利用材料處理工具與感測器數據之處理效能預測方法與系統 METHOD AND SYSTEM FOR PREDICTING PROCESS PERFORMANCE USING MATERIAL PROCESSING TOOL AND SENSOR DATA
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本


專利信息

專利名稱 利用材料處理工具與感測器數據之處理效能預測方法與系統
公告號 200402114
公告日
證書號
申請號 2003/06/27
國際專利分類號
公報卷期 02-03
發明人 惠 A 蘭姆 LAM, HIEU A.;岳紅宇 YUE, HONGYU;約翰 希瑞納 SHRINER, JOHN
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本
代理人 周良謀
優先權 美國 60/391,965 20020628
參考文獻
審查人員

專利摘要

包含著一處理工具與一處理效能預測系統的一種材料處理系統。該效能預測系統包含有感測器,其連接著該處理工具以便測量工具數據;與一控制器,其連接著該感測器以便接收工具數據,該控制器係建構成使用工具數據來為該工具預測處理效能。亦提供有一種使用一處理效能預測模型的材料處理系統中之錯誤偵測方法。該方法包含步驟有準備工具;起始該處理工具中的一處理動作;記錄工具數據以便形成一工具數據矩陣。該方法亦包含步驟有執行該工具數據矩陣與一相關矩陣的一矩陣乘法,以便形成預測的處理效能數據,其中該相關矩陣包含有該處理效能預測模型、將該預測數據與目標數據進行比較與從該比較步驟來決定該處理系統的一錯誤狀態。


專利範圍

1.一種材料處理系統,其包含有:一處理工具;複數個感測器,其連接著該處理工具以便測量工具數據;以及,一控制器,其連接著該複數個感測器且建構成接收該工具數據,該控制器係建構成使用一處理效能預測模型、以便從該工具數據來決定預測的處理效能數據,以便將該預測處理效能數據與目標處理效能數據進行比較,且以便使用該比較來偵測一錯誤。 2.如申請專利範圍第1項的材料處理系統,其中,該處理效能數據包含有平均蝕刻深度與蝕刻深度範圍至少其中之一者。 3.如申請專利範圍第1項的材料處理系統,其中,該工具數據包含有一電容器位置、一運送廣播頻率(RF)功率、一反射RF功率、一電壓、一電流、一相、一阻抗、一RF峰對峰電壓、一RF自感直流偏壓、一室壓、一氣體流速、一溫度、一背側氣壓、一背側氣體流速、一靜電夾住電壓、一靜電夾住電流、一聚焦環厚度、RF時刻與聚焦環RF時刻至少其中之一者。 4.如申請專利範圍第1項的材料處理系統,其中,該處理效能預測模型包含有來自於一部分最小平方分析的一輸出。 5.如申請專利範圍第1項的材料處理系統,其中,當該預測處理效能數據與該目標處理效能數據間之一差異超過一臨限差異時,則該錯誤會發生。 6.一種處理效能預測系統,其包含有:複數個感測器,其能夠連接至一處理工具以便測量工具數據;以及,一控制器,其連接著該複數個感測器且建構成接收該工具數據,該控制器係建構成使用一處理效能預測模型、以便從該工具數據來決定預測的處理效能數據,以便將該預測處理效能數據與目標處理效能數據進行比較,且以便使用該比較來偵測一錯誤。 7.如申請專利範圍第6項的處理效能預測系統,其中,該處理效能數據包含有平均蝕刻深度與蝕刻深度範圍至少其中之一者。 8.如申請專利範圍第6項的處理效能預測系統,其中,該複數個感測器能夠測量包含有一電容器位置、一運送廣播頻率(RF)功率、一反射RF功率、一電壓、一電流、一相、一阻抗、一RF峰對峰電壓、一RF自感直流偏壓、一室壓、一氣體流速、一溫度、一背側氣壓、一背側氣體流速、一靜電夾住電壓、一靜電夾住電流、一聚焦環厚度、RF時刻與聚焦環RF時刻至少其中之一者的該工具數據。 9.如申請專利範圍第6項的處理效能預測系統,其中,該處理效能預測模型包含有來自於一部分最小平方分析的一輸出。 10.如申請專利範圍第6項的處理效能預測系統,其中,當該預測處理效能數據與該目標處理效能數據間之


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統