平衡負載記憶體及其操作方法 BLANCED LOAD MEMORY AND METHOD OF OPERATION
申請人· 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. 美國


專利信息

專利名稱 平衡負載記憶體及其操作方法
公告號 200409137
公告日
證書號
申請號 2003/06/27
國際專利分類號
公報卷期 02-11
發明人 奇特拉 撒拉曼尼恩 CHITRA K. SUBRAMANIAN;布萊德J 加尼 BRAD J. GARNI;約瑟夫J 拿哈斯 JOSEPH J. NAHAS;海伯特S 林 HALBERT S. LIN;湯瑪斯W 安德烈 THOMAS W. ANDRE
申請人 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. 美國
代理人 陳長文
優先權 美國 10/184,720 20020628
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種記憶體(10)提供一能維持路徑間阻抗平衡的感測架構,此路徑分別為該資料到該感測放大器(24)和該參考或該等參考到該感測放大器所採取的路徑。該記憶體的每個子陣列(14,18)皆具有一鄰接的行解碼器(20,22),將資料耦合至一也鄰接該子陣列的資料線(37,51,41,63),並可將該資料線視為行解碼器的一部份。該選擇子陣列的資料經由其鄰接的資料線繞徑至該感測放大器。身為該選擇子陣列的一部份,該參考耦合至一非選擇子陣列的資料線。因而該參考,在為一磁性隨機存取記憶體(MRAM)類型記憶體的情況下最好緊密接近該所選擇資料的位置,尋跡一至該感測放大器(24)之路徑,其能與該資料所採取路徑達到阻抗平衡。


專利範圍

1.一種記憶體,包括:一包括資料和一第一參考之第一子陣列;一包括資料和一第二參考之第二子陣列;一鄰接該第一子陣列之第一行解碼器,具有一第一資料線,其中該第一資料線選擇性地導通來自該第一子陣列的資料或是來自該第二子陣列的第二參考;一鄰接該第二子陣列之第二行解碼器,具有一第二資料線,其中該第二資料線選擇性地導通來自該第二子陣列的資料或是來自該第一子陣列的第一參考;及一位於該第一和該第二子陣列間之第一感測放大器,具有一耦合至該第一資料線之第一輸入,一耦合至該第二資料線之第二輸入,和一提供資料之輸出。 2.如申請專利範圍第1項之記憶體,尚包括:一鄰接該第一子陣列之第三子陣列,具有資料和一第三參考;一鄰接該第二子陣列之第四子陣列,具有資料和一第四參考;一鄰接該第三子陣列之第三行解碼器,具有一第三資料線,其中該第三資料線選擇性地導通來自該第三子陣列的資料或是來自該第四子陣列的第四參考;及一鄰接該第四子陣列之第四行解碼器,具有一第四資料線,其中該第四資料線選擇性地導通來自該第四子陣列的資料或是來自該第三子陣列的第三參考;其中該第一參考和該第二參考為第一類型,且該第三參考和該第四參考為第二類型。 3.如申請專利範圍第2項之記憶體,尚包括:一多工器,具有數個輸入分別耦合至該第一資料線,該第二資料線,該第三資料線,該第四資料線,和數個耦合至該第一感測放大器之輸出。 4.如申請專利範圍第3項之記憶體,尚包括一耦合至該多工器之第二感測放大器。 5.如申請專利範圍第2項之記憶體,其中該第一感測放大器尚包括一耦合至該第四資料線之第三輸入,該記憶體尚包括:一第二感測放大器,具有數個輸入耦合至該第一資料線,該第二資料線,和該第三資料線;一第三感測放大器,具有數個輸入耦合至該第二資料線,該第三資料線,和該第四資料線;及一第四感測放大器,具有數個輸入耦合至該第一資料線,該第三資料線,和該第四資料線。 6.如申請專利範圍第5項之記憶體,尚包括:一耦合至該第一資料線之第一負載元件;一耦合至該第二資料線之第二負載元件;一耦合至該第三資料線之第三負載元件;及一耦合至該第四資料線之第四負載元件。 7.一種在一記憶體的一第一子陣列內感測資料之方法,該第一子陣列包括資料和一第一參考;其中該記憶體尚包括:一包括資料和一第二參考之第二子陣列;一鄰接該第一子陣列之第一行解碼器,具有一第一資料線;一鄰接該第二子陣列之第二行


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