熱介面材料及其製備方法 THERMAL INTERFACE MATERIAL AND METHOD FOR MAKING SAME
申請人· 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號


專利信息

專利名稱 熱介面材料及其製備方法
公告號 I306117
公告日 2009/02/11
證書號 I306117
申請號 2005/04/08
國際專利分類號
公報卷期 36-05
發明人 黃華 HUANG, HUA;吳揚 WU, YANG;劉長洪 LIU, CHANG-HONG;范守善 FAN, SHOU-SHAN
申請人 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號
代理人
優先權
參考文獻 TW200406443 A; TW200427961 A
審查人員

專利摘要

本發明提供一種熱介面材料,其包括:一聚合物材料以及分佈於該聚合物材料中之多個碳奈米管,該熱介面材料形成有一第一表面及一相對於第一表面之第二表面,所述多個碳奈米管兩端分別伸出所述熱介面材料之第一表面及第二表面。本發明還提供所述熱介面材料之製備方法。


專利範圍

1.一種熱介面材料,其包括:一聚合物材料以及分佈於該聚合物材料中之多個碳奈米管,該熱介面材料形成有一第一表面及一相對於第一表面之第二表面,其改進在於,所述多個碳奈米管兩端分別伸出所述熱介面材料之第一表面及第二表面。 2.如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料,其中,所述聚合物材料包括矽膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。 3.如申請專利範圍第2項所述之熱介面材料,其中,所述多個碳奈米管為一碳奈米管陣列。 4.如申請專利範圍第1項所述之熱介面材料,其中,所述多個碳奈米管垂直於所述熱介面材料第一表面和/或第二表面。 5.一種熱介面材料之製備方法,其包括下述步驟: 提供多個碳奈米管; 於所述多個碳奈米管之上端及下端各形成一保護層; 用聚合物材料填充所述兩端有保護層之多個碳奈米管之間隙; 去除所述保護層,形成熱介面材料。 6.如申請專利範圍第5項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述多個碳奈米管生長於一基底。 7.如申請專利範圍第6項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述基底材料包括玻璃、矽、金屬及其氧化物。 8.如申請專利範圍第5項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述多個碳奈米管為一碳奈米管陣列。 9.如申請專利範圍第8項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述碳奈米管陣列之形成方法包括化學氣相沈積法、沈積法及印刷法。 10.如申請專利範圍第9項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述化學氣相沈積法採用之催化劑包括鐵、鎳、鈷、鈀。 11.如申請專利範圍第9項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述化學氣相沈積法採用之碳源氣包括甲烷、乙烯、丙烯、乙炔、甲醇及乙醇。 12.如申請專利範圍第5項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述保護層材料包括壓敏膠。 13.如申請專利範圍第5項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述聚合物材料包括矽膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。 14.如申請專利範圍第13項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述聚合物材料填充方法包括將所述兩端有保護層之多個碳奈米管浸入所述聚合物材料之溶液或熔融液中。 15.如申請專利範圍第14項所述之熱介面材料之製備方法,其中,所述熱介面材料之製備方法還包括固化所述兩端有保護層之多個碳奈米管中填充之聚合物材料。 16.如申請專利範圍第5項至第15項中任意一項所述


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統