納米管



  • 擔載有碳奈米管之金屬氧化物粒子及顆粒狀碳奈米管

    公告號:200819393 - 大塚化學股份有限公司 OTSUKA CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種擔載有碳奈米管之金屬氧化物粒子,其特徵在於,於針狀或板狀之結晶性金屬氧化物粒子表面上,擔載有於與該表面大致垂直方向上並行成長之碳奈米管。 2.如請求項1之擔載有碳奈米管之金屬氧化物粒子,其中所擔載之碳奈米管之於與金屬氧化物粒子表面大致垂直方向之長度為1 μm~500 μm。 3.如請求項1或

  • 非揮發性奈米管二極體與非揮發性奈米管塊材及使用該等之系統以及製造該等之方法

    公告號:200826302 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種非揮發性奈米管二極體裝置,包含:一第一端子及一第二端子;一半導體元件,包含一陰極及一陽極,且能因應施加至該第一傳導端子之電氣刺激,在該陰極與陽極之間形成一傳導途徑;以及一奈米管開關元件,包含一奈米管織物物件,與該半導體元件電氣相通,該奈米管織物物件係設在該半導體元件與該第二端子之間,且能在該

  • 使用非揮發性奈米管的記憶體元件與交叉點開關及其陣列

    公告號:200826102 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種覆蓋的奈米管開關,包含:(a)一奈米管元件,包括未對齊之複數個奈米管,該奈米管元件具有一頂表面、一底表面及複數個側表面;(b)第一及第二傳導端子,與該奈米管元件接觸,其中該第一傳導端子配置於且實質上覆蓋該奈米管元件的整個頂表面,且其中該第二傳導端子至少接觸該奈米管元件之底表面的一部分;及(c

  • 具分子鉗之碳奈米管與芙樂烯錯合物及其應用

    公告號:200825023 - 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種碳奈米管或芙樂烯(fullerene)之π-π錯合物,包含一分子鉗。 2.如請求項1所述之錯合物,其中該分子鉗為聚并苯(polyacene)與一親雙烯基(dienophile)之一狄爾士-阿爾德(Diels-Alder)加成物。 3.如請求項1所述之錯合物,該錯合物為一碳奈米管之一錯合物。

  • 製造一碳奈米管之反應室、設備以及系統

    公告號:200827477 - 細美事有限公司 SEMES CO., LTD. 韓國

    1.一種製造一碳奈米管反應室,該反應室包括:一反應爐,該反應爐具有一箱型結構以接受一基質;該反應爐提供一空間以於該基質上形成該碳奈米管;一氣體入口,該氣體入口具有形成於該反應室之一第一部分的一貫穿孔結構,該氣體入口提供一通道使一源氣體之一流入物流入該反應室,以形成該碳奈米管;一氣體排出口,該氣體排出

  • 電子束處理裝置及使用碳奈米管發射器的方法

    公告號:200830366 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國

    1.一種半導體處理之方法,其包括:導入一化學物種至一處理室中之一半導體表面;活化一碳奈米管發射器以產生一電子束;使該化學物種及該半導體表面曝露於該電子束;至少部分地分解該化學物種以形成一蝕刻物種,用以與該半導體表面之一第一區域反應;以及同時地沉積一塗層於該半導體表面之一第二區域上。 2.如請求項1之

  • 透明導電膜、透明電極基板及使用它之液晶配向膜之製法、以及碳奈米管及其製法

    公告號:200829664 - 可樂麗股份有限公司 KURARAY CO., LTD. 日本

    1.一種透明導電膜,其特徵為:透明導電膜之主要成分為單層碳奈米管;該單層碳奈米管係以成束狀態下存在;且利用掃描型電子顯微鏡觀察,可確認成束之聚集狀態的繩索形狀。 2.如申請專利範圍第1項之透明導電膜,其中該單層碳奈米管係於照射波長532nm的雷射所測出之拉曼強度分布特性中,拉曼位移於1340±40

  • 藉氣相聚合反應製造碳奈米管/聚合物混合物之方法

    公告號:200829605 - 拜耳材料科學股份有限公司 BAYER MATERIALSCIENCE AG 德國

    1.一種用於製造碳奈米管/聚合物混合物或碳奈米管/橡膠混合物之方法,其包含在承載於碳奈米管上之聚合反應觸媒存在下原位氣相聚合烯烴或二烯烴。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中係已物理性或化學性地處理該碳奈米管。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該碳奈米管具有酸性基團含量為50至10,000毫當

  • 使用碳奈米管電晶體之邏輯電路

    公告號:200832912 - 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種積體電路,其包含:串聯耦合於高與低準位供應器參考點間之第一及第二碳奈米管場效電晶體(CNTFET),該第一CNTFET具有一閘體來提供用以接收高與低邏輯值之一邏輯輸入,該第二CNTFET具有耦合至一偏壓供應器之一閘體,使得該第二CNTFET為該第一CNTFET提供一主動負載以提供適當的邏輯高

  • 奈米管强化銲料帽及其組裝方法,晶片構裝及含有晶片構裝之系統

    公告號:200832631 - 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國

    1.一種物品,包含:被配置在一銲料凸塊上之一銲料帽,其中該銲料帽包含散佈在其中之奈米碳管網絡;以及被配置在該銲料凸塊之下且與該銲料凸塊接觸之一接合墊。 2.如申請專利範圍第1項之物品,其中該奈米碳管網絡係在佔該銲料帽的大約1至大約99容積百分率之範圍下出現在該銲料帽中。 3.如申請專利範圍第1項之物

  • 具有高可靠性可細微圖案化碳奈米管放射器之製造方法

    公告號:200832484 - 韓國電子通信研究院 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 韓國

    1.一種製造一碳奈米管(CNT)放射器之方法,其包括以下步驟:(a)將一CNT粉、一有機黏合劑、一光敏材料、一單體及一奈米尺寸金屬顆粒分散在一溶劑中,以製造一CNT膏劑;(b)將該CNT膏劑塗布至一基板上形成的一電極上;(c)曝光塗布在該電極上之CNT膏劑,藉以執行細微圖案化;(d)塑化該已細微圖案

  • 具有可調整尺寸的二端奈米管開關之非依電性電阻式記憶體、閂鎖電路、及操作電路

    公告號:200832399 - 奈特洛公司 NANTERO, INC. 美國

    1.一種非揮發性閂鎖電路,包含:至少一輸入端,能夠輸入一邏輯狀態;一輸出端,能夠輸出一邏輯狀態;一奈米管切換元件,包含設置於兩個導體接點之間的一奈米管織物物件,該奈米管織物物件係電氣連接該等兩個導體接點,其中該奈米管切換元件能夠在一相對低電阻狀態及一相對高電阻狀態之間切換,其中,該奈米管切換元件能夠

  • 多層碳奈米管之集合構造

    公告號:200835806 - 索納克股份有限公司 SONAC INCORPORATED 日本

    1.一種多層碳奈米管之集合構造,係於基板表面上之觸媒微粒之作用下成長的複數個多層碳奈米管之集合構造,其特徵在於:該多層碳奈米管分別具有形狀之直線性與相對於基板表面之垂直配向性,並以50(mg/cm 3 )以上之密度而集合。 2.如申請專利範圍第1項之多層碳奈米管之集合構造,其中,該多層碳奈米管最內層

  • 含碳奈米管之生物分解性高分子複合材料及其製備方法

    公告號:200840841 - 遠東科技大學 FAR EAST UNIVERSITY 臺南縣新市鄉中華路49號

    1.一種碳奈米管(CNT)/高分子奈米複合材料,包含一非晶或低結晶性高分子樹脂及分散於該高分子樹脂中的一未修飾或經修飾的碳奈米管,其中該經修飾的碳奈米管包含一碳奈米管及偶合於該碳奈米管表面上的一有機基團。 2.如申請專利範圍第1項所述之碳奈米管/高分子奈米複合材料,其中該有機基團係一乙烯不飽和單體以

  • 修飾碳奈米管的方法

    公告號:200840797 - 遠東科技大學 FAR EAST UNIVERSITY 臺南縣新市鄉中華路49號

    1.一種經修飾的探奈米管(CNT),其包含CNT及偶合於該CNT表面的有機基團。 2.如申請專利範圍第1項所述之經修飾的CNT,其中該有機基團係一乙烯不飽和單體以其不飽和乙烯基經由一自由基起始劑活化後共價鍵結於該CNT所產生的殘基。 3.如申請專利範圍第1項所述之經修飾的CNT,其中該有機基團係一有