結晶太陽能電池,其製造方法與太陽能電池模組之製造方法
申請人· 首德太陽能股份有限公司 SCHOTT SOLAR AG 德國 DE


專利信息

專利名稱 結晶太陽能電池,其製造方法與太陽能電池模組之製造方法
公告號 I517427
公告日 2016/01/11
證書號 I517427
申請號 2010/09/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 納蓋爾 漢寧 NAGEL, HENNING
申請人 首德太陽能股份有限公司 SCHOTT SOLAR AG 德國 DE
代理人 賴經臣; 宿希成
優先權 德國 10 2009 044 052.6 20090918
參考文獻 TW200717619A; CN101044630A; CN101133500A; JP平2-01972A; WO2008115814A2; WO2007/022955A1; WO2008/072828A
審查人員 楊子賢

專利摘要

本發明係有關於一種結晶太陽能電池,其包括一正面N型摻雜區、一背面P型摻雜區、一正面接點、一背面接點及至少一由SiN構成之正面第一層。為了減輕並聯電阻的衰退程度,本發明建議如下:該第一層與該N型摻雜區之間設有一第二層,該第二層由SiN、SiOx、Al2Ox、SiOxNy:Hz、a-Si:H、TiOx中的至少一種材料構成或含有該材料,且該第二層經摻雜處理以形成多個雜質中心。


專利範圍

1.一種結晶太陽能電池,包括一正面N型摻雜區、一背面P型摻雜區、一正面接點、一背面接點及至少一由SiN構成或含SiN之正面第一層如抗反射層,其特徵在於,在該第一層與該N型摻雜區之間設有一第二層,該第二層由SiN、SiOx、Al2Ox、SiOxNy:Hz、a-Si:H、TiOx中的至少一種材料構成或含有該材料,並且該第二層經摻雜處理以形成多個雜質中心,其中,該第一層製成後被加載有正及/或負電荷載流子。 2.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,由SiN構成或含SiN之該第二層的折射率n為n2。 3.如申請專利範圍第2項之太陽能電池,其中,由SiN構成或含SiN之該第二層的折射率n為2.1n3.0。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之太陽能電池,其中,由SiN構成或含SiN之該第二層的矽氮比為1至2.2,H原子濃度超過10%。 5.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,該等電荷載流子之表面電荷密度>1‧10 12 /cm 2 。 6.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,製成該太陽能電池後,在一規定時間內對該太陽能電池施加一負電壓Un。 7.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,製成該太陽能電池後,在該太陽能電池上加載正電荷。 8.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,該第一層或一分佈於該第一層上之絕緣層上設有一導電且至少部分光學透明的第三層,該第三層若設在該第一層上則與該正面接點導電相連,若設在該絕緣層上則與該正面接點或該背面接點導電相連。 9.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,該第二層之厚度D2為1nmD250nm。 10.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,該第二層為一SiOx層,由該N型摻雜區構成。 11.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,該第二層摻雜有P、N、Sb、Bi、C、O、B、Al、Ga、In、Tl、Cu、V、W、Fe、Cr中的至少一種元素。 12.如申請專利範圍第8項之太陽能電池,其中,該第三層由氧化銦錫或氧化鋅構成或含有氧化銦錫或氧化鋅。 13.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,若該第二層由不同於SiN之其他材料構成,則該第一層之折射率為n2.0。 14.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中,若該第二層由SiN構成或含有SiN,則該第一層之折射率小於該第二層之折射率。 15.如申請專利範圍第1項之太陽能電池,其中


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