納米管



  • 奈米管接觸之製造

    公告號:200402808 - 憶恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG 德國

    1.一種用於奈米管接觸之製造以作為電路中其整體之一部分之方法,包含步驟為:(a)施加包含至少兩互連之一預定互連裝置至一基板,(b)施加至少一奈米管至已以步驟(a)之此方式圖案化之該基板,及(c)將自步驟(b)中獲得之該基板以使用包含金屬陽離子之含水電解質之電解槽程序做無電鍍,在該方式中,該金屬係被沉

  • 硫化錸(IV)奈米管材料和製法

    公告號:200403190 - 哈爾德杜薩公司 HALDOR TOPSOE A/S 丹麥

    1.一種硫化錸(IV)(ReS 2 )奈米管材料,其包括硫化錸(IV)同心層的中空圓柱體,此ReS 2 層間的距離為0.5~0.7奈米,而ReS 2 每一層是由夾在兩層硫原子之間的錸原子層所構成。 2.如申請專利範圍第1項所述的硫化錸(IV)奈米管材料,其中奈米管的內徑為2~500奈米。 3.如申請

  • 碳奈米管平板顯示器之屏障金屬層

    公告號:200406726 - 理想顯示公司 CDREAM DISPLAY CORPORATION 美國

    1.一種平板顯示器,包括具有主動區表面之螢光屏和具有主動區表面之背板,該螢光屏裝附於該背板以便定義外圍被邊界區包圍之主動區,該平板顯示器包含:催化劑層;電阻器層;複數碳奈米管電子放射元件,配置在該催化劑層上;及屏障層,居間配置在該催化劑層與該電阻器層之間,用以在該催化劑層上形成該複數碳奈米管期間防止

  • 使用奈米管將晶片冷卻及接地之方法及裝置

    公告號:200408089 - 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種積體電路封裝,其包括:晶片;安裝在晶片上面的熱管理輔助器;以及將晶片以及熱管理輔助器熱連結的界面層,該界面層進一步包含奈米碳管陣列。 2.如申請專利範圍第1項的封裝,其中奈米碳管陣列密封於空隙材料基質。 3.如申請專利範圍第2項的封裝,其中熱界面層的厚度小於大約0.01毫米到0.10毫米。

  • 場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

    公告號:200407937 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路四段一九五號

    1.一種場發射顯示器之場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法,包含下列步驟:a)將金屬性奈米絲或奈米管平舖於一水平的隔絕層上;b)將一具有披覆層的基板,以該披覆層面對該平鋪的金屬性奈米絲或奈米管的方式,實質上平行的隔空置於該基板上;c)施加一垂直方向的靜電場於包含該隔絕層與該基板的一空間,使得

  • 一種碳奈米管、其製備方法及製備裝置

    公告號:200409728 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街二號

    1.一種碳奈米管,其包括:由單一同位素組成之第一碳奈米管片段;由單一同位素組成之第二碳奈米管片段;其中該第一碳奈米管片段與第二碳奈米管片段沿碳奈米管交替排列。 2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管,其中第一碳奈米管片段及第二碳奈米管片段分別由 12 C及 13 C組成。 3.如申請專利範圍第1項所

  • 具有增進電子場發射性質之以奈米管為主之材料的製造方法

    公告號:200410903 - 美國北卡羅利那大學 THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL 美國

    1.一種製造方法,其包含:(a)產生含有封閉式結構之未加工奈米結構或含奈米管之材料;(b)洗淨未加工材料;(c)處理淨化後之材料,藉此形成開孔於封閉式結構內;(d)將一含有電子供體或電子受體之外來物導入至少某些開孔內;及(e)封閉開孔,藉此形成填以外來物之膠囊。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中

  • 運用奈米管帶之機電記憶體陣列及其製法

    公告號:200412685 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種製造機電電路元件的方法,包含提供具有導電軌條與支撐物之結構的動作,該支撐物從該基板的表面延伸;提供奈米管層於該支撐物上;以及選擇性地移除該奈米管層部份,以形成橫越該導電軌條的奈米管帶,其中該帶包含一或更多個奈米管。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中提供結構之動作係提供一結構,在該結構中該

  • 奈米管之薄膜及物件

    公告號:200412325 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一傳導物件,包含一奈米管切片集合,其中奈米管切片接觸其它奈米管切片,以沿著該物件而定義複數個傳導路徑。 2.如申請專利範圍第1項之物件,其中該奈米管切片包括單牆的碳奈米管。 3.如申請專利範圍第1項之物件,其中該奈米管切片包括多牆的碳奈米管。 4.如申請專利範圍第1項之物件,其中該奈米管切片具有

  • 利用薄金屬層製造碳奈米管薄膜、層、織品、條帶、元件及物品之方法

    公告號:200413557 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種製造一物品之方法,包含:提供一基板;將至少一層的至少一金屬催化劑施加到該基板的一表面上;使該基板受到一含碳氣體的一化學蒸汽沈積,以生長碳奈米管的一不織布式纖維;將該不織布式纖維部份根據一定義圖案而選擇性地移除,以產生該物品。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中將至少一層施加係自至少一金屬催

  • 具碳奈米管之電子源及使用其之電子顯微鏡及電子線描畫裝置

    公告號:200413250 - 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. 日本

    1.一種電子源,其特徵為具有:導電性針,其係具有微細孔者;導電性接合材料,其係設置於該導電性針之微細孔者;及碳奈米管,其係接合於前述導電性接合材料者。 2.如申請專利範圍第1項之電子源,其中前述導電性接合材料係較前述導電性針為低熔點之金屬。 3.如申請專利範圍第1項之電子源,其中前述碳奈米管係由較前

  • 碳奈米管制成之膜、層、織物、薄帶、元件以及物品

    公告號:200413249 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種傳導性物品,具有互相接觸的複數個奈米管切片以沿著該物品定義複數條傳導路徑,其中該物品具有預先決定圖案的形狀。 2.如申請專利範圍第1項之物品,其中該些奈米管切片包括單牆碳奈米管。 3.如申請專利範圍第1項之物品,其中該物品主要是一單層奈米管切片。 4.如申請專利範圍第1項之物品,其中該物品的

  • 製造碳奈米管之膜、層、織物、薄帶、元件以及物品之方法

    公告號:200413248 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種製造一物品之方法,包含:施加碳奈米管生長催化劑於一基板的一表面上;使該基板受到一含碳氣體的一化學蒸汽沈積,以生長一不織布式碳奈米管織物;根據一定義圖案,以選擇性地移除該不織布式織物部份,以產生該物品。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中施加碳奈米管生長催化劑於一基板表面上的動作,包括施加金

  • 用於高階奈米電子元件製造中具有改良特性之超低K値電漿化學氣相沉積奈米管/旋塗介電質

    公告號:200419620 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.一種用以形成一導電特徵之方法,其至少包含步驟:沉積一觸媒種層在一基材上;沉積一層包含碳之奈米管在該觸媒種層上;形成一內連線開口在該層奈米管中;及沉積一導電材料在該內連線開口中。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中上述之觸媒種層係由CVD、PVD、旋塗製程、或其組合加以沉積。 3.如申請專利

  • 奈米管聚合物複合物及其製造方法

    公告號:200418722 - 瑞瑟勒綜合技術協會 RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE 美國

    1.一種製造經衍生且分散均勻之碳奈米管(CNT)之方法,該方法包括反應一種未經經衍生CNT與一種離子化劑,如此在該未經衍生CNT表面上產生陰離子。 2.根據申請專利範圍第1項之方法,其中該CNT係SWNT。 3.根據申請專利範圍第1項之方法,其中該CNT係MWNT。 4.根據申請專利範圍第1項之方法