光電元件、成像裝置以及其驅動方法 PHOTOELECTRIC ELEMENT AND IMAGING DEVICE AND DRIVING METHODS THEREFOR
申請人· 富士軟片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 光電元件、成像裝置以及其驅動方法
公告號 I517436
公告日 2016/01/11
證書號 I517436
申請號 2011/02/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 野村公篤 NOMURA, KIMIATSU; 三井哲朗 MITSUI, TETSURO
申請人 富士軟片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 日本 JP
代理人 詹銘文
優先權 日本 2010-026993 20100209 日本 2011-015843 20110127
參考文獻 US2006/0102907A1
審查人員 廖崑男

專利摘要

本發明提供一種光電元件,包含導電層、有機光電層、阻擋層及透明導電層,所述有機光電層含有玻璃轉移溫度為100℃或100℃以上之p型有機光電材料且形成非晶層,且所述阻擋層含有玻璃轉移溫度為140℃或140℃以上之阻擋材料。


專利範圍

1.一種光電元件,包括導電層、有機光電層、阻擋層及透明導電層,所述有機光電層包括玻璃轉移溫度為100℃或100℃以上且形成非晶層之p型有機光電材料,以及所述阻擋層包括玻璃轉移溫度為140℃或140℃以上之阻擋材料。 2.如申請專利範圍第1項所述之光電元件,其中所述阻擋層為電子阻擋層。 3.如申請專利範圍第2項所述之光電元件,其中所述阻擋材料為三芳基胺。 4.如申請專利範圍第3項所述之光電元件,其中所述三芳基胺由下式(V)表示:其中R51、R52及R53各自獨立地表示含有芳基之基團或含有雜芳基之基團,其限制條件為R51、R52及R53之至少一者含有一個氮原子。 5.如申請專利範圍第2項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述阻擋材料之游離電位為4.7至5.8電子伏特。 6.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述阻擋材料在400奈米或400奈米以下之波長下具有吸收最大值。 7.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述p型有機光電材料為p型有機半導體,且所述有機光電層為所述p型有機半導體與n型有機半導體之混合物。 8.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述p型有機光電材料在450奈米至620奈米之波長範圍內具有吸收最大值,且在所述吸收最大波長下之莫耳消光係數為30,000莫耳 -1 公分 -1 或30,000莫耳 -1 公分 -1 以上。 9.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述p型有機光電材料之游離電位為4.5至5.8電子伏特。 10.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件,其中所述p型有機光電材料由下式(I)表示:其中Z1表示含有至少兩個碳原子且自5員環、6員環及具有5員環與6員環之至少一者之稠環結構中選出的環結構;L1、L2及L3各自獨立地表示次甲基或經取代之次甲基;D1表示芳基或雜芳基;且n表示0或0以上之整數。 11.一種成像裝置,其包括如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件。 12.一種用於驅動如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光電元件的方法,包括在充當一對電極之所述導電層與所述透明導電層之間施加1×10 -4 伏特/公分至1×10 7 伏特/公分之電場。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法,其中所述阻擋層與一個所述電極接觸,且所述電場以


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統