包含具有電荷累積層之記憶胞的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MEMORY CELL HAVING CHARGE ACCUMULATION LAYER
申請人· 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP


專利信息

專利名稱 包含具有電荷累積層之記憶胞的半導體裝置
公告號 I517367
公告日 2016/01/11
證書號 I517367
申請號 2008/11/27
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 野口充宏 NOGUCHI, MITSUHIRO; 五味川健治 GOMIKAWA, KENJI
申請人 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
代理人 陳長文
優先權 日本 2007-317582 20071207
參考文獻 JP2001-231248A; US5990507; US6291847B1; US2005/0265109A1; US2007/0069804A1; US2007/0109035A1
審查人員 莊敏宏

專利摘要

一種半導體裝置,其包含:元件區域;MOS電晶體;電容器元件;一電壓產生電路;一接觸插塞;以及一記憶胞。該等MOS電晶體係形成於該等元件區域之第一者上並具有一源極、一汲極及一閘極。該等電容器元件係形成於該等元件區域之第二者上。在該電壓產生電路中,該等MOS電晶體之電流路徑係串聯連接並且該等電容器元件係連接至該等MOS電晶體之源極或汲極。該接觸插塞係形成於該源極或該汲極上以連接該等MOS電晶體或該等MOS電晶體之一者與該等電容器元件之一者。位於該串聯連接中之最後級中的MOS電晶體之第一者的閘極與接觸插塞兩者之間的距離係大於位於該串聯連接中之最初級中的MOS電晶體之第二者的閘極與接觸插塞兩者之間的距離。


專利範圍

1.一種半導體裝置,其包括:元件區域,其中每一者由一元件隔離區域所圍繞,該等元件區域具有電晶體區域及電容器區域;MOS電晶體,其中每一者形成於該等電晶體區域中之一者上,該等MOS電晶體中之每一者具有在該等元件區域中之一相關聯者上的兩個閘極與在該等元件區域中之該相關聯者中的三個第一雜質摻雜區域,該等閘極中之一第一者形成於該等第一雜質摻雜區域中之一第一者與該等第一雜質摻雜區域中的一第二者之間,該等閘極中之一第二者形成於該等第一雜質摻雜區域中之該第二者與該等第一雜質摻雜區域中的一第三者之間,該等第一雜質摻雜區域充當一源極與一汲極中之任一者;電容器元件,其中每一者形成於該等電容器區域中之一者上;一電壓產生電路,其中該等MOS電晶體之電流路徑係串聯連接並且該等電容器元件中之每一者經由該等MOS電晶體中之一者的該源極與該汲極中之任一者連接至該MOS電晶體,該電壓產生電路輸出來自該串聯連接之一最後級中之一第一MOS電晶體的一電壓,該電壓產生電路輸入來自該串聯連接中之一先前級中之一第二MOS電晶體的一電壓;第二雜質摻雜區域,其形成於該等第一雜質摻雜區域上;接觸插塞,其形成於該等第二雜質摻雜區域上以連接該等MOS電晶體或該等MOS電晶體中之一者與該等電容器元件中之一者,該第一MOS電晶體的該等閘極中之一者與鄰近於該等閘極中之該一者的該等第二雜質摻雜區域中之一者之間的一距離大於該第二MOS電晶體的該等閘極中之一者與鄰近於該等閘極中之該一者的該等第二雜質摻雜區域中之一者之間的一距離;及一記憶胞,其能夠保持資料,藉由該電壓產生電路所輸出之該電壓係施加至該記憶胞。 2.如請求項1之裝置,其中該等電容器元件中之每一者包含:一n型井區域,其形成於該等電容器區域中之該一者之一表面區域中並用作電極中的一者;一絕緣膜,其形成於該井區域上;及一閘極,其形成於該絕緣膜上並用作另一電極。 3.如請求項1之裝置,其中該等電晶體區域中之該一者含有一p型雜質,該p型雜質係以10 14 cm -3 至5×10 16 cm -3 之一濃度摻雜於自一表面至1 μm之一深度的一區域中。 4.如請求項1之裝置,其進一步包括一第三雜質摻雜區域,其直接提供於該元件隔離區域之下並具有10 16 cm -3 至10 18 cm -3 之一p型雜質之一峰值濃度;其中該等元件區域中之一者與該第三雜質摻雜區域之間的一間隔的範圍係自0.2


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統