熱電漿化學射流法成長之碳奈米管裝置
申請人· 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW


專利信息

專利名稱 熱電漿化學射流法成長之碳奈米管裝置
公告號 M517200
公告日 2016/02/11
證書號 M517200
申請號 2015/08/07
國際專利分類號
公報卷期 43-05
發明人 趙中興 CHAO, CHUNG HSING; 謝振中 SHIEH, JENN JONG
申請人 大華學校財團法人大華科技大學 TA HWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 新竹縣芎林鄉大華路1號 TW
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優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

熱電漿化學射流法成長之碳奈米管裝置簡圖

本創作公開了一種熱電漿化學射流法成長之碳奈米管裝置。包括:一密封真空腔體,一電漿噴頭,置於該密封真空腔體內,包括:一陰極與一陽極,其中,該陽極與陰極之間產生一直流電弧間隙,一高壓粉體注入阜,置於該陰極與該陽極之間,一高壓電離氣體注入阜,置於該陰極與該陽極之間,一冷卻高壓氣體注入阜,置於該密封真空腔體與該陽極之間,以及一直流電源供應裝置,耦接該陰極與該陽極之間,經由該直流電弧間隙,產生一高熱電漿區域,其中,該高熱電漿區域由該直流電源供應裝置調整。


專利範圍

1.一種熱電漿化學射流法成長之碳奈米管裝置,包括:一密封真空腔體,一電漿噴頭,置於該密封真空腔體內,包括:一陰極與一陽極,其中,該陽極與該陰極之間產生一直流電弧間隙,一高壓粉體注入阜,置於該陰極與該陽極之間,其中,一高壓粉體儲存裝置經由該高壓粉體注入阜注入一高壓粉體於該密封真空腔體,一高壓電離氣體注入阜,置於該陰極與該陽極之間,其中,一高壓電離儲存裝置經由該高壓電離氣體注入阜注入一高壓電離氣體於該密封真空腔體,一冷卻高壓氣體注入阜,置於該密封真空腔體與該陽極之間,其中,一冷卻氣體儲存裝置經由該冷卻高壓氣體注入阜注入一冷卻高壓氣體於該密封真空腔體,以及一直流電源供應裝置,耦接該陰極與該陽極之間,經由該直流電弧間隙產生一熱電漿區域,其中,該熱電漿區域由該直流電源供應裝置調整。
2.如申請專利範圍第1項的碳奈米管裝置,其中,該高壓電離氣體是氬氣、氫氣、氮氣或氦氣。
3.如申請專利範圍第1項的碳奈米管裝置,其中,該高壓粉體為一具有碳奈米管金屬觸媒固態粉體和一含有碳源前驅物粉體。
4.如申請專利範圍第3項的碳奈米管裝置,其中,該具有碳奈米管金屬觸媒固態粉體為二茂鐵、二茂鈷或二茂鎳粉粒。
5.如申請專利範圍第3項的碳奈米管裝置,其中,該含有碳源前驅物粉體為一石墨粉粒。
6.如申請專利範圍第1項的碳奈米管裝置,其中,該冷卻高壓氣體是氬氣、氫氣、氮氣或氦氣。
7.如申請專利範圍第1項的碳奈米管裝置,進一步包括:一低溫擋板,阻擋該碳奈米管裝置所成長之至少一個碳奈米管。
8.如申請專利範圍第7項的碳奈米管裝置,進一步包括:一碳奈米管收集裝置,收集該至少一個碳奈米管。
9.如申請專利範圍第8項的碳奈米管裝置,其中,該密封真空腔體進一步包括:一碳奈米管取出閘,該至少一個碳奈米管由該碳奈米管取出閘取出。
10.如申請專利範圍第8項的碳奈米管裝置,其中,該密封真空腔體進一步包括:一碳奈米管取出閘,該碳奈米管收集裝置由該碳奈米管取出閘取出。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統