構,其中至少包含:一基材,界定出一大致水平平面;一閘極,其係自該基材垂直地凸出;至少一半導體奈米管(semiconducting nanotube),其係垂直延伸經該位於相對之第一與第二端間的閘極;一閘極介電質,其可將該至少一半導體奈米管電性絕緣於該閘極;一源極,其係經電性耦