直接電弧生成碳奈米管裝置及其碳奈米管
申請人· 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW


專利信息

專利名稱 直接電弧生成碳奈米管裝置及其碳奈米管
公告號 M504091
公告日 2015/07/01
證書號 M504091
申請號 2014/10/15
國際專利分類號
公報卷期 42-19
發明人 趙中興 CHAO, CHUNG HSING; 謝振中 SHIEH, JENN JONG
申請人 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW
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優先權
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專利摘要

直接電弧生成碳奈米管裝置及其碳奈米管簡圖

本創作公開了一種直接電弧生成碳奈米管裝置及其碳奈米管。該直接電弧生成之碳奈米管,包括:一襯底碳材,該襯底碳材為一導體多孔性碳材,至少一成核碳粒子,至少一碳奈米管前驅物,基於該至少一成核碳粒子生長於該襯底碳材之表面上,以及至少一碳奈米管,利用一電弧直接生長於該碳奈米前驅物上。


專利範圍

1.一種直接電弧生成之碳奈米管,包括:一襯底碳材,該襯底碳材為一導體多孔性碳材,至少一成核石墨種子,至少一碳奈米管前驅物,基於該至少一成核石墨種子生長於該襯底碳材之表面上,以及至少一碳奈米管,利用一電弧直接生長於該碳奈米前驅物上。
2.如申請專利範圍第1項的碳奈米管,其中,該導體多孔性碳材由一活性碳,一碳黑,一碳纖維布,一高定向熱解石墨,一石墨粉,一石墨布,一玻璃碳與一碳氣凝膠中選出。
3.如申請專利範圍第1項的碳奈米管,其中生成該碳奈米管所需之一奈米碳粒及一石墨烯成核,固定在該襯底碳材上。
4.如申請專利範圍第1項的碳奈米管,進一步包括:一電弧處理,控制該至少一成核石墨種子在該襯底碳材上的一圖案。
5.如申請專利範圍第4項的碳奈米管,其中該電弧處理包括:修改該至少一成核石墨種子;以及生長該至少一碳奈米管前驅物。
6.如申請專利範圍第4項的碳奈米管,其中,至少一種多孔性碳質材料產生該至少一碳奈米管前驅物。
7.如申請專利範圍第5項的碳奈米管,其中,修改該至少一成核石墨種子包含離子轟擊熱處理該至少一成核石墨種子之一直徑。
8.如申請專利範圍第7項的碳奈米管,其中,離子轟擊熱處理該至少一成核石墨種子之該直徑包括:在900℃下之一保持爐中通過熱處理該至少一成核石墨種子於一碳纖維紙。
9.一種直接電弧生成碳奈米管裝置,包括一密封真空腔體,該密封真空腔體內於充填碳元素之氦氣體,包括:一碳陰極與一碳陽極,一襯底碳材,置於該碳陰極與該碳陽極之間,一直流電弧間隙,置於該襯底碳材與該碳陽極之間,以及一直流電源,耦接該碳陰極與該碳陽極之間以產生一電弧,其中,該直流電弧間隙由該直流電源調整。
10.如申請專利範圍第9項的裝置,其中,該襯底碳材為一導體多孔性碳材。
11.如申請專利範圍第10項的裝置,其中,該導體多孔性碳材由一活性碳,一碳黑,一碳纖維布,一高定向熱解石墨,一石墨粉,一石墨布,一玻璃碳與一碳氣凝膠中選出。
12.如申請專利範圍第9項的裝置,進一步包括:至少一成核石墨種子,至少一碳奈米管前驅物,基於該至少一成核石墨種子生長於該襯底碳材之表面上,至少一碳奈米管,利用該電弧直接生長於碳奈米前驅物上。
13.如申請專利範圍第12項的裝置,其中,一奈米碳粒及一石墨烯成核,固定在該襯底碳材上。
14.如申請專利範圍第12項的裝置,其中,該電弧控制該至少一成核石墨種子在該襯底碳材上的一圖案。
15.如申請專利範圍第14項的裝置,其中,該電弧進一步包括修改該至少一成核石墨種子以及生長該至少一碳奈米管前驅物。
16.如申請專利範圍第12項的裝置,其中,至少一種多孔性碳質材料產生該至少一碳奈米管前驅物。
17.申請專利範圍第12項的裝置,其中,修改該至少一成核石墨種子包含離子轟擊熱處理該至少一成核石墨種子之一直徑。
18.如申請專利範圍第17項的裝置,其中,離子轟擊熱處理該至少一成核石墨種子之該直徑包括:在900℃下之一保持爐中通過熱處理該至少一成核石墨種子於一碳纖維紙。
19.如申請專利範圍第12項的裝置,其中,該碳奈米管用於一燃料電池中。


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