用於快速回復整流器結構之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR A FAST RECOVERY RECTIFIER STRUCTURE
申請人· 電源整合公司 POWER INTEGRATIONS, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 用於快速回復整流器結構之裝置及方法
公告號 I517345
公告日 2016/01/11
證書號 I517345
申請號 2006/12/27
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 法蘭西斯 理查 FRANCIS, RICHARD; 范楊榆 FAN, YANG YU; 強森 艾瑞克 JOHNSON, ERIC; 洪喜 HOANG, HY
申請人 電源整合公司 POWER INTEGRATIONS, INC. 美國 US
代理人 林秋琴; 陳彥希; 何愛文
優先權 美國 11/644,578 20051222 美國 11/320,313 20051227 美國 60/754,550 20051227
參考文獻 TW200536128A1
審查人員 邱迺軒

專利摘要

一種用於一快速回復整流器結構的裝置及方法。具體而言,該結構包括一具有一第一類型摻雜劑的基板。一以該第一類型摻雜劑輕度摻雜之第一磊晶層耦接至該基板。一第一金屬層耦接至該第一磊晶層。複數個溝槽凹陷至該第一磊晶層中,其每一者耦接至該金屬層。該設備亦包含複數個各以一第二類型摻雜劑摻雜的井,其中每一井形成於一對應溝槽下方且與之相鄰。複數個氧化層形成於一對應溝槽之壁及一底部上。以該第一摻雜劑摻雜的複數個通道區域形成於兩個對應井之間的該第一磊晶層內部。該複數個通道區域之每一者以該第一類型摻雜劑較該第一磊晶層更重度地摻雜。


專利範圍

1.一種製造超快二極體結構之方法,包含:於一第一類型摻雜劑摻雜之一基板上沈積一第二磊晶層;於沈積該第二磊晶層後,沈積以該第一類型摻雜劑輕度摻雜的一第一磊晶層,其中該基板較該第一磊晶層更重度地摻雜,及其中以該第一類型摻雜劑摻雜的該第二磊晶層較該基板係低重度地摻雜,且較該第一磊晶層更重度地摻雜;蝕刻一第一及一第二溝槽至該第一磊晶層中;在接近該第一溝槽之一底部的位置植入一第二類型摻雜劑摻雜的一第一井且在接近該第二溝槽之一底部的位置植入一第二類型摻雜劑摻雜的一第二井,其中該等複數個井之每一者彼此間隔開;於該第一磊晶層內該第一井與該第二井之間形成一通道區域,其中該通道區域較該第一磊晶層更重度地摻雜第一類型摻雜劑;及於該第一磊晶層上沈積一第一金屬層。 2.如請求項1之方法,進一步包含於沈積該第一金屬層之前沈積一蕭特基障壁,以使得該蕭特基障壁係被設置於該第一金屬層下方且分隔開該第一金屬層與該第一磊晶層。 3.如請求項2之方法,進一步包含:於該第一及第二溝槽之各者之下形成PiN二極體。 4.如請求項3之方法,其中,該第一及第二溝槽間的空間及該第一及第二溝槽的深度係選定而使得蕭特基障壁與PiN二極體的面積比率約大於或等於1。 5.一種製造超快二極體結構之方法,包含:於一第一類型摻雜劑摻雜之一基板上沈積以該第一類型摻雜劑輕度摻雜的一第一磊晶層,其中該基板較該第一磊晶層更重度地摻雜;蝕刻一第一及一第二溝槽至該第一磊晶層中;形成氧化物層於各第一及第二溝槽之壁部及底部;在接近該第一溝槽之一底部的位置植入一第二類型摻雜劑摻雜的一第一井且在接近該第二溝槽之一底部的位置植入一第二類型摻雜劑摻雜的一第二井,其中該等複數個井之每一者彼此間隔開,以及藉由於各該第一及第二溝槽之壁部及底部上該氧化物層而使該第一及第二井分別與該對應的溝槽電氣隔離;於該第一磊晶層內該第一井與該第二井之間形成一通道區域,其中,該通道區域較該第一磊晶層更重度地摻雜第一類型摻雜劑;及於該第一磊晶層上沈積一第一金屬層。 6.如請求項1之方法,其中,該第一及第二溝槽間的空間為0.45um至0.65um之間,而該第一及第二溝槽的深度為300nm至700nm之間。 7.如請求項6之方法,其中,該第一及第二溝槽間的寬度為0.4um至0.5um之間。 8.如請求項1或6之方法,其中,該第一及第二井的寬度為150nm至200nm之間,深度為200


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