片狀樹脂組合物、背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物、切晶帶一體型片狀樹脂組合物、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
申請人· 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 片狀樹脂組合物、背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物、切晶帶一體型片狀樹脂組合物、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
公告號 201504345
公告日
證書號
申請號 2014/05/27
國際專利分類號
公報卷期 13-03
發明人 花園博行 HANAZONO, HIROYUKI; 高本尚英 TAKAMOTO, NAOHIDE; 盛田浩介 MORITA, KOSUKE; 福井章洋 FUKUI, AKIHIRO
申請人 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION 日本 JP
代理人 陳長文
優先權 日本 2013-118009 20130604
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明係關於一種片狀樹脂組合物,其係用於被接著體與覆晶連接於被接著體上之半導體元件之界面密封者,並且以10℃/min之升溫速度自25℃升溫至300℃時之重量減少率為2%以下,藉由卡氏法測得之吸濕率為1%以下,於相對於片狀樹脂組合物整體為1重量%以上且10重量%以下之範圍內含有酸解離常數為3.0以上且5.0以下之範圍內之有機酸。


專利範圍

1.一種片狀樹脂組合物,其特徵在於:其係用於被接著體與覆晶連接於上述被接著體上之半導體元件之界面密封者,並且以10℃/min之升溫速度自25℃升溫至300℃時之重量減少率為2%以下,藉由卡氏法測得之吸濕率為1%以下,於相對於片狀樹脂組合物整體為1重量%以上且10重量%以下之範圍內含有酸解離常數為3.0以上且5.0以下之範圍內之有機酸。 2.如請求項1之片狀樹脂組合物,其具有上述被接著體、及上述半導體元件之至少一者包含銅之電極。 3.如請求項1之片狀樹脂組合物,其含有聚醯亞胺樹脂與無機填料。 4.如請求項1之片狀樹脂組合物,其含有聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、及無機填料。 5.一種背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物,其具備如請求項1至4中任一項之片狀樹脂組合物與背面研磨用帶,並且於上述背面研磨用帶上設置有上述片狀樹脂組合物。 6.一種切晶帶一體型片狀樹脂組合物,其具備如請求項1至4中任一項之片狀樹脂組合物與切晶帶,並且於上述切晶帶上設置有上述片狀樹脂組合物。 7.一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於:其係使用如請求項5之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物,並且包括如下步驟:貼合步驟,其係使半導體晶圓之形成有連接構件之電路面與上述背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之上述片狀樹脂組合物進行貼合;研磨步驟,其係對上述半導體晶圓之背面進行研磨;晶圓固定步驟,其係於背面研磨後之上述半導體晶圓之背面貼附切晶帶;剝離步驟,其係將上述背面研磨用帶剝離;切晶步驟,其係將上述半導體晶圓切晶而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片;拾取步驟,其係將上述附片狀樹脂組合物之半導體晶片自上述切晶帶剝離;連接步驟,其係利用上述片狀樹脂組合物填充被接著體與上述半導體晶片間之空間,並且經由上述連接構件而將上述半導體晶片與上述被接著體電性連接;及硬化步驟,其係使上述片狀樹脂組合物硬化。 8.一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於:其係使用如請求項6之切晶帶一體型片狀樹脂組合物,並且包括如下步驟:貼合步驟,其係使形成有具有連接構件之電路面之半導體晶圓與上述切晶帶一體型片狀樹脂組合物之上述片狀樹脂組合物進行貼合;切晶步驟,其係將上述半導體晶圓切晶而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片;拾取步驟,其係將上述附片狀樹脂組合物之半導體晶片自上述切晶帶剝離;連接步驟,其係利用片狀樹脂組合物填充被接著體與上述半導體晶片間之空間,並且經由上述


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