發光二極體封裝 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
申請人· 首爾半導體股份有限公司 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. 南韓 KR


專利信息

專利名稱 發光二極體封裝
公告號 I517458
公告日 2016/01/11
證書號 I517458
申請號 2012/03/01
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 姜都瀅 KANG, DO HYOUNG; 金墺石 KIM, OH SUG
申請人 首爾半導體股份有限公司 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. 南韓 KR
代理人 詹銘文
優先權 南韓 10-2011-0018519 20110302
參考文獻 US6054716; US2008/0316741A1; US2010/0133560A1
審查人員 王人毅

專利摘要

本發明一實施例提出一種發光二極體封裝。發光二極體封裝包括一第一導線架,其包括形成於其中的一第一洞杯,一第二導線架,其包括形成於其中的一第二洞杯以及面向第一導線架配置之第二導線架,且一間隙位於第一導線架與第二導線架之間。第一發光二極體晶片配置於第一洞杯上,且第二發光二極體晶片配置於第二洞杯上。第一導線架及第二導線架具有一第一擴大區域與一第二擴大區域,第一擴大區域以及第二擴大區域跟與其相鄰之多個區域相較分別具有一較大面積,第一擴大區域與第二擴大區域分別形成於間隙與第一洞杯之間以及間隙與第二洞杯之間。


專利範圍

1.一種發光二極體封裝,包括:一第一導線架,包括形成於其中的一第一洞杯;一第二導線架,包括形成於其中的一第二洞杯,該第一洞杯與該第二洞杯相互分離,該第二導線架面向該第一導線架配置,且一間隙位於該第一導線架與該第二導線架之間;一第一發光二極體晶片,配置於該第一洞杯上;以及一第二發光二極體晶片,配置於該第二洞杯上,該第一導線架及該第二導線架具有一第一擴大區域與一第二擴大區域,該第一擴大區域以及該第二擴大區域跟與其相鄰之多個區域相較分別具有一較大面積,該第一擴大區域與該第二擴大區域分別形成於該間隙與該第一洞杯之間以及該間隙與該第二洞杯之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝,其中該第一擴大區域與該第二擴大區域藉由一彎曲形之該間隙或一斜線形之該間隙所形成。 3.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝,其中從該第一發光二極體晶片延伸的一焊線之一端與該第二擴大區域接合,且從該第二發光二極體晶片延伸的一焊線之一端與該第一擴大區域接合。 4.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝,其中該第一擴大區域或該第二擴大區域包括一齊納二極體。 5.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝,其中該第一擴大區域以一斜對角方向面向該第二擴大區域,且該間隙位於該第一擴大區域與該第二擴大區域之間。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統