利用金屬有機胺類與金屬有機氧化物類形成金屬氧化物的系統與方法 SYSTEMS AND METHODS FOR FORMING METAL OXIDES USING METAL ORGANO-AMINES AND METAL ORGANO-OXIDES
申請人· 麥肯科技有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國


專利信息

專利名稱 利用金屬有機胺類與金屬有機氧化物類形成金屬氧化物的系統與方法
公告號 200406502
公告日
證書號
申請號 2003/08/27
國際專利分類號
公報卷期 02-09
發明人 布萊恩 瓦特史崔 VAARTSTRA, BRIAN A.;唐納 衛斯特莫里蘭 WESTMORELAND, DONALD L.
申請人 麥肯科技有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國
代理人 林志剛
優先權 美國 10/229,627 20020828
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明係關於一種藉使用蒸氣沉積法並利用一或多個包含有機胺配位基之前驅化合物及一或多個包含有機氧化物配位基之前驅化合物,以便在基材(特別是半導體基材或基材組件)上形成金屬氧化物層的方法(以及其裝置)。


專利範圍

1.一種供製造半導體結構之方法,該方法包括:提供一半導體基材或基材組件;提供至少一個化學式為M 1 q (O) x (OR 1 ) y (化學式I)之前驅化合物及至少一個化學式為M 2 (NR 2 ) w (NR 3 R 4 ) z (化學式II)之前驅化合物,其中:M 1 及M 2 各別獨立地表示金屬;R 1 、R 2 、R 3 及R 4 各別獨立地表示氫或有機基;x表示0至4;y表示1至8;w表示0至4;z表示1至8;q為1或2;而x、y、z及w都是視M 1 及M 2 的氧化態而定;以及藉使用蒸氣沉積法使該等前驅化合物接觸以便在該半導體基材或基材組件的一或多個表面上形成金屬氧化物層。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該半導體基材或基材組件係矽晶片。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該金屬氧化物層係一介電層。 4.如申請專利範圍第3項之方法,其中該金屬氧化物介電層包含二或多個不同金屬。 5.如申請專利範圍第4項之方法,其中該二或多個不同金屬係為合金、固態溶液、或毫微-層壓物的形態。 6.如申請專利範圍第1項之方法,其中M 1 及M 2 係各別獨立地選自3、4、5、6、7、13、14族,以及鑭系元素之金屬。 7.如申請專利範圍第6項之方法,其中M 1 及M 2 係各別獨立地選自Y、La、Pr、Nd、Gd、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Si、及Al之金屬。 8.如申請專利範圍第1項之方法,其中該金屬氧化物層具有約30[圖]至約80[圖]之厚度。 9.如申請專利範圍第1項之方法,其中R 1 、R 2 、R 3 及R 4 係各別獨立地表示氫或(C1-C6)有機基。 10.如申請專利範圍第1項之方法,其中x表示0至2,而y表示2至6。 11.如申請專利範圍第1項之方法,其中w表示0至2,而z表示2至6。 12.如申請專利範圍第1項之方法,其中該金屬氧化物包含二或多個不同金屬。 13.如申請專利範圍第1項之方法,其中M 1 及M 2 係相同金屬。 14.一種供製造半導體結構之方法,該方法包括:提供一在沉積室內之半導體基材或基材組件;提供至少一個化學式為M 1 q (O) x (OR 1 ) y (化學式I)之前驅化合物及至少一個化學式為M 2 (NR 2 ) w (NR 3 R 4 ) 2 (化學式II)之前驅化合物,其中:M 1 及M 2 各別獨立地表示金屬;R 1


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統