封裝裝置及封裝方法 PACKAGE DEVICE AND PACKAGING METHOD
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 封裝裝置及封裝方法
公告號 I517329
公告日 2016/01/11
證書號 I517329
申請號 2014/01/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 張志鴻 CHANG, CHIH HORNG; 郭庭豪 KUO, TIN HAO
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/794,698 20130311
參考文獻 TW200913105A; CN102468264A
審查人員 許勝宗

專利摘要

一種封裝裝置,包括一晶片。晶片包括一上表面及一金屬柱。金屬柱具有突出於晶片之上表面上之一部分。金屬柱之一側壁佈滿如草地般的複數個奈米線。


專利範圍

1.一種封裝裝置,包括:一晶片,包括:一上表面;以及一金屬柱,具有突出於該晶片之該上表面上之一部分,其中,該金屬柱之一側壁具有如草地披覆般緻密的複數個奈米線,該些奈米線具有複數個縱長方向實質上平行於該晶片之該上表面。 2.如申請專利範圍第1項所述之封裝裝置,其中,該金屬柱具有一焊錫區,該焊錫區係位於該金屬柱之一上表面之上,以及該上表面不具有奈米線。 3.如申請專利範圍第1項所述之封裝裝置,其中,該等如草地披覆的奈米線層包括氫氧化銅(Cu(OH)2)及碳酸銅(CuCO3)。其中該氫氧化銅及該碳酸銅之一總原子百分比係高於60%。 4.如申請專利範圍第1項所述之封裝裝置,更包括:一封裝元件,具有透過一焊錫區結合於該封裝元件之該金屬柱,其中,該焊錫區係位於該金屬銅柱之一上表面之上;以及一底部填充物,係位於在該封裝元件與該晶片間之一間隙之中,其中,該底部填充物係與該等奈米線接觸。 5.一種封裝裝置,包括:一晶片,包括:一銅柱,係位於該晶片之一上表面處,其中,該銅柱之複數個側壁具有複數個奈米線,該等奈米線包括碳酸銅(CuCO3),以及該銅柱之一上表面係實質上不具有碳酸銅,其中該些奈米線具有複數個縱長方向實質上平行於該晶片之該上表面;一封裝底材;以及一焊錫區,係結合該晶片之該上表面於該封裝底材。 6.如申請專利範圍第5項所述之封裝裝置,其中,該等奈米線更包括氫氧化銅(Cu(OH)2),以及該氫氧化銅及該碳酸銅之一總原子百分比係高於60%。 7.如申請專利範圍第5項所述之封裝裝置,其中,該等奈米線之一平均長度對於該等奈米線之一平均寬度之一比例係大於1.5。 8.一種封裝方法,包括:執行一化學處理於一晶片之上,以產生複數個奈米線於一金屬柱之一側壁之上,其中該些奈米線具有複數個縱長方向實質上平行於該晶片之該上表面,其中,該金屬柱係被包括於該晶片之中,並且係突出超過該晶片之一上表面;結合該晶片於一封裝元件,其中,一焊錫區係結合該金屬柱之一上表面於該封裝元件;以及分配一底部填充物於該晶片與該封裝元件之間,其中,該底部填充物係與該金屬柱之該側壁接觸。 9.如申請專利範圍第8項所述之封裝方法,其中,該化學處理係被執行於具有該晶片之一晶圓之上,以及該方法更包括:在該化學處理之後以及在結合步驟之前,執行一晶粒切鋸於該晶圓之上,以將該晶片分離於該晶圓。 10.如申請專利範圍第8項所述之封裝方法,其中


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