金屬內連線結構及其製造方法 METAL INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
申請人· 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 臺中市大雅區科雅一路8號 TW


專利信息

專利名稱 金屬內連線結構及其製造方法
公告號 I517340
公告日 2016/01/11
證書號 I517340
申請號 2013/06/11
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 王嘯剛 WANG, HSIAO KANG; 林詠祥 LIN, YUNG HSIANG
申請人 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 臺中市大雅區科雅一路8號 TW
代理人 詹銘文; 葉璟宗
優先權
參考文獻 TW200733387A; TW200839943A; TW201139747A1
審查人員 林弘恩

專利摘要

一種金屬內連線結構的製造方法,包括在介電層中形成導電插塞,接著,在介電層與導電插塞上形成導電層,之後,在導電層上覆蓋頂蓋層,其後,圖案化頂蓋層與導電層,以形成圖案化的頂蓋層與圖案化的導電層。


專利範圍

1.一種金屬內連線結構的製造方法,包括:在一介電層中形成一導電插塞;在該介電層與該導電插塞上形成一導電層;在該導電層上覆蓋一頂蓋層;以及一次地圖案化該頂蓋層與該導電層,以形成一圖案化的頂蓋層與一圖案化的導電層,並暴露出一部分的該介電層,其中該圖案化的導電層與該導電插塞電性連接,且該導電插塞的表面與該介電層的表面實質上地共平面。 2.如申請專利範圍第1項所述之金屬內連線結構的製造方法,其中該頂蓋層包括金屬氮化物層、絕緣層或其組合,且該圖案化的頂蓋層的厚度介於1nm至5nm之間。 3.如申請專利範圍第2項所述之金屬內連線結構的製造方法,其中該金屬氮化物層包括氮化鎢層、氮化鈦層、氮化鉭層,或其組合。 4.如申請專利範圍第2項所述之金屬內連線結構的製造方法,其中該金屬氮化物層的形成方法包括原位沉積(in-situ)法或非原位沉積(ex-situ)法。 5.如申請專利範圍第2項所述之金屬內連線結構的製造方法,其中該絕緣層包括氮化矽層、氧化矽層或氮氧化矽層。 6.一種金屬內連線結構,包括:一導電插塞,位於一介電層中,且該導電插塞的表面與該介電層的表面實質上地共平面;一圖案化的導電層,位於該導電插塞上,並與該導電插塞電性連接;以及一圖案化的頂蓋層,覆蓋於該圖案化的導電層上。 7.如申請專利範圍第6項所述之金屬內連線結構,其中該頂蓋層包括金屬氮化物層、絕緣層或其組合,且該圖案化的頂蓋層的厚度介於1nm至5nm之間。 8.如申請專利範圍第7項所述之金屬內連線結構,其中該金屬氮化物層包括氮化鎢層、氮化鈦層、氮化鉭層,或其組合。 9.如申請專利範圍第7項所述之金屬內連線結構,其中該絕緣層包括氮化矽層、氧化矽層或氮氧化矽層。 10.如申請專利範圍第6項所述之金屬內連線結構,其中該圖案化的導電層中具有至少一細縫,該圖案化的頂蓋層封閉該至少一細縫的開口。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統