具有軸向工程的半導體及閘極金屬化之垂直奈米線電晶體 VERTICAL NANOWIRE TRANSISTOR WITH AXIALLY ENGINEERED SEMICONDUCTOR AND GATE METALLIZATION
申請人· 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 具有軸向工程的半導體及閘極金屬化之垂直奈米線電晶體
公告號 I517404
公告日 2016/01/11
證書號 I517404
申請號 2013/11/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 道爾 布萊恩 DOYLE, BRIAN S.; 寇利爾 羅沙 KOTLYAR, ROZA; 沙 烏戴 SHAH, UDAY; 郭 查爾斯 KUO, CHARLES C.
申請人 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 美國 13/719,093 20121218
參考文獻 US7087920B1; US7825032B2; US8063450B2; US2005/0224888A1; US2009/0008631A1; US2011/0108803A1
審查人員 翁佑菱

專利摘要

垂直定向奈米線電晶體包括半導體層或閘極電極,其具有在電晶體之長度之上改變的成分。在實施例中,電晶體通道區域進行成分梯度,或沿著通道之長度分層以感應應變,及/或包括高遷移率注入層。在實施例中,沉積包括複數個閘極電極材料的閘極電極堆疊以調變沿著閘極長度之閘極電極功函數。


專利範圍

1.一種垂直奈米線電晶體,具有垂直定向於晶體基板之表面平面的縱向軸,該電晶體包含:IV族或III-V族磊晶源極半導體層,沿著該縱向軸與磊晶IV族或III-V族汲極半導體層垂直對齊;IV族或III-V族磊晶通道半導體層,配置於源極與汲極半導體層之間,該通道半導體層具有與該電晶體之通道長度有關的磊晶膜厚度;以及環形閘極電極,包圍該半導體通道層之側壁,由環形閘極介電層分開,且其中該閘極電極層或該半體層之至少一者的成分沿著該縱向軸改變,其中該源極半導體層具有比該通道與汲極半導體層在沿著傳輸方向上較低的有效質量及/或在垂直於傳輸的平面較高的能態密度質量。 2.如申請專利範圍第1項之垂直奈米線電晶體,其中該通道半導體層在有該源極半導體層的第一介面與有該汲極半導體層的第二介面之間具有成分變異。 3.如申請專利範圍第2項之垂直奈米線電晶體,其中該成分變異更包含對遍及該磊晶膜厚度的該通道半導體層分梯度。 4.如申請專利範圍第3項之垂直奈米線電晶體,其中該通道半導體包含SiGe合金且其中在該第一介面的Ge含量高於在該第二介面,或其中該通道半導體包含In合金,且其中在該第一介面的In含量高於在該第二介面。 5.如申請專利範圍第4項之垂直奈米線電晶體,其中該源極與汲極半導體層為對齊該第一與第二介面具有δ-摻雜劑濃度分佈的矽。 6.如申請專利範圍第2項之垂直奈米線電晶體,其中該成分變異更包含配置緊鄰該第一介面的輕摻雜或本質高遷移率注入層。 7.如申請專利範圍第6項之垂直奈米線電晶體,其中該通道半導體為矽或SiGe合金,且其中該高遷移率注入層直接配置於該源極半導體層上頭且由Ge所組成。 8.如申請專利範圍第6項之垂直奈米線電晶體,其中該成分變異更包含對該通道半導體層自該高遷移率注入層到該第二介面而分梯度。 9.如申請專利範圍第1項之垂直奈米線電晶體,其中直接與該閘極介電質接觸的該閘極電極之成分沿著該縱向軸改變以自緊鄰該源極半導體層的第一階到緊鄰該汲極半導體層的第二階分化該功函數。 10.如申請專利範圍第9項之垂直奈米線電晶體,其中該閘極電極之功函數在緊臨該汲極半導體層處大於在緊鄰該源極半導體層處。 11.如申請專利範圍第10項之垂直奈米線電晶體,其中該閘極電極成分從緊鄰該源極半導體層之第一合金成分到緊鄰該汲極半導體層之第二合金成分而分梯度。 12.如申請專利範圍第10項之垂直奈米線電晶體,其中


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
201438235 具有軸向工程的半導體及閘極金屬化之垂直奈米線電晶體 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
I502651 垂直奈米線電晶體通道的圖案化及具有定向自組裝的閘極 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
201541526 垂直奈米線電晶體通道的圖案化及具有定向自組裝的閘極 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
201438111 垂直奈米線電晶體通道的圖案化及具有定向自組裝的閘極 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
305055 具有等向步階的半導體基板 東芝股份有限公司 日本
228604 一種製造半導體裝置的方法,藉此將具有橫向邊界的半導體區域以自行對正的方式形成在一半導體本體上 飛利浦電子股份有限公司 荷蘭
I344181 具有環繞閘極的奈米線電晶體 微米科技股份有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
I305385 具有圓形形狀奈米線電晶體通道之半導體裝置及其製作方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓
201539747 奈米線電晶體的多階工作函數和多値通道摻雜改善驅動電流之半導體結構及方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
200805509 具有環繞閘極的奈米線電晶體 微米科技股份有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國
200711001 具有圓形形狀奈米線電晶體通道之半導體裝置及其製作方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國
M497717 具有軸向氣隙的無軸風扇結構 訊凱國際股份有限公司 COOLER MASTER CO., LTD. 新北市中和區中正路778-1號9樓 TW
201544674 具有軸向固定的物料壓出盤的固定裝置 希爾悌股份有限公司 HILTI AKTIENGESELLSCHAFT 列支敦斯登 LI
201505918 具有軸向相對的截頭圓錐部的瓶子 歐文斯布羅克維玻璃器皿股份有限公司 OWENS-BROCKWAY GLASS CONTAINER INC. 美國 US
I518870 半導體記憶體裝置、半導體封裝及具有堆疊結構的半導體晶片之系統 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韓 KR
I511250 IC載板、具有該IC載板的半導體器件及製作方法 臻鼎科技股份有限公司 ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD. 桃園市大園區三和路28巷6號 TW
I485938 連接器及具有該連接器的半導體試驗裝置 日本莫仕股份有限公司 MOLEX JAPAN CO., LTD. 日本 JP; 愛德萬測試股份有限公司 ADVANTEST CORPORATION 日本 JP
I482236 具有密封塞子的半導體槽結構及方法 半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國 US
I473365 連接器和具有該連接器的半導體測試裝置 日本莫仕股份有限公司 MOLEX JAPAN CO., LTD. 日本 JP; 愛德萬測試股份有限公司 ADVANTEST CORPORATION 日本 JP

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統