玻璃蝕刻製程



  • 一種玻璃蝕刻製程方法

    公告號:201033147 - 仕貫真空科技股份有限公司 桃園縣中壢市松江北路22號 TW

    1.一種玻璃蝕刻製程方法,主要包括:主要包括:入口端、蝕刻槽、市水槽、R.O純水槽、風乾槽、出口端,於各槽設置輸送輪軸,其係將一玻璃經由入口端送進蝕刻槽蝕刻,蝕刻後之玻璃傳送至市水槽經由自來水將蝕刻液沖洗一次,再傳送R.O純水槽利用已過濾無雜質之純水再一次清洗玻璃表面,再將清洗後之玻璃傳送至風乾槽,

  • 光電用光學玻璃蝕刻製程

    公告號:200508166 - 陳賢文 CHEN, HSIEN-WEN 新竹縣寶山鄉寶山路316號

    1.一光電用光學玻璃蝕刻之製程,係包括:於一光學預先裁切玻璃原材,以抗腐蝕之平板作為蝕刻製程所需之罩幕。利用一治具對位,將預裁之光學玻璃排列於抗腐蝕之平板上,經過一連串之多層次之堆疊對位,將頭、尾兩面以夾具加壓固定後,置入於蝕刻槽中,進行等向性蝕刻,在達到所需蝕刻程度後,置入清水槽中將蝕刻製程停止。

  • 利用經表面處理過之旋塗式玻璃層來改善介層濕式蝕刻製程的寬容度之方法

    公告號:409345 - 華邦電子股份有限公司 新竹巿科學工業園區研新三路四號

    1.一種半導體結構包含: 一經過表面處理(surface treatment)之旋塗式玻璃(spin-on glass)層,形成於一半導體基 材之上; 一氧化矽層,形成並覆蓋於該旋塗式玻璃層上;以及 一介層開口(via opening),該介層開口係形成在一預定位置並且藉由在該預定位置處蝕穿 該氧化

  • 旋塗式玻璃回蝕刻製程

    公告號:373234 - 聯華電子股份有限公司 新竹科學工業園區工業東三路三號

    1.一種旋塗式玻璃回蝕刻製程,應用在半導體製程平坦化技術中,改善內金屬介電層之平坦化製程,該製程步驟包括: 步驟A.提供一已完成第一層金屬層沉積的晶片; 步驟B.沉積一層多矽氧化層; 步驟C.覆蓋旋塗式玻璃; 步驟D.固化熱處理; 步驟E.作離子植入,使旋塗式玻璃內縮; 步驟F.作旋塗式玻璃的回蝕刻

  • 圖案化藍寶石基板之蝕刻製程用承載盤

    公告號:M496226 - 梁志煒 新竹市柯湳一街80巷22號 TW

    1.一種圖案化藍寶石基板之蝕刻製程用承載盤,其包括有:一承載盤,該承載盤為石英材質所一體成型,且該承載盤具有一上端面與一下端面,又該貫穿該上、下端面有至少一容置口,且該承載盤於上端面向容置口中心凸設有複數個接觸點,另該承載盤於鄰近下端面的容置口內周緣形成有一結合段;一托盤,該托盤為鋁合金材質所製成,

  • 圖案化藍寶石基板之蝕刻製程用承載盤

    公告號:M476363 - 梁志煒 新竹市柯湳一街80巷22號 TW

    1.一種圖案化藍寶石基板之蝕刻製程用承載盤,其包括有:一承載盤,該承載盤為石英材質所一體成型,且該承載盤具有一上端面與一下端面,又該貫穿該上、下端面有至少一容置口,且該承載盤於上端面向容置口中心凸設有複數個接觸點;以及一托盤,該托盤為鋁合金材質所製成,該托盤呈圓盤狀並於外周緣形成有一結合部,又該托盤

  • 自玻璃硬化製程所產生之廢棄物中純化硝酸鉀的設備

    公告號:M447263 - 國立虎尾科技大學 NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY 雲林縣虎尾鎮文化路64號 TW

    1.一種自玻璃硬化製程所產生之廢棄物中純化硝酸鉀的設備,該廢棄物為固態且包含有硝酸鉀以及硝酸鈉,該純化硝酸鉀的設備包含有:一第一純化裝置,該第一純化裝置包含有:一純化槽,具有一底部、一連接該底部之周壁、以及一由該底部與該周壁界定且用以容裝固態廢棄物之容室;一加熱器,設置於該純化槽的底部,用以將該固態

  • 用於軟性基板蝕刻製程的載台

    公告號:M386597 - 台郡科技股份有限公司 FLEXIUM INTERCONNECT, INC. 高雄縣大寮鄉大發工業區莒光一街23號 TW

    1.一種用於軟性基板蝕刻製程的載台,其主要係包含一基座以及一組設於基座上的板材弧曲作用載體,用以安裝於蝕刻液噴灑頭下方,使軟性基板通過該板材弧曲作用載體時形成中央高於兩側邊的弧曲狀。2.如申請專利範圍第1項所述之用於軟性基板蝕刻製程的載台,其中,該板材弧曲作用載體為一片上表面具有中央較高、兩側邊

  • 流體施加器及玻璃清潔製程

    公告號:I522183 - 康寧公司 CORNING INCORPORATED 美國 US

    1.一種從一玻璃板清除微粒之方法,包含:支撐一玻璃板;從一噴嘴朝該玻璃板噴射流體,其中該流體以10公斤重/平方公分至80公斤重/平方公分之一壓力、與從1公升/分至20公升/分之一流率傳送至該噴嘴;以及使該玻璃板與該噴嘴之間沿一運送方向產生一相對運動。2.如請求項1所述之方法,其中該相對運動使得該

  • 包含溼蝕刻製程以移除氮化矽之半導體結構形成方法

    公告號:I517251 - 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US

    1.一種製造積體電路裝置之方法,係包含:提供包含形成於半導體層中及該半導體層上方之電晶體的半導體結構,該電晶體包含閘極電極、形成於該閘極電極的氮化矽側壁間隔體、以及位於該氮化矽側壁間隔體與該閘極電極之間並位於該氮化矽側壁間隔體下方之襯裡層,其中,該氮化矽側壁間隔體之至少一個懸突係形成於該半導體層之暴

  • 高壓斜角蝕刻製程

    公告號:I508163 - 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION 美國 US

    1.一種半導體基板之斜角邊緣蝕刻方法,該方法係利用斜角蝕刻器中之電漿,其中該半導體基板係受支撐於半導體基板支持部上,該方法包含:斜角邊緣蝕刻步驟,在該斜角蝕刻器中,利用該電漿對該半導體基板進行斜角邊緣蝕刻,同時將斜角蝕刻器排空至3到100Torr之壓力;及利用一VCI探針監視晶圓電壓,及將由該VCI

  • 一種蝕刻製程中保護膜組成物之使用方法

    公告號:I492998 - 聯致科技股份有限公司 ADVANCE MATERIALS CORPORATION 桃園市蘆竹區南山路2段498之2號 TW

    1.一種蝕刻製程中保護膜組成物之使用方法,係包括:於待進行蝕刻製程之物件表面以印刷方式分散保護膜組成物,其中,該保護膜組成物係包括紫外光固化樹酯,係包含感光性寡聚物及反應性單體;氟化樹脂,其中,相對於該紫外光固化樹酯100重量份,該氟化樹脂之含量為5至200重量份;以及光起始劑,其中,相對於該紫外光

  • 有色玻璃及其製程

    公告號:I492910 - 鉅永真空科技股份有限公司 JUANT TECHNOLOGY CO., LTD. 臺南市安定區港南里港口240之7號 TW

    1.一種有色玻璃,至少包含:一基板,該基板藉有一砂材對該基板之一表面進行噴砂處理,以使得該基板至少具有一粗糙面,該有色玻璃藉由該粗糙面以降低光反射率,其中該基板之材質為玻璃,該粗糙面之平均表面粗糙度為0.7微米至4.5微米;具有一顏色之一顯色層,該顯色層位於該基板之該粗糙面上,該有色玻璃藉由該顯色層

  • 雙重圖案化蝕刻製程

    公告號:I492298 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種雙重圖案化蝕刻方法,該方法包含以下步驟:(a)在一基板上形成複數個雙重圖案化特徵結構,其透過以下步驟達成:(i)在該基板上形成至少一個介電層:(ii)在該基板上形成複數個第一阻劑(resist)特徵結構,該等第一阻劑特徵結構間隔開以形成多個第一開口;(iii)在(ii)之後,於每一第一開口中

  • 用於執行多光阻層顯影與蝕刻製程的方法與設備

    公告號:I489521 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種用於在一基板上形成多個特徵的方法,該方法包含:傳送一基板至一處理腔室中,其中該基板具有一光敏層,該光敏層具有多個曝露區域與多個非曝露區域;由一第一氣體混合物所形成的一電漿中擷取出多個電子;利用由形成在該第一氣體混合物中的該電漿所擷取出的該些電子來顯影該光敏層中的該些曝露區域;由供應至該處理腔