物位元儀錶



  • 具有埋設金屬矽化物位元線之金屬氧氮氧半導體(MONOS)裝置

    公告號:200400588 - 高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 美國

    1.一種形成金屬氧氮氧半導體(MONOS,metal oxide nitride oxide semiconductor)裝置之方法,該方法包括下列步驟:於基材(30)上形成電荷捕捉介電層(32);依照位元線圖案蝕刻出一貫穿該電荷捕捉介電層(32)之凹部(44);以及在該凹部(44)中形成金屬矽化物

  • 以矽化物位元線及多晶矽互連製造嵌入式垂直動態隨機存取記憶器(DRAM)陣列之結構及方法

    公告號:550751 - 萬國商業機器公司 美國 北美億恒科技公司 美國

    1.一種在半導體基材上形成記憶體陣列與支撐電晶體的方法,該方法包括: 提供一具有被一隔離區域分隔的一陣列區域與支撐區域的記憶體結構,其中該陣列區域包括許多嵌入在基材中之動態隨機存取記憶體晶元,其中相鄰的動態隨機存取記憶體晶元彼此經由位元線擴散區域相連,其中該記憶體結構以一頂端氧化物層帽蓋; 當從支撐

  • 具有埋設金屬矽化物位元線之金屬氧氮氧半導體(MONOS)裝置

    公告號:I267942 - 飛索股份有限公司 FASL, LLC 美國

    1.一種形成金屬氧氮氧半導體(MONOS, metal oxide nitride oxide semiconductor)裝置之方法,該方法包括下列步驟: 於基材(30)上形成電荷捕捉介電層(32); 依照位元線圖案蝕刻出貫穿該電荷捕捉介電層(32)之凹部(44);以及 在該凹部(44)中形成金屬

  • 雙位元氮化物唯讀記憶體

    公告號:200414515 - 聯笙電子股份有限公司 AMIC TECHNOLOGY CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區力行六路五號六樓

    1.一種雙位元氮化物唯讀記憶體(nitride read only memory,NROM),該氮化物唯讀記憶體包含有:一基底;一第一ONO介電層以及一第二ONO介電層分別設於該基底表面,且該第一ONO介電層與該第二ONO介電層之間包含有一預定區域;一第一控制閘極以及一第二控制閘極分別覆蓋於該第一O

  • 具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元、其製造方法以及讀取其記憶狀態之方法

    公告號:200415781 - 力晶半導體股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行一路十二號

    1.一種具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元,包括:一半導體基底;一第一井區,設置於該半導體基底內且具有與該半導體基底相反之電性;一第二井區,設置於該第一井區內且具有與該第一井區相反之電性;一閘極介電層,設置於該第二井區之部份表面,且該閘極介電層包含一氮化物層;一導電層,設置於該閘極介電層上並與

  • NAND型雙位元氮化物唯讀記憶體及製造方法

    公告號:200503188 - 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學園區力行路十六號

    1.一種NAND型雙位元氮化物唯讀記憶體(nitride read only memory,NROM),至少包括:一基板(substrate);複數條隔離層(isolation layer),係以相互隔開而平行之方式形成於該基板中;複數條字元線(word lines),係以相互隔開而平行之方式形成於

  • 使用位元向量指標之多維的資料物件搜尋

    公告號:200508911 - 微軟公司 MICROSOFT CORPORATION 美國

    1.一種方法,其至少包含:將一多維(MD)特徵空間中的每個維度分割為多個間隔;於每個維度中識別重疊一詢問點的一間隔;尋找一或多個連接該特徵空間且匹配所有該識別間隔的MD資料物件;及評估匹配所有該識別間隔的一第一MD資料物件以判定該第一MD資料物件是否重疊該詢問點。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法

  • 多位元硫屬化物儲存裝置

    公告號:200527423 - 力能轉換裝置公司 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC. 美國

    1.一種硫屬化物裝置,包括:一具有複數個結構狀態之硫屬化物材料,該等結構狀態包含累增狀態及灰階狀態;一與該硫屬化物材料電氣通連之第一端子;一與該硫屬化物材料電氣通連之第二端子;一與該硫屬化物材料電氣通連之第三端子;其中該硫屬化物材料包含一在一第一結構狀中之第一部分以及一在一第二結構狀態中之第二部份,

  • 補償PCI EXPRESS的位元組偏斜的方法以及其PCI EXPRESS物理層接收器

    公告號:200636492 - 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國

    1.一種PCI Express匯流排之位元組偏斜補償方法,該補償方法包括:判定多條資料流是否在一訓練序列中,每條資料流藉由一相應通道被接收;當接收的資料流在訓練序列中時,根據藉由相應通道接收的相應資料流中包括之逗號設定每一通道的對準點;以及當接收的資料流不在訓練序列中時,藉由對相應資料流增加或刪除空

  • 用於刪除硫族化合物可變電阻記憶體位元之製造方法

    公告號:200709398 - 麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國

    1.一種刪除一硫族化合物可變電阻記憶體單元之方法,該硫族化合物可變電阻記憶體單元包括至少一形成於一第一導電類型之摻雜型基板上的硫族化合物可變電阻記憶體元件,該摻雜型基板含有一第二導電類型之井,該方法包含:將一小於該基板之固定電壓的電壓施加至該硫族化合物可變電阻記憶體元件,以藉此引發一刪除電流流經該基

  • 以逐一位元組比較來搜尋及提供物件

    公告號:200719180 - 加拿大吉伊公司 ZI CORPORATION OF CANADA, INC. 加拿大

    1.一種提供資訊之方法,其包含:提供一具有至少兩個鍵之輸入裝置;將物件儲存於一資料庫中,每一物件具有一唯一位址;將指標儲存於該資料庫中,每一指標識別該等唯一位址中的至少一個,且每一指標具有一長度為至少一個位元組的識別碼;選擇該等鍵之一以提供一第一選擇;選擇該等鍵之一以提供一第二選擇;將該等選擇相關聯

  • 具有改良紀錄功能之數位多用儀錶

    公告號:200918904 - 福祿克公司 FLUKE CORPORATION 美國

    1.一種數位多用儀錶,其包含:一量測處理器,其中該量測處理器經組態以量測電或物理參數且產生量測資料;一應用處理器,其耦接至該量測處理器,其中該應用處理器經組態以:在一不活動週期之後以一減小之時脈速率操作;且在一預定事件已發生之後自該量測處理器接收量測資料;及一主記憶體,其耦接至該應用處理器用於接收該

  • 用以基於下混信號表示型態針對上混信號表示型態之供應來提供一或多個經調整參數之裝置、音訊信號解碼器、音訊信號轉碼器、音訊信號編碼器、音訊位元串流、使用物件相關參數資訊之方法與電腦程式

    公告號:201104674 - 弗勞恩霍夫爾協會 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. 德國 DE; 杜比國際公司 DOLBY I

  • 二輪機車之儀錶單元

    公告號:201111748 - 本田技研工業股份有限公司 HONDA MOTOR CO., LTD. 日本 JP

    1.一種二輪機車之儀錶單元,其包含:儀錶外殼(102、106);儀器刻度盤(110),其設置於上述儀錶外殼(102、106)內;數位顯示部(95、96),其等設置於上述刻度盤(110);以及透鏡(107),其安裝於上述儀錶外殼(102、106),並且覆蓋上述刻度盤(110)之上表面而構成顯示面區域;

  • 音訊信號解碼器、音訊信號編碼器、用以提供上混信號表示型態之方法、用以提供下混信號表示型態之方法、電腦程式及使用共用物件間互相關參數值之位元串流

    公告號:201120874 - 弗勞恩霍夫爾協會 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. 德國 DE; 杜比國際公司 DOLBY I

    1.一種用以基於一下混信號表示型態及一物件相關參數資訊並依一渲染資訊而定來提供一上混信號表示型態之音訊信號解碼器,該裝置包含:一物件參數決定器,其組配來獲得複數對音訊物件的物件間互相關值,其中該物件參數決定器組配來評估一位元串流信令參數以便決定是評估個別物件間互相關位元串流參數值來獲得複數對相關音訊