納米管



  • 製作空間上對準的奈米管及奈米管陣列之方法

    公告號:I498276 - 美國伊利諾大學理事會 THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS 美國 US

    1.一種用於製作縱向對準的碳奈米管之一陣列的方法,該方法包括下列步驟:提供具有一接收表面的一導向生長基板,其中該導向生長基板係具有在約0度至約42.75度之範圍內選擇的一切割角度的一單結晶Y切割石英基板或一旋轉Y切割石英基板,其中該導向生長基板具有在該接收表面之一平面中的一主要導向生長軸;採用碳奈米

  • 碳奈米管分散.可溶化劑

    公告號:I494346 - 日產化學工業股份有限公司 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 日本 JP

    1.一種碳奈米管分散可溶化劑,其係由高支化聚合物所構成,該高支化聚合物係含有三嗪環作為重複單元,且以凝膠滲透色層分析所得到的聚苯乙烯換算所測定的重量平均分子量為1,000~4,000,000者,前述重複單元為以下述式(1)所示,式中,R及R'表示氫原子或碳數1~10的可具有或不具有分枝構造之烷基,A

  • 奈米管靜電放電保護裝置及對應的非揮發性與揮發性的奈米管開關

    公告號:I488206 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種奈米管開關,包含:一基板;一第一電極與一第二電極;一控制電極,位於該第一與該第二電極之間;複數個非導電奈米粒子,位於該基板上,並界定遍及該控制電極之一間隙,於該間隙中沒有奈米粒子;一開關元件,包含複數個奈米管位於該基板、該控制電極與該等複數個奈米粒子之上方,其中該開關元件係電氣連接至該第一與

  • 鎳奈米管之製備方法及其結構

    公告號:I487670 - 明志科技大學 新北市泰山區工專路84號 TW

    1.一種鎳奈米管之製備方法,其係包含步驟:設置一鎳金屬層於一基板之表面;退火該鎳金屬層,形成複數個島狀奈米鎳團;設置一錳摻氧化鋅層於該基板之上,並覆蓋該些島狀奈米鎳團;以及燒結該錳摻氧化鋅層,使該些島狀奈米鎳團向上延伸,貫穿該錳摻氧化鋅層而形成複數個鎳奈米管。2.如申請專利範圍第1項所述之製備方

  • 碳奈米管及其製造方法

    公告號:I485105 - 創業發展聯盟技術有限公司 INCUBATION ALLIANCE, INC. 日本 JP

    1.一種碳奈米管之製造方法,係全長或其中一部分被擠壓崩潰而形成帶狀化的碳奈米管之製造方法,包括:準備依含有500ppm~60000ppm殘留氫方式施行鍛燒過的有機化合物之粉粒體,載持觸媒者;將其裝入由耐熱性材料構成的密閉容器中;以及對每個該容器施行使用經加壓過氣體環境的熱等靜壓處理;在熱等靜壓處理時

  • 改善石墨烯和碳奈米管上之材料的晶核生成之方法

    公告號:I481738 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種在一含碳材料表面上形成一薄塗佈層之方法,包含下列步驟:在該含碳材料表面之一外露區域的至少一部分上沉積一超薄矽成核層達介於2埃(Å)至10埃之厚度,以促使該含碳材料表面上之塗佈層的晶核生成,但是不讓該超薄矽成核層影響該含碳材料的電性性質,其中該超薄矽成核層包含非晶矽,且其中該含碳材料包含石墨烯

  • 用於整合射頻/類比系統單晶片應用之奈米管裝置與互補金屬氧化物半導體之方法

    公告號:I479603 - RF奈米公司 RF NANO CORPORATION 美國 US

    1.一種用於製造一系統單晶片(System-on-Chip;SoC)的方法,其包含:將奈米管(nanotubes)裝置之形成整合入一互補金屬氧化物半導體(CMOS)處理流程(process flow)中,以在一基板之一奈米管區域中形成奈米管裝置及在相同基板之一CMOS區域中形成CMOS裝置,其涉及:

  • 使用奈米管織物之電磁及熱偵測器及其製造方法

    公告號:I475673 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種電磁輻射偵測器,包含:一基板;一奈米管織物佈置在該基板上,該奈米管織物包含非織造的一奈米管網絡;一第一與一第二導電端,個別與該奈米管織物電性連通,該第一與該第二導電端以相間隔的關係佈置;其中該奈米管織物可以調整到對一預定範圍的電磁輻射敏感,以致曝露在該電磁輻射下時而導致在該第一與該第二導電端

  • 於介層窗內使用離子束選擇性成長奈米管

    公告號:I474973 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種用以選擇性成長一或多個碳奈米管之方法,包含:形成一絕緣層於一基板上,該絕緣層具有一頂表面;形成一介層窗於該絕緣層中;形成一主動金屬層於該絕緣層之上,涵蓋該介層窗之側壁及底表面;以及以一離子束僅在該頂表面之部分上移除該主動金屬層,以致能一或多個碳奈米管於該介層窗內之選擇性成長。2.如請求項

  • 電池應用之多孔非晶矽-碳奈米管複合式電極

    公告號:I472643 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種用於在一基板上形成一能量儲存裝置的設備,該設備包括:至少一自該設備之一第一端延伸至該設備之一第二端的導電材料的連續捲帶;一支撐系統,用以支撐該自該設備之該第一端延伸至該設備之該第二端之至少一導電材料的連續捲帶;一第一腔室,用以在該捲帶移動於該設備之該第一端與該設備之該第二端之間時沉積一非晶矽

  • 聚合物裹覆之碳奈米管近紅外線光伏裝置

    公告號:I472072 - 密西根大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN 美國 US

    1.一種裝置,包含:一第一電極;一第二電極;及一光活化區域,其係置於該第一電極及該第二電極之間且與其電連接,其中,該光活化區域包含一電子受體型有機半導體材料,及置於其內之電子供體型光活化聚合物-裹覆之碳奈米管,藉此,該電子受體型有機半導體材料及該光活化聚合物-裹覆之碳奈米管形成一塊材異質結,其中該聚

  • 帶有溝槽-氧化物-奈米管超級接面之元件結構及製備方法

    公告號:I469347 - 萬國半導體股份有限公司 ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED 美國 US

    1.一種帶有溝槽-氧化物-奈米管超級接面之元件結構,其包含:第一導電類型之一第一半導體層以及第二導電類型之一第二半導體層,該第二半導體層沉積在該第一半導體層之上方;在該第二半導體層中打開之複數個溝槽,垂直延伸到該第一半導體層;形成在該複數個溝槽之側壁上的第一導電類型之一第一外延層;以及形成在該第一外

  • 碳奈米管集合體及其製造方法

    公告號:I465391 - 尼康股份有限公司 NIKON CORPORATION 日本 JP

    1.一種碳奈米管集合體之製造方法,其特徵在於,含有:在基板上形成具有既定粒徑之金屬微粒之步驟;將該金屬微粒於還原環境氣氛中加熱至300℃~400℃之既定溫度以使表面還原之步驟;將該金屬微粒於反應爐內加熱至既定之反應溫度之步驟;於反應爐導入有機化合物蒸氣而在該金屬微粒上長碳奈米管之步驟,其從開始對該金

  • 非揮發性奈米管二極體與非揮發性奈米管塊材及使用該等之系統以及製造該等之方法

    公告號:I463673 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種非揮發性奈米管二極體,包含:一基材;一半導體元件,其設於該基材之上,其中該半導體元件包含一陰極設於一陽極之上,且能夠形成一電氣傳導途徑於該陽極與該陰極之間;一奈米管開關元件,其設於該半導體元件之上,其中該奈米管開關元件包含一設於一傳導接觸件之上的奈米管織物元件及該奈米管織物元件因應電氣刺激展

  • 奈米管/奈米導線場效電晶體之自行對準製程

    公告號:I463654 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種半導體結構,包含:一基板,包含至少一閘極區域於其上,該至少一閘極區域包含至少一個一維奈米結構之一層、位於該至少一個一維奈米結構之一表面上的一閘極介電層、以及位於該閘極介電層之一表面上的一閘極電極,其中該至少一個一維奈米結構之層係位於該基板與該閘極電極之間;至少一個間隙壁,位於該至少一個一維奈