薄膜電晶體元件的製造方法 FABRICATION METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR
申請人· 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號


專利信息

專利名稱 薄膜電晶體元件的製造方法
公告號 I242289
公告日 2005/10/21
證書號 I242289
申請號 2004/11/22
國際專利分類號
公報卷期 32-30
發明人 甘豐源 GAN, FENG YUAN;林漢塗 LIN, HAN TU
申請人 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
代理人 洪澄文;顏錦順
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明提供一種薄膜電晶體元件的製造方法,包括形成一閘極於一基底上;對該閘極之表面進行一氫氣電漿處理以去除該閘極表面之氧化物;形成一氮化物緩衝層覆蓋該閘極;形成一閘極絕緣層於該緩衝層上;形成一半導體層於該閘極絕緣層上,以及形成一源極與一汲極於部分該半導體層上。在進行後續的沉積絕緣層的電漿輔助化學製程時,金屬閘極能藉由緩衝層的保護而不會受到損傷。


專利範圍

1.一種薄膜電晶體元件的製造方法,包括下列步驟: 形成一閘極於一基底上; 對該閘極之表面進行一電漿處理以去除該閘極表面之氧化物; 形成一緩衝層覆蓋該閘極; 形成一閘極絕緣層於該緩衝層上; 形成一半導體層於該閘極絕緣層上;以及 形成一源極與一汲極於部分該半導體層上。 2.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中對該閘極之表面進行之電漿處理所使用之氣體係為氫氣。 3.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該緩衝層係為一氮化物層。 4.如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該緩衝層係藉由對該閘極進行一氮氣電漿處理所形成之氮化物層。 5.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該緩衝層係在NH3氣體的存在下藉由對該閘極進行一退火製程所形成之氮化物層,且該退火製程之溫度範圍係200-400℃形成。 6.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該基底是玻璃基底或石英基底。 7.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該閘極係金屬或多晶矽材質。 8.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該閘極包括Al、Mo、Cr、W、Ta、Cu、Ag、Pd或上述金屬的合金。 9.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該閘極包括Cu、Ag或其合金。 10.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該緩衝層之材質係為氮化銅。 11.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該閘極絕緣層包括SiOx或SiNx或SiONx或TaOx或AlxOy。 12.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該半導體層係由電漿輔助化學氣相沉積法形成包括多晶矽或非晶質矽。 13.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該源極與該汲極係為金屬材質。 14.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,其中該源極與該汲極包括Al或Mo或Cr或W或Ta或Ti或Ni或上述金屬的合金。 15.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體元件的製造方法,在形成該閘極之前,更包括形成一保護層於該絕緣基底上,以保護該薄膜電晶體元件的表面。 16.一種薄膜電晶體元件的製造方法,包括下列步驟: 形成一閘極於一基底上; 對該閘極之表面進行一氫氣電漿處理


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I384532 具導通孔的電子元件及薄膜電晶體元件的製造方法 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW
I249251 薄膜電晶體元件的製造方法(二) 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
I242290 薄膜電晶體元件的製造方法(一) 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
201021090 具導通孔的電子元件及薄膜電晶體元件的製造方法 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW
200618297 薄膜電晶體元件的製造方法(二) 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
200618298 薄膜電晶體元件的製造方法 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
200618299 薄膜電晶體元件的製造方法(一) 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
I345805 回流法、圖案形成方法及液晶顯示裝置用薄膜電晶體元件之製造方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
595004 互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路一號
587309 互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法 統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP. 苗栗縣竹南鎮新竹科學工業園區仁愛路一二一巷五號
200830426 具有底閘極之低溫複晶矽薄膜電晶體元件之製造方法 陳旭信 新竹市大學路1001號 蔡春乾 新竹市大學路1001號 鄭晃忠 CHENG, HUANG CHUNG 新竹市東區建功一路86巷2弄14號2樓
200807499 回流法、圖案形成方法及液晶顯示裝置用薄膜電晶體元件之製造方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本
200805449 回流法、圖案形成方法及液晶顯示裝置用薄膜電晶體元件之製造方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本
200427093 互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路一號
200416959 互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法 統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP. 苗栗縣竹南鎮新竹科學工業園區仁愛路一二一巷五號
I237892 具靜電放電防護之薄膜電晶體元件的形成方法 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號
200524132 具靜電放電防護之薄膜電晶體元件的形成方法 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號
I444758 薄膜電晶體元件與用於定義薄膜電晶體元件之光罩及薄膜電晶體元件之製作方法 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號 TW
I268541 高壓水氣退火之複晶矽薄膜電晶體元件之製作方法 統寶光電股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP. 苗栗縣竹南鎮新竹科學工業園區科中路12號

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統