發光晶體之多晶封裝結構 PACKAGING STRUCTURE FOR PLURAL BARE CHIP
申請人· 建準電機工業股份有限公司 SUNONWEALTH ELECTRIC MACHINE INDUSTRY CO., LTD. 高雄市苓雅區中正一路120號12樓之1 TW


專利信息

專利名稱 發光晶體之多晶封裝結構
公告號 I517452
公告日 2016/01/11
證書號 I517452
申請號 2011/03/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 蔡宗翰 TSAI, CHONG HAN
申請人 建準電機工業股份有限公司 SUNONWEALTH ELECTRIC MACHINE INDUSTRY CO., LTD. 高雄市苓雅區中正一路120號12樓之1 TW
代理人 黃耀霆
優先權
參考文獻 US2005/0185419A1; US2007/0141739A1; US2009/0146155A1; US2009/0315057A1
審查人員 陳聖

專利摘要

一種發光晶體之多晶封裝結構,係包含:一基板、數個發光晶體及一透明導光件。該基板具有一承載表面;該數個發光晶體設置於該承載表面上;該透明導光件包覆該數個發光晶體,該透明導光件在背向該承載表面的一側設有一出光表層,且該出光表層具有一聚光微結構。或者,另包含一反光層設置於該基板之承載表面上且被包覆於該透明導光件內。藉此,可提供具有高出光效率、高排熱效果及低製造成本之發光晶體封裝結構。


專利範圍

1.一種發光晶體之多晶封裝結構,係包含:一基板,具有一承載表面;數個發光晶體,設置於該承載表面上;一反光層,設置於該基板之承載表面上且鄰近各該發光晶體;一透明導光件,包覆該數個發光晶體及該反光層,該透明導光件在背向該承載表面的一側設有一出光表層,且該出光表層具有一聚光微結構;其中,該聚光微結構包含數個凸脊,各該凸脊之峰部的夾角係界於該透明導光件之材質的全反射臨界角正負10度的兩倍之間,該透明導光件之最大高度不大於任一該發光晶體之高度的20倍。 2.依申請專利範圍第1項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件完全包覆該反光層且結合於該基板之承載表面。 3.依申請專利範圍第1項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件部份包覆該反光層,該反光層沿該承載表面延伸至該透明導光件之外。 4.依申請專利範圍第1項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件之材質的折射率為1.42,該凸脊之峰部的夾角為90度。 5.依申請專利範圍第1項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件之材質的折射率為1.5,該凸脊之峰部的夾角為78度。 6.一種發光晶體之多晶封裝結構,係包含:一基板,具有一承載表面;一反光層,設置於該基板之承載表面上且具有數個通孔;數個發光晶體,位於該反光層上且對應設置於該數個通孔;一透明導光件,包覆該發光晶體及該反光層,該透明導光件在背向該承載表面的一側設有一出光表層,且該出光表層具有一聚光微結構;其中,該聚光微結構包含數個凸脊,各該凸脊之峰部的夾角係界於該透明導光件之材質的全反射臨界角正負10度的兩倍之間,該透明導光件之最大高度不大於任一該發光晶體之高度的20倍。 7.依申請專利範圍第6項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件完全包覆該反光層且結合於該基板之承載表面。 8.依申請專利範圍第6項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件部份包覆該反光層,該反光層沿該承載表面延伸至該透明導光件之外。 9.依申請專利範圍第6項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件之材質的折射率為1.42,該凸脊之峰部的夾角為90度。 10.依申請專利範圍第6項所述之發光晶體之多晶封裝結構,其中該透明導光件之材質的折射率為1.5,該凸脊之峰部的夾角為78度。 11.一種發光晶體之多晶封裝結構,係包含:一基板,具有一承載表面;數個發光晶體,設置於該承載表面


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