橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
申請人· 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW


專利信息

專利名稱 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法
公告號 I517398
公告日 2016/01/11
證書號 I517398
申請號 2013/05/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 李琮雄 LEE, TSUNG HSIUNG; 張睿鈞 CHANG, JUI CHUN
申請人 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 US2004/0232479A1; US2005/0017300A1; US2005/0269633A1; US2011/0140001A1
審查人員 莊敏宏

專利摘要

橫向雙擴散金氧半導體半導體裝置包括:半導體基板;半導體層,形成於半導體基板上;閘極結構,設置於半導體層上;第一摻雜區,設置於閘極結構之第一側之該半導體層內;第二摻雜區,設置於閘極結構之第二側之半導體層上;第三摻雜區,設置於第一摻雜區內;第四摻雜區,設置於第二摻雜區內;溝槽,形成於第三摻雜區、第一摻雜區與第一摻雜區下方之半導體層內;絕緣層,覆蓋第三摻雜區與閘極結構之上以及第四摻雜區;導電層,順應地形成於溝槽內之底面及側壁之上;介電層,設置於該溝槽內;以及擴散區,設置於該溝槽下方之該半導體層。


專利範圍

1.一種橫向雙擴散金氧半導體裝置,包括:一半導體基板,具有一第一導電類型;一磊晶半導體層,形成於該半導體基板上,具有該第一導電類型;一閘極結構,設置於該磊晶半導體層之一部上;一第一摻雜區,設置於鄰近該閘極結構之一第一側之該磊晶半導體層之一部內,具有該第一導電類型;一第二摻雜區,設置於相對該閘結構之該第一側之一第二側之該磊晶半導體層之一部內,具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型;一第三摻雜區,設置於該第一摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;一第四摻雜區,設置於該第二摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;一溝槽,形成於該第三摻雜區、該第一摻雜區與該第一摻雜區下方之該磊晶半導體層之一部中;一絕緣層,覆蓋該第三摻雜區與該閘極結構之上以及該第四摻雜區之一部之上;一導電層,順應地形成於該溝槽內之底面及數個側壁之上並覆蓋該絕緣層;一介電層,設置於該溝槽內並位於該導電層上;以及一擴散區,設置於該第一摻雜區下方之該磊晶半導體層之一部內,具有該第一導電類型,該擴散區實體接觸該半導體基板並環繞該溝槽之部份側壁與底面。 2.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該第一導電類型為P型,而該第二導電類型為N型。 3.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該第三摻雜區為一源極區,而該第四摻雜區為一汲極區。 4.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該擴散區具有高於該磊晶半導體層之一摻雜濃度。 5.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該導電層包括鋁銅合金、鋁矽銅合金、鈦-鈦鎳合金(Ti-TiN)、鎢、經摻雜之多晶矽、或經摻雜之磊晶半導體材料。 6.一種橫向雙擴散金氧半導體裝置之製造方法,包括:提供一半導體基板,具有一第一導電類型;於該半導體基板之一部內形成一第一摻雜區,具有該第一導電類型;形成一磊晶半導體層於該半導體基板上,具有該第一導電類型,其中於形成該磊晶半導體層時,該第一摻雜區向上延伸而形成一擴散區於該磊晶半導體層之一部內;形成一閘極結構於該磊晶半導體層之一部上;形成一第二摻雜區於鄰近該閘極結構之一第一側之該磊晶半導體層之一部內,具有該第一導電類型;形成一第三摻雜區於相對該閘極結構之該第一側之一第二側之該磊晶半島層之一部內,具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型;形成一第四摻雜區於該第二摻雜區之一部內,具有該第二導


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I517403 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I511284 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I511296 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201517267 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201515217 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201511270 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201444083 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I254384 橫向雙擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
200633073 橫向雙擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
201011910 多晶矽射極雙接面電晶體及其製造方法與雙載子,互補式金氧半導體,擴散金氧半導體裝置及其製造方法 東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD. 南韓 KR
I336132 低開啟電阻之橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW
201251007 橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
200847428 低開啓電阻之橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
I485843 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
I478244 具有經摻雜之含矽蓋層的金氧半導體裝置及其製造方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
578270 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 韓國
201513361 具有隔離汲極之金氧半導體裝置及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
201306234 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
201128713 具有經摻雜之含矽蓋層的金氧半導體裝置及其製造方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統