鰭式雙極接面型電晶體及其製造方法 FIN-BASED BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATION
申請人· 美國博通公司 BROADCOM CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 鰭式雙極接面型電晶體及其製造方法
公告號 I517380
公告日 2016/01/11
證書號 I517380
申請號 2012/08/31
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 夏維 XIA, WEI; 陳向東 CHEN, XIANGDONG
申請人 美國博通公司 BROADCOM CORPORATION 美國 US
代理人 莊志強
優先權 美國 US 13/246,710 20110927
參考文獻 US2006/0197123A1; US2010/0246277A1; WO2010/076825A1
審查人員 陳柏雅

專利摘要

本發明提供了一種鰭式雙極接面型電晶體及製造方法。根據一示例性實施方式,鰭式雙極接面型電晶體(BJT)包括寬集極,其位于半導體襯底中。鰭式基極被置于寬集極上方。此外,鰭式射極和磊晶射極被置于鰭式基極上方。鰭式BJT的窄基極-射極接面通過鰭式基極和鰭式射極而形成,以及磊晶射極為鰭式BJT提供增强的電流傳導性和减小的電阻。磊晶射極可磊晶地形成在鰭式射極上,且可包括多晶矽。此外,鰭式基極和鰭式射極各自可包括單晶矽。


專利範圍

1.一種鰭式雙極接面型電晶體,包括:寬集極,其位於半導體襯底中;鰭式基極,其被置於所述寬集極上方;基極井,位於所述鰭式基極下方,且位於所述寬集極中;以及鰭式射極和磊晶射極,其被置於所述鰭式基極上方;其中所述鰭式雙極接面型電晶體的窄基極-射極接面通過所述鰭式基極和所述鰭式射極而形成,且其中所述磊晶射極為所述鰭式雙極接面型電晶體提供增強的電流傳導性。 2.如申請專利範圍第1項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述磊晶射極磊晶地形成在所述鰭式射極上。 3.如申請專利範圍第1項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述磊晶射極包括多晶矽。 4.如申請專利範圍第1項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中包括形成在所述寬集極上方的介電層。 5.如申請專利範圍第4項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述鰭式基極被置於所述介電層內和所述寬集極上方。 6.如申請專利範圍第4項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述磊晶射極形成在所述介電層和所述鰭式基極上方。 7.如申請專利範圍第4項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述介電層是淺溝槽隔離層。 8.如申請專利範圍第1項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述鰭式基極和所述鰭式射極係與所述半導體襯底整合成一體且與所述半導體襯底連續著。 9.如申請專利範圍第1項所述之鰭式雙極接面型電晶體,其中所述鰭式基極和所述鰭式射極包括單晶矽。 10.一種製造鰭式雙極接面型電晶體的方法,所述方法包括:在位於半導體襯底中的寬集極中形成基極井;蝕刻所述基極井以形成鰭式基極;在所述鰭式基極上磊晶地生長半導體層;摻雜所述半導體層以形成磊晶射極和鰭式射極。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統