結合紅外線感測功能之多波段光感測器及其製造方法 MULTI-WAVE BAND LIGHT SENSOR COMBINED WITH FUNCTION OF IR SENSING AND METHOD OF FABRICATING THE SAM
申請人· 鉅晶電子股份有限公司 MAXCHIP ELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行一路18號 TW


專利信息

專利名稱 結合紅外線感測功能之多波段光感測器及其製造方法
公告號 I517370
公告日 2016/01/11
證書號 I517370
申請號 2013/09/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 張錦維 CHANG, JIN WEI; 王瀚倫 WANG, HUNG LUNG; 洪榮凱 HUNG, JUNG KAI
申請人 鉅晶電子股份有限公司 MAXCHIP ELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行一路18號 TW
代理人 詹銘文; 葉璟宗
優先權
參考文獻 TW200527700A; TW201117405A; TW201126708A; US2011/0303829A1; US2012/0138960A1; US2012/0187281A1
審查人員 皮欣霖

專利摘要

一種結合紅外線感測功能之多波段光感測器,包括:基底、紅外線感測結構、介電層以及多波段光感測結構。基底包括第一區與第二區。紅外線感測結構位於所述基底中,用以感測紅外線。介電層位於所述紅外線感測結構上。多波段光感測結構包括第一波段光感測器、第二波段光感測器以及第三波段光感測器。第二波段光感測器與第一波段光感測器重疊且由下而上配置於所述第一區上的所述紅外線感測結構上方。第三波段光感測器,位於所述第二區的所述介電層中。


專利範圍

1.一種結合紅外線感測功能之多波段光感測器,包括:一基底,包括第一區與第二區;一紅外線感測結構,位於該基底中,用以感測紅外線;一介電層,位於該基底上,覆蓋該紅外線感測結構;以及一多波段光感測結構,位於該基底上方,包括:一第一波段光感測器,位於該第一區的該介電層上,與該紅外線感測結構對應;一第二波段光感測器,位於該第一區的該介電層中,該第二波段光感測器的第一部分與該紅外線感測結構以及該第一波段光感測器重疊;以及一第三波段光感測器,位於該第二區的該介電層中。 2.如申請專利範圍第1項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第一波段光感測器包括一高綠光感測器;該第二波段光感測器包括一紅光感測器;該第三波段光感測器包括一高藍光感測器。 3.如申請專利範圍第1項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第一波段光感測器、該第二波段光感測器以及第三波段光感測器分別包括:一下電極;一氫化非晶矽層,覆蓋該下電極;以及一透明上電極,覆蓋於該氫化非晶矽層上。 4.如申請專利範圍第3項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中各該氫化非晶矽層為一堆疊結構,包括:一第一導電型之氫化非晶矽層,位於該下電極上;一本徵氫化非晶矽層,位於該第一導電型之氫化非晶矽層上;以及一第二導電型之氫化非晶矽層,位於該本徵氫化非晶矽層上,其中該第一導電型為N型;該第二導電型為P型。 5.如申請專利範圍第1項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第二波段光感測器與該第三波段光感測器在同一高度(level)。 6.如申請專利範圍第1項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第二波段光感測器與該第三波段光感測器在不同高度。 7.如申請專利範圍第3項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該透明上電極之材質包括透明導電氧化物,該下電極之材質包括金屬。 8.如申請專利範圍第1項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第二波段光感測器與該第三波段光感測器位於多數個金屬內連線的多數個最頂層金屬層之上,且各該下電極與對應的各該金屬內連線電性連接。 9.如申請專利範圍第8項所述之結合紅外線感測功能之多波段光感測器,其中該第一波段光感測器完全覆蓋該紅外線感測結構,該第一波段光感測器的一第二部分未與該第二波段光感測器重疊,且該第二部分透過一介層窗與該些最頂層金屬層其中之一電性連接。


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
201511240 結合紅外線感測功能之多波段光感測器及其製造方法 鉅晶電子股份有限公司 MAXCHIP ELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行一路18號 TW
I310258 具電感電流檢測功能之直流/直流轉換器與其轉換方法 凹凸科技國際股份有限公司 O2MICRO INTERNATIONAL LIMITED 英屬蓋曼群島
200721648 具電感電流檢測功能之直流/直流轉換器與其轉換方法 凹凸科技股份有限公司 O2MICRO, INC. 美國
201546690 具有接近感應功能之電容式觸控面板及其掃描方法 義隆電子股份有限公司 ELAN MICROELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學工業園區創新一路12號 TW
I447670 具有高速傳輸功能之基板管理控制器及其傳輸方法 信驊科技股份有限公司 ASPEED TECHNOLOGY INC. 新竹市科學園區工業東四路15號2樓 TW
I308131 具三維微結構之生物微粒抓取器及其製造方法 南台科技大學 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 臺南縣永康市南台街1號
I236236 具有直流偏移補償功能之直接轉換接收器及其補償方法 威盛電子股份有限公司 VIA TECHNOLOGIES, INC. 臺北縣新店市中正路533號8樓
I223218 具有平行於閘極線之電力線的有機電致發光顯示器及其製造方法 LG菲利普液晶顯示股份有限公司 LG. PHILIPS LCD CO., LTD. 韓國
575887 微機電結構(MEMS)切換之步階可變電容器及其製造方法 英特爾公司 INTEL CORPORATION 美國
573062 具優異耐壓磨損性與耐線圈變形性之表面處理金屬板及其製造方法 新日本製鐵股份有限公司 NIPPON STEEL CORPORATION 日本
550911 具數位式頻率偏移補償功能之FSK/GFSK訊號接收器及其接收方法 瑞昱半導體股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區工業東九路二號
541775 具有改良包層結構之導波模雷射裝置及其製造方法 HRL實驗室LLC 美國
525005 具有軸線偏移補償之複曲面隱形眼鏡及其製造方法和裝置 壯生和壯生視覺產品公司 美國
478082 用以測試半導體裝置之具有大型積體電路側接觸片及測試板側接觸片的接觸器及其製造方法 富士通股份有限公司 日本
451111 具感光性之糊料、電漿顯示器及其製造方法 東麗股份有限公司 日本
141022 包括燒結的碳化矽陶瓷坯體之電絕緣陶瓷材料及其製造方法 肯納克特公司 美國
201440777 具有抗菌功能之玻尿酸奈米銀粒子、其製造方法及其抗菌配方 亞洲大學 ASIA UNIVERSITY 臺中市霧峰區柳豐路500號 TW
201406019 具有過電流保護功能的多相開關轉換器及其控制方法 茂力科技股份有限公司 MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC. 美國 US
201303789 具有高速傳輸功能之基板管理控制器及其傳輸方法 信驊科技股份有限公司 ASPEED TECHNOLOGY INC. 新竹市科學園區工業東四路15號2樓 TW

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統