發光二極體封裝體 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
申請人· 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體封裝體
公告號 I517450
公告日 2016/01/11
證書號 I517450
申請號 2013/10/21
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 盧昱昕 LU, YUHSIN
申請人 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 TW200945634A; TW200949308A; TW201143165A
審查人員 林頎鵬

專利摘要

一種發光二極體封裝體包含導線架、發光二極體晶片、波長轉換結構與濾波元件。發光二極體晶片置於導線架上並與之電性連接,用以提供具第一波長之第一光束。波長轉換結構置於發光二極體晶片上,用以將第一光束轉換為具第二波長之第二光束。濾波元件置於發光二極體晶片與波長轉換結構之間。濾波元件能夠允許第一光束自發光二極體晶片通過至波長轉換結構,且將來自波長轉換結構之第二光束反射回波長轉換結構。


專利範圍

1.一種發光二極體封裝體,包含:一導線架;一發光二極體晶片,置於該導線架上並與之電性連接,用以提供具一第一波長之一第一光束,其中該發光二極體晶片係覆晶式(Flip chip)晶片;一波長轉換結構,置於該發光二極體晶片上,用以將該第一光束轉換為具一第二波長之一第二光束;以及一濾波元件,置於該發光二極體晶片與該波長轉換結構之間,該濾波元件能夠允許該第一光束自該發光二極體晶片通過至該波長轉換結構,且將來自該波長轉換結構之該第二光束反射回該波長轉換結構,其中該濾波元件為一布拉格反射體(Distributed Bragg Reflector,DBR),且該布拉格反射體係由複數第一介電層和複數第二介電層交錯堆疊而成,其中該第一介電層之折射率大於該第二介電層之折射率,且該布拉格反射體係以該第一介電層與該發光二極體晶片鄰接,並以該第二介電層與該波長轉換結構鄰接,並且該第一介電層之折射率大於該發光二極體晶片之折射率,該第二介電層之折射率小於該波長轉換結構之折射率。 2.如請求項1所述之發光二極體封裝體,其中該第一、第二介電層之材質為二氧化鈦(TiO2)、二氧化矽(SiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氮化矽(SiNx)或上述之任意組合。 3.如請求項2所述之發光二極體封裝體,其中該發光二極體晶片包括一藍寶石基板,且該第一介電層之折射率係大於該藍寶石基板之折射率。 4.如請求項2所述之發光二極體封裝體,其中該發光二極體晶片包括一氮化鎵層,且該第一介電層之折射率大於該氮化鎵層之折射率。 5.如請求項1所述之發光二極體封裝體,其中該第一波長低於500奈米,且該第二波長高於500奈米。 6.如請求項1至5中任一項所述之發光二極體封裝體,更包含一封裝材,覆蓋該發光二極體晶片、該波長轉換結構與該濾波元件。 7.如請求項6所述之發光二極體封裝體,其中該波長轉換結構包含:一本體;以及複數波長轉換粒子,分佈於該本體中。 8.如請求項7所述之發光二極體封裝體,其中該本體的材質為矽氧無機化合物、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或上述之任意組合。 9.一種發光二極體封裝體,包含:一導線架;一發光二極體晶片,置於該導線架上,並與之電性連接,用以提供具一第一波長之一第一光束,其中該發光二極體晶片係為水平式(Face up)或垂直式(Vertical)晶片;一封裝材,覆蓋該發光二極體晶片;一波長轉換


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