半導體元件與其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體元件與其形成方法
公告號 I517406
公告日 2016/01/11
證書號 I517406
申請號 2014/01/16
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳柏羽 CHEN, PO YU
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/776,370 20130225
參考文獻 TW201232780A; US8298875B1; US8379458B1; US2012/0273955A1; WO2011/046844A1
審查人員 許勝宗

專利摘要

MOS電晶體結構包括:具有基體半導體區的基板、第一溝槽中的第一閘極、第一源極/汲極區、與第二源極/汲極區,其中第一源極/汲極區與第二源極/汲極區形成於第一閘極的相反兩側上。MOS電晶體結構更包括形成於第二溝槽中的第二閘極、第三源極/汲極區,其中第三源極/汲極區與第二源極/汲極區形成於第二閘極的相反兩側上、以及形成於基體半導體區中的通道區,其中通道區、第一源極/汲極區、第二源極/汲極區、與第三源極/汲極區具有相同極性。


專利範圍

1.一種半導體元件,包括:第一導電性的一基板,其中該基板包括一基體半導體區;一第一閘極,形成於該基體半導體區中的一第一溝槽中;第一導電性的一第一源極/汲極區;第一導電性的一第二源極/汲極區,其中該第一源極/汲極區與該第二源極/汲極區位於該基體半導體區中的該第一閘極之相反兩側上;一第二閘極,形成於該基體半導體區中的一第二溝槽中;第一導電性的一第三源極/汲極區,其中該第三源極/汲極區與該第二源極/汲極區位於該基體半導體區中的該第二閘極之相反兩側上;以及一通道區,形成於該基體半導體區中,其中該通道區、該第一源極/汲極區、該第二源極/汲極區、與該第三源極/汲極區具有相同極性。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中:該第一源極/汲極區與該第二源極/汲極區耦接在一起,以形成一金氧半電晶體的一源極;以及該第三源極/汲極區係該金氧半電晶體的一汲極。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中:該第一源極/汲極區與該第二源極/汲極區耦接在一起,以形成一金氧半電晶體的一汲極;以及該第三源極/汲極區係該金氧半電晶體的一源極。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中:該第一閘極與該第二閘極係耦接在一起,以形成一金氧半電晶體的一閘極。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中:該第一源極/汲極區、該第二源極/汲極區、該第三源極/汲極區、該通道區、該第一閘極、與該第二閘極形成一無接面金氧半電晶體。 6.一種半導體元件,包括:一第一無接面電晶體單元,包括:一第一閘極,形成於第一導電性的一基體半導體區中的一第一溝槽中,其中該基體半導體區位於一基板中;一第二閘極,形成於該基體半導體區中的一第二溝槽中,其中該第一閘極與該第二閘極耦接在一起以形成一第一閘極端;第一導電性的一第一源極/汲極區;第一導電性的一第三源極/汲極區,其中該第一源極/汲極區與該第三源極/汲極區形成於該基體半導體區中的該第一閘極的相反兩側上,且其中該第一源極/汲極區與該第三源極/汲極區耦接在一起以形成一第一源極/汲極端;第一導電性的一第二源極/汲極區,其中該第三源極/汲極區與該第二源極/汲極區形成於該基體半導體區中的該第二閘極的相反兩側上,且其中該第二源極/汲極區耦接至一第二源極/汲極端;一通道區,形成於該基體半導體區中,其中該通道區、該第一源極/汲極區、該第二源極/汲極區、與該第三源極/汲極區具有相同極性


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