納米管



  • 促進碳奈米管之穩定合成的方法與結構

    公告號:I326271 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種量產碳奈米管的方法,包含:合成複數個碳奈米管於一第一基質所負載的複數個合成地點至一第一長度;中斷該複數個碳奈米管之合成;以一第二基質支持每一該複數個碳奈米管的自由端;分隔該複數個合成地點與該第一基質;以及回復合成該複數個合成地點的該複數碳奈米管,以增長該複數個碳奈米管至大於該第一長度的一第二

  • 使用奈米管開關之非依電性影子閂鎖

    公告號:I324773 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國 US

    1.一種非依電性記憶體胞,包含:一依電性儲存裝置,其響應電刺激儲存一對應的邏輯狀態;及一影子記憶體裝置,其耦合至該依電性儲存裝置,以便響應電刺激而接收並儲存該對應的邏輯狀態,該影子記憶體裝置包括一非依電性兩端奈米管開關,該兩端奈米管開關包含第一及第二端及一奈米管物件,該奈米管物件係以與該第一及第二端

  • 碳奈米管陣列處理方法

    公告號:I323243 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號 TW

    1.一種碳奈米管陣列處理方法,包括步驟:一基底,其上形成一碳奈米管陣列;通過預定圖形之模壓裝置對所述碳奈米管陣列壓印;取下模壓裝置,形成具有相應圖形之碳奈米管陣列。2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管陣列處理方法,其中,所述基底材料包括玻璃、矽、金屬或其氧化物。3.如申請專利範圍第1項所述

  • 一種碳奈米管、其製備方法及製備裝置

    公告號:I318962 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號 TW

    1.一種碳奈米管,其包括:由單一同位素組成之第一碳奈米管片段;由單一同位素組成之第二碳奈米管片段;其中該第一碳奈米管片段與第二碳奈米管片段沿碳奈米管交替排列。2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管,其中第一碳奈米管片段及第二碳奈米管片段分別由 12 C及 13 C組成。3.如申請專利範圍第1

  • 使用化學氣相沉積法或電漿增強化學氣相沉積法生成之碳奈米管直徑之控制

    公告號:I318248 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

    1.一種用於將由化學氣相沈積法(CVD)或電漿增強化學氣相沈積法(PECVD)生成之碳奈米管(CNT)直徑控制在0.2至100奈米範圍內的方法,其包含:在一CVD或PECVD生成器中引入一催化劑基板;將生成器腔室之溫度增加至一所要生成溫度;流動包括一含碳前驅物之反應性氣體;及控制該生成器中之該含碳前

  • 碳奈米管場發射體及其製造方法

    公告號:I316262 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號 TW

    1.一種碳奈米管場發射體,包括陰極、陽極、位於陰極與陽極之間的柵極,所述陰極的表面設置有支撐體,支撐體具有若干通孔以暴露陰極,絕緣體位於支撐體之上,柵極位於絕緣體之上,用作發射單元的碳奈米管位於暴露的陰極的表面,該碳奈米管的一個端面與陰極電性相連,其改良在於:該柵極與支撐體之間設置有絕緣體。2.

  • 奈米管碳煙之製造方法

    公告號:I315717 - 林建宏 LIN, JARRN-HORNG 高雄市三民區寶鼎街42號 TW

    1.一種奈米管碳煙之製造方法,包含:提供一含有石英床及管狀高温爐的氣態反應系統,選用一種碳煙作為基材置於石英床;以及提供一含碳的反應氣體,連續地將含碳的反應氣體送入該反應系統中,令反應系統中之反應温度介於700℃~1200℃之間,而其反應時間則為5~120min,又該含碳反應氣體為碳氫化合物;據此即

  • 碳奈米管量產系統及量產方法

    公告號:I315716 - CNT股份有限公司 CNT CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種合成碳奈米管的量產系統,包含:一反應室,包括至少一連通至一外界空氣的開口、和至少一不同比重氣體佔據區域,該區域填充有一不同比重氣體,該氣體之比重不同於該外界空氣之比重,以防止該外界空氣經由該開口進入該反應室;一碳奈米管合成單元,位在該不同比重氣體佔據區域,並利用通過該開口引入的一催化劑的介質

  • 碳奈米管製成之傳導性製成品、組合件、傳導軌跡以及不織布式織物

    公告號:I313669 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種具有定義之方向的平面式傳導性製成品,其具有複數個碳奈米管其主要形成一單層碳奈米管,其中,每一個碳奈米管於該製成品之平面中係具有實質上未受限制之方向,但被實質上限制於與該製成品之平面正交之方向,其中該複數個碳奈米管沿著該製成品定義複數條傳導路徑。 2.如申請專利範圍第1項之製成品,其中該些碳奈

  • 碳奈米管絲陰極體之製造方法

    公告號:I310200 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種碳奈米管絲陰極體之製造方法,其包括以下步驟: 提供一根碳奈米管絲; 由該根碳奈米管絲得到若干段碳奈米管絲; 將一段碳奈米管絲粘在金屬絲的一端; 將該段碳奈米管絲置於火焰中燃燒,得到一個碳奈米管絲陰極體。 2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管絲陰極體之製造方法,其中,該根碳奈米管絲的直徑為5

  • 製造不織布式碳奈米管織物及物品之方法

    公告號:I307330 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種製造一限定物品之方法,該限定物品包含一不織布式碳奈米管織物,該方法包含: 施加碳奈米管生長催化劑於一基板的一表面上; 使該基板受到一含碳氣體的一化學蒸汽沈積,以生長一不織布式碳奈米管織物,其中,該化學蒸汽沈積的一催化劑特性與一製程參數兩者至少其中之一被選擇,以便織物奈米管實質地平行於基板的該

  • 以奈米管為基礎之轉換裝置及相關電路

    公告號:I305049 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種奈米管轉換裝置,其包含: 一連接至一第一外部電路網路之第一輸出節點; 一連接至一第二外部電路網路之第二輸出節點; 一包含至少一電氣傳導奈米管之奈米管通道構件,在該裝置之一斷開(OFF)狀態下,該奈米管通道構件被建構及配置未與該第一輸出節點或該第二輸出節點電氣接觸,該奈米管通道構件具一第一操作

  • 金屬奈米管製造裝置及金屬奈米管之製造方法

    公告號:I302953 - 國立大學法人京都大學 KYOTO UNIVERSITY 日本

    1.一種金屬奈米管製造裝置,其構成為電解液充滿於一容器內的空間,前述容器內具有被對向配置之陰極及陽極、被設在陰極上之具有貫通孔的膜,在前述膜的貫通孔之壁面使金屬析出, 其中前述陰極為厚度10-80nm之金屬薄膜,前述膜的貫通孔的內部空間是經由前述陰極的貫穿孔而與前述容器接觸,前述陰極的貫穿孔的端部是

  • 使用奈米管將晶片冷卻及接地之方法及裝置

    公告號:I301659 - 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種積體電路封裝,其包括: 晶片; 安裝在晶片上面的熱管理輔助器;以及 將晶片以及熱管理輔助器熱連結的界面層,該界面層進一步包含奈米碳管陣列,其實質對準而垂直於晶片和熱管理輔助器,並且其中奈米碳管陣列密封於空隙材料基質。 2.如申請專利範圍第1項的封裝,其中空隙材料是熱傳導膏狀物。 3.如申請專

  • 高純度奈米管織物及薄膜

    公告號:I300046 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種於基板上之奈米管薄膜,其包含: 於基板上之連接之奈米管的網絡,其中該奈米管形成具實質上均勻的孔隙率或厚度之薄膜,並且其中該薄膜含有小於約1�1018原子/平方公分之金屬不純物。 2.如申請專利範圍第1項之奈米管薄膜,其中該薄膜含有小於約15�1010原子/平方公分之金屬不純物。 3.如申請專