太陽能電池的製造方法
申請人· 陳慶豐 CHEN, CHING FENG 基隆市安樂區樂利三街303號2樓 TW


專利信息

專利名稱 太陽能電池的製造方法
公告號 I502758
公告日 2015/10/01
證書號 I502758
申請號 2013/09/23
國際專利分類號
公報卷期 42-28
發明人 陳慶豐
申請人 陳慶豐 CHEN, CHING FENG 基隆市安樂區樂利三街303號2樓 TW
代理人 高玉駿; 楊祺雄
優先權
參考文獻 TW201314925A; TW201316537A; CN101877367A; US2008/0156372A1
審查人員 蕭乃仁

專利摘要

一種太陽能電池的製造方法,包含:於一基板上依序沈積一第一電極、一光電轉換層及一第二電極。該光電轉換層包括數個間隔的光電轉換單元,該等光電轉換單元之間藉由該第一電極與該第二電極而形成互相串聯之結構。本發明的主要改良在於,沈積該第一電極、該光電轉換層及該第二電極時,皆分別配合一遮罩而使用,因此在沈積該等膜層時,即可一併形成膜層上所須的溝槽,以完成各光電轉換單元之間的斷路線路與導線連接。本發明上述方法不使用雷射切割與機械切割,使製作出的電池品質良好,而且方便進行。


專利範圍

1.一種太陽能電池的製造方法,包含:將一第一遮罩設置於一基板上,該第一遮罩包括數個間隔的第一遮蔽區,以及數個分別位於該等第一遮蔽區之間的第一鏤空區;利用真空鍍膜方式並配合該第一遮罩,於該基板上形成一第一電極,該第一電極包括數個間隔且分別通過該第一遮罩的該等第一鏤空區而披覆於該基板表面的第一導電區,以及數個分別位於該等第一導電區之間的第一分隔溝;將一遮罩設置於該第一電極上,利用真空鍍膜方式並配合該遮罩,於該第一電極上形成一光電轉換層,該光電轉換層包括數個間隔的光電轉換單元,以及數個分別位於該等光電轉換單元之間的間隔溝,該等間隔溝的位置與該等第一分隔溝的位置錯開;將一第二遮罩設置於該光電轉換層上,該第二遮罩包括數個間隔的第二遮蔽區,以及數個分別位於該等第二遮蔽區之間的第二鏤空區;及利用真空鍍膜方式並配合該第二遮罩,於該光電轉換層上形成一第二電極,該第二電極包括數個間隔且分別通過該第二遮罩的該等第二鏤空區而披覆於該等光電轉換單元表面的第二導電區、數個分別位於該等第二導電區之間的第二分隔溝,以及數個分別自該等第二導電區通過該等光電轉換單元而連接該第一電極的連接導線。 2.如請求項1所述的太陽能電池的製造方法,其中,該光電轉換層包括上下間隔的一p型半導體層與一n型半導體層,以及一位於該p型半導體層與該n型半導體層之間的本質層。 3.如請求項1或2所述的太陽能電池的製造方法,其中,該遮罩包括數個間隔的主遮蔽區,以及數個分別位於該等主遮蔽區之間的成膜單元,每一成膜單元具有兩個間隔的鏤空區,以及一位於該等鏤空區之間的導線遮蔽區,該遮罩設置於該第一電極上時,該等主遮蔽區的位置與該第一電極的該等第一分隔溝的位置錯開,該等導線遮蔽區的位置分別位於該等第一導電區上;每一光電轉換層的間隔溝的位置對應該遮罩的該等主遮蔽區的位置,該等光電轉換單元的位置分別對應該遮罩的該等成膜單元的位置,每一光電轉換單元具有二分別通過與其對應的該成膜單元的該等鏤空區而披覆在該第一電極上的光電轉換區,以及一位於該等光電轉換區之間並分別供該第二電極的該等連接導線伸入的導線溝。 4.如請求項3所述的太陽能電池的製造方法,其中,該第一電極、該光電轉換層及該第二電極之鍍膜步驟是在同一真空腔體內進行。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統