玻璃蝕刻製程



  • 光電用光學玻璃蝕刻製程

    公告號:200508166 - 陳賢文 CHEN, HSIEN-WEN 新竹縣寶山鄉寶山路316號

    1.一光電用光學玻璃蝕刻之製程,係包括:於一光學預先裁切玻璃原材,以抗腐蝕之平板作為蝕刻製程所需之罩幕。利用一治具對位,將預裁之光學玻璃排列於抗腐蝕之平板上,經過一連串之多層次之堆疊對位,將頭、尾兩面以夾具加壓固定後,置入於蝕刻槽中,進行等向性蝕刻,在達到所需蝕刻程度後,置入清水槽中將蝕刻製程停止。

  • 一種玻璃蝕刻製程方法

    公告號:201033147 - 仕貫真空科技股份有限公司 桃園縣中壢市松江北路22號 TW

    1.一種玻璃蝕刻製程方法,主要包括:主要包括:入口端、蝕刻槽、市水槽、R.O純水槽、風乾槽、出口端,於各槽設置輸送輪軸,其係將一玻璃經由入口端送進蝕刻槽蝕刻,蝕刻後之玻璃傳送至市水槽經由自來水將蝕刻液沖洗一次,再傳送R.O純水槽利用已過濾無雜質之純水再一次清洗玻璃表面,再將清洗後之玻璃傳送至風乾槽,

  • 旋塗式玻璃回蝕刻製程

    公告號:373234 - 聯華電子股份有限公司 新竹科學工業園區工業東三路三號

    1.一種旋塗式玻璃回蝕刻製程,應用在半導體製程平坦化技術中,改善內金屬介電層之平坦化製程,該製程步驟包括: 步驟A.提供一已完成第一層金屬層沉積的晶片; 步驟B.沉積一層多矽氧化層; 步驟C.覆蓋旋塗式玻璃; 步驟D.固化熱處理; 步驟E.作離子植入,使旋塗式玻璃內縮; 步驟F.作旋塗式玻璃的回蝕刻

  • 利用經表面處理過之旋塗式玻璃層來改善介層濕式蝕刻製程的寬容度之方法

    公告號:409345 - 華邦電子股份有限公司 新竹巿科學工業園區研新三路四號

    1.一種半導體結構包含: 一經過表面處理(surface treatment)之旋塗式玻璃(spin-on glass)層,形成於一半導體基 材之上; 一氧化矽層,形成並覆蓋於該旋塗式玻璃層上;以及 一介層開口(via opening),該介層開口係形成在一預定位置並且藉由在該預定位置處蝕穿 該氧化

  • 形成半導體鑲嵌結構之蝕刻製程

    公告號:200300280 - 聯華電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區工業東三路三號

    1.1.一種溝槽結構的形成方法,該溝槽結構的形成方法包含下列步驟:提供一半導體底材;依序形成一碳矽化物層與一矽氧化物層於該半導體底材上;蝕刻該矽氧化物層直到暴露該碳矽化物層之部分表面為止,並形成一開口於該碳矽化物層上;進行一破除製程以去除殘留於該碳矽化物層與該矽氧化物層表面之聚合物殘餘物質與氧化物質

  • 介電層之選擇性蝕刻製程

    公告號:200300980 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.1.一種蝕刻介電結構的方法,至少包含:提供一介電結構,其至少包含(a)一未摻雜之氧化矽或摻雜氟之氧化矽的第一介電層;以及(b)一摻雜碳氫之氧化矽的第二介電層;以及於一電漿蝕刻步驟中蝕刻該介電結構,其中該電漿蝕刻步驟係使用包含氮原子與氟原子之一電漿源氣體來執行,且其中該第二介電層係相對於該第一介電

  • 薄介電層閘極金屬之高選擇性及無殘餘物蝕刻製程

    公告號:200303053 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.1.一種蝕刻一基材的方法,至少包含以下步驟:一主蝕刻步驟,包含將該基材暴露在一來自一第一氣體混合物的電漿中;一軌著陸(soft landing)步驟,包含將該基材暴露在一來自一第二氣體混合物的電漿中;以及一過蝕刻步驟,包含將該基材暴露在一來自一第三氣體混合物的電漿中,其中該軟著陸步驟在蝕刻該基材

  • 金屬蝕刻製程之控制方法及施行該方法之系統

    公告號:200305002 - 高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 美國

    1.1.一種方法,包括:提供光學特徵跡線資料庫,該資料庫之每個跡線均對應於由複數個具有已知輪廓之傳導內連線(conductive inter connects)組成的光柵結構(grating structure);提供一基材,該基材上方形成有至少一光柵結構,該已形成之光柵結構係由複數個具有未知輪廓的

  • 特別適用於銅雙鑲嵌結構之系統級原位整合介電蝕刻製程

    公告號:200305948 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.1.一種在一具有第一和第二反應室的多反應室基材製程系統中執行的整合蝕刻製程,該製程包含:將一基材傳送到該第一反應室中,其中該基材由上至下形成有一圖案化的光阻光罩、一介電層以及一阻障層;在該第一反應室中蝕刻該介電層以將該圖案轉移至該介電層內,其中該蝕刻製程係以一種可促進聚合物形成在該第一反應室內表

  • 控制一凹槽蝕刻製程的方法

    公告號:200405501 - 泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION 美國

    1.一種控制凹槽蝕刻製程之方法,包含:對於一具有溝槽於其中及一沈積於溝槽中之材料柱的多層基底,藉由以下步驟以決定從基底之一表面至基底中之一參考點的第一尺寸:獲得其包含溝槽之基底的至少一部分之量測的淨反射比光譜;計算基底之部分之模擬的淨反射比光譜以成為來自其構成基底之部分的n[圖]1不同區之反射比的加

  • 蝕刻液之再生製程、蝕刻製程、以及蝕刻系統

    公告號:200405458 - m FSI股份有限公司 M. FSI LTD. 日本

    1.一種使含磷酸溶液之蝕刻液再生的製程,該蝕刻液已於一蝕刻槽中蝕刻氮化矽薄膜,其包括下列步驟:將該蝕刻液移出該蝕刻槽,其中該蝕刻液包含該蝕刻中所產生之矽化物,加水於該移出的蝕刻液中以稀釋該蝕刻液中之磷酸濃度至80-50wt.%;以及藉由降低該蝕刻液中的磷酸濃度以沉澱該矽化物並將之從該蝕刻液中移除。

  • 乾蝕刻製程中抗腐蝕性佳之噴嘴頭及其抗腐蝕之方法

    公告號:200408453 - 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路一號

    1.一種可抗腐蝕之噴嘴頭,用於一乾式蝕刻機台以噴出一氣體,該噴嘴頭包括:一鋁基座;及一陶瓷噴孔板,嵌於該鋁基座上,該陶瓷噴孔板具有複數個噴孔,以噴出該氣體。 2.如申請專利範圍第1項所述之噴嘴頭,其中該鋁基座為一十字形鋁材。 3.如申請專利範圍第1項所述之噴嘴頭,其中該陶瓷噴孔板為十字形。 4.如申

  • 電漿蝕刻製程終點偵測方法及設備

    公告號:200414347 - 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本

    1.一種電漿蝕刻製程終點偵測方法,用以偵測電漿處理系統中之製程之終點,該偵測方法包含以下步驟:開始該製程;測量至少一終點信號;藉由將一Savitsky Golay濾波器應用至該至少一終點信號來產生至少一濾過終點信號;以及從該至少一濾過終點信號決定該製程之一終點。 2.如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕

  • 晶圓蝕刻製程控制線寬均勻度的方法

    公告號:200415721 - 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區園區三路一二一號

    1.一種增進大尺寸晶圓蝕刻製程線寬(CD)均勻度(uniformity)之方法,該方法至少包含下列步驟:建立靜電吸附座(ESC)之溫度梯度變化與線寬的一關係圖;提供一晶圓,其中該晶圓上的晶片(chip)結構已具有由下而上依序為導體層,絕緣層,和定義導線圖案的光阻層;進行顯影後檢查(After Dev

  • 分時多工的蝕刻製程中之終點偵測

    公告號:200416875 - 尤那西斯美國公司 UNAXIS USA, INC. 美國

    1.一種用於建立電漿蝕刻製程中的終點之方法,該方法係包含下列步驟:置放一基板於一真空室之中;藉由一電漿而蝕刻自該基板而來之一材料;藉由一電漿而沉積一鈍化層於該基板;執行重複該蝕刻步驟與沉積步驟之一製程迴路;以一製程施加頻率而監視於一電漿放射強度中之變化;基於該監視步驟而中斷該製程迴路步驟;及自該真空