具較佳機械和熱機械效能的銲錫凸塊內連線 SOLDER BUMP INTERCONNECT FOR IMPROVED MECHANICAL AND THERMO MECHANICAL PERFORMANCE
申請人· 飛立帕奇帕國際股份有限公司 FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC 美國 US


專利信息

專利名稱 具較佳機械和熱機械效能的銲錫凸塊內連線
公告號 I517324
公告日 2016/01/11
證書號 I517324
申請號 2008/04/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 阿瓦拉多雷能坦 ALVARADO, REYNANTE; 陸原 LU, YUAN; 瑞柏恩理查 REDBURN, RICHARD
申請人 飛立帕奇帕國際股份有限公司 FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC 美國 US
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權 美國 60/913,337 20070423 美國 12/107,009 20080421
參考文獻 WO2006/050127A2
審查人員 黃泰淵

專利摘要

本發明揭露一種用以製造在輸入/輸出(IO)上具有凸塊之結構的半導體封裝方法與裝置,該裝置包含裝置墊、凸塊下方金屬墊(UBM)、聚合物以及鈍化層。裝置墊從其中心到外邊緣的最短距離比上UBM從其中心到外邊緣之最短距離的比例範圍係從0.5:1至0.95:1。此外,該聚合物從其中心到外邊緣的最短距離比上UBM從其中心到外邊緣之最短距離的比例範圍則從0.35:1至0.85:1。再者,該鈍化層從其中心到外邊緣的最短距離比上該UBM從其中心到外邊緣之最短距離的比例範圍係從0.35:1至0.80:1。


專利範圍

1.一種半導體封裝件,包含:一裝置墊,該裝置墊直接位於一半導體基板上;一鈍化層,該鈍化層沉積於該裝置墊及該半導體基板上方,且該鈍化層具有一鈍化開口,其中局部移除該鈍化層以暴露出下方的該裝置墊;一聚合物層,該聚合物層沉積於該鈍化層上方,且該聚合物層具有一聚合物開口,其中局部移除該聚合物層以暴露出下方的該裝置墊及該鈍化層;及一凸塊下方金屬墊(UBM),該凸塊下方金屬墊沉積於該聚合物層上方且經由該聚合物開口沉積於該裝置墊上;其中該裝置墊之一直徑比上該凸塊下方金屬墊之一直徑的比例範圍係從0.5:1至0.95:1,且其中該聚合物層中的該開口之一直徑比上該凸塊下方金屬墊之該直徑的比例範圍係從0.35:1至0.85:1。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該鈍化層中的該開口之一直徑比上該凸塊下方金屬墊之該直徑的比例範圍係從0.35:1至0.80:1。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中熱應力與機械應力所帶來的力量更平均地分佈於一整個輸入輸出(IO)上覆凸塊結構。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該裝置墊、該凸塊下方金屬墊、該聚合物層以及該鈍化層採用圓形幾何形狀。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該裝置墊、該凸塊下方金屬墊、該聚合物層以及該鈍化層採用方形幾何形狀。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該聚合物層為聚醯亞胺(polyimide)。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該聚合物層為苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)。 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件,其中該聚合物層為聚苯并噁唑(polybenzoxazole)。 9.一種半導體封裝件,包含:一裝置墊,該裝置墊位於一基板上;一第一聚合物層,該第一聚合物層在該基板上方,該第一聚合物層具有一開口以暴露出該裝置墊;一重分佈層(RDL),該重分佈層包括一停靠墊,該重分佈層設置於該第一聚合物層上且導電耦合至該裝置墊;一第二聚合物層,該第二聚合物層位於該重分佈層上;及一凸塊下方金屬墊(UBM),該凸塊下方金屬墊在該停靠墊上且延伸至該第二聚合物層之一頂面上,其中該凸塊下方金屬墊經由該第二聚合物層中的一開口而電連接至該停靠墊;其中該停靠墊之一直徑比上該凸塊下方金屬墊之一直徑的比例範圍係從0.5:1至0.95:1。 10.如申


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
200901413 具較佳機械和熱機械效能的銲錫凸塊內連線 飛立帕奇帕國際股份有限公司 FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC 美國
200612485 使用化學機械研磨法及多重研磨平台之化學機械研磨法製造半導體元件之內連線結構的方法及具有內連線材料之半導體元件 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
M350860 具較佳特性阻抗及高訊號傳輸品質之傳輸線 天瑞企業股份有限公司 TENNRICH INTERNATIONAL CORP. 桃園縣蘆竹鄉新南路1段305巷5弄1之3號
I265568 使用化學機械研磨法及多重研磨平台之化學機械研磨法製造半導體元件之內連線結構的方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
I417527 具絕佳靈敏度及省電效能之胎壓偵測器系統 矽谷微電腦股份有限公司 SILICON VALLEY MICRO C CORPORATION 美國 US
I380290 光碟機及增進光碟機之指令執行效能的方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
535055 具有自檢測和自修復功能的應用程式 英業達股份有限公司 臺北市士林區後港街六十六號
201013647 光碟機及增進光碟機之指令執行效能的方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
200837338 具絕佳靈敏度及省電效能之胎壓偵測器系統 矽谷微電腦股份有限公司 SILICON VALLEY MICRO C CORPORATION 美國
I456673 具有銲接凸塊之配線基板的製造方法 日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD. 日本 JP
I348881 附帶有零件之配線基板的製造方法、具有銲接凸塊之配線基板的製造方法及配線基板 日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD. 日本 JP
I241658 銲錫凸塊底部金屬結構之製造方法及具有多數錫銲凸塊之半導體晶圓結構 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中縣潭子鄉大豐路3段123號
201201295 具有銲接凸塊之配線基板的製造方法 日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD. 日本 JP
200929732 兼具防誤插及單卡插入功能的多合一卡片連接器 泰碩電子股份有限公司 TAI-SOL ELECTRONICS CO., LTD. 臺北市內湖區瑞光路302號3樓
200843598 附帶有零件之配線基板的製造方法、具有銲接凸塊之配線基板的製造方法及配線基板 日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD. 日本
200515514 銲錫凸塊底部金屬結構之製造方法及具有多數錫銲凸塊之半導體晶圓結構 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中縣潭子鄉大豐路3段123號
286055 具較佳散熱效果的可抽換硬式磁碟機盒(追加一) 張家豪 台北市文山區樟新路十五巷六號
237966 具較佳散熱效果的可抽換硬式磁碟機盒 張家豪 台北市文山區樟新路十五巷六號
I364040 具較佳胞穩定性之靜態隨機存取記憶體陣列及其方法 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統