磁阻效應元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
申請人· 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 磁阻效應元件之製造方法
公告號 I517463
公告日 2016/01/11
證書號 I517463
申請號 2013/11/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 中川行人 NAKAGAWA, YUKITO; 小平吉三 KODAIRA, YOSHIMITSU; 栗田資三 KURITA, MOTOZO; 中川史 NAKAGAWA, TAKASHI
申請人 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2012-254446 20121120
參考文獻 TW200717470; TW201010151A1; JP2003-78184A; US2005/0048675A1; US2011/0198314A1
審查人員 王安邦

專利摘要

提供在磁阻效應元件之製造工程中,有效率地除去附著於元件分離後之側壁的再附著膜中之貴金屬原子,防止因再附著膜所引起之短路的製造方法。 對形成於元件分離後之磁阻效應元件側壁的再附著膜,照射使用Kr氣體或Xe氣體之電漿而所形成之離子束,從再附著膜中選擇性地除去貴金屬原子。


專利範圍

1.一種磁阻效應元件之製造方法,為具有兩個強磁性層和位於上述兩個強磁性層之間的隧道阻擋層的磁阻效應元件之製造方法,其特徵為:具有對附著於元件分離之上述隧道阻擋層之側壁的含有貴金屬原子之金屬材料照射離子束之工程,上述離子束為使用Kr氣體或Xe氣體之電漿而所形成的離子束,藉由上述離子束選擇性地除去上述貴金屬原子。 2.如申請專利範圍第1項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中於照射上述離子束之後,使用反應性氣體之電漿使上述金屬材料成為絕緣體。 3.如申請專利範圍第1項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中具有於照射上述離子束之後,對上述金屬材料照射使用反應性氣體之電漿而形成的離子束之工程,上述反應性氣體為含氧氣體。 4.如申請專利範圍第3項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述含氧氣體為O2氣體。 5.如申請專利範圍第2項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述反應性氣體為含氮氣體。 6.如申請專利範圍第5項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述含氮氣體為N2氣體或氨氣。 7.如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述離子束之能量為10eV以上100eV以下。 8.如申請專利範圍第1項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中在上述Kr氣體或Xe氣體中添加有反應性氣體。 9.如申請專利範圍第8項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述反應性氣體為含氧氣體。 10.如申請專利範圍第9項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述含氧氣體為O2氣體。 11.如申請專利範圍第8項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述反應性氣體為含氮氣體。 12.如申請專利範圍第11項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述含氮氣體為N2氣體或氨氣。 13.如申請專利範圍第8至12項中之任一項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中使用上述Kr氣體或Xe氣體之電漿而形成之上述離子束之能量為10eV以上100eV以下。 14.如申請專利範圍第1項所記載之磁阻效應元件之製造方法,其中上述磁阻效應元件為上述兩個強磁性層皆在膜厚方向磁化之垂直磁化型磁阻效應元件。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統