發光二極體封裝、用於發光二極體封裝之高反射型次基板及其製造方法 LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGE, HIGH-REFLECTION SUBMOUNT FOR LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGING AND FABRI
申請人· 精材科技股份有限公司 XINTEC INC. 桃園市中壢區中壢工業區吉林路23號9樓 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體封裝、用於發光二極體封裝之高反射型次基板及其製造方法
公告號 I517445
公告日 2016/01/11
證書號 I517445
申請號 2011/02/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 吳上義 WU, SHANG YI; 陳鍵輝 CHEN, CHIEN HUI
申請人 精材科技股份有限公司 XINTEC INC. 桃園市中壢區中壢工業區吉林路23號9樓 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權 美國 61/303,683 20100212
參考文獻 TW200843142A; US2007/0181905A1
審查人員 趙芝婷

專利摘要

一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法。首先提供一矽基板;於該矽基板上形成一反射層;蝕刻掉部分的該反射層及該矽基板,形成一孔洞;進行一晶圓晶背研磨製程,薄化該矽基板,使得該孔洞變成一直通矽晶穿孔;形成一絕緣層,覆蓋住該反射層及該矽基板;形成一金屬晶種層,覆蓋住該絕緣層;於該絕緣層上形成一光阻圖案,定義出一重分佈線路層圖案;在未被該光阻圖案覆蓋的該金屬晶種層上形成一金屬層;再去除該光阻圖案;最後,去除未被該金屬層覆蓋的該金屬晶種層。


專利範圍

1.一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,包含有:提供一矽基板;於該矽基板上形成一反射層;蝕刻掉部分的該反射層及該矽基板,形成一孔洞;進行一晶圓晶背研磨製程,薄化該矽基板,使得該孔洞變成一直通矽晶穿孔;形成一絕緣層,覆蓋住該反射層及該矽基板;形成一金屬晶種層,覆蓋住該絕緣層;於該絕緣層上形成一光阻圖案,定義出一重分佈線路層圖案;在未被該光阻圖案覆蓋的該金屬晶種層上形成一金屬層;去除該光阻圖案;以及去除未被該金屬層覆蓋的該金屬晶種層。 2.如申請專利範圍第1項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該反射層包含鋁或銀。 3.如申請專利範圍第1項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該絕緣層包含有二氧化矽。 4.如申請專利範圍第1項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該絕緣層為一透光的絕緣層。 5.如申請專利範圍第1項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該金屬晶種層包含有鈦鎢合金或銅金屬。 6.如申請專利範圍第1項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該金屬層包含一銅金屬層或一鎳金層。 7.一種發光二極體封裝的製造方法,包含有:提供一以申請專利範圍第1項所述之方法所構成的矽次基板;將一發光二極體晶粒置於該矽次基板上;以及以打線將該發光二極體晶粒的一電極與該矽次基板的一接合墊接合。 8.一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,包含有:提供一矽基板;於該矽基板上形成一反射層;蝕刻掉部分的該反射層及該矽基板,形成一孔洞;進行一晶圓晶背研磨製程,薄化該矽基板,使得該孔洞變成一直通矽晶穿孔;形成一絕緣層,覆蓋住該反射層及該矽基板;形成一金屬晶種層,覆蓋住該絕緣層;於該絕緣層上形成一光阻圖案,定義出一重分佈線路層圖案;蝕刻掉部分未被該光阻圖案覆蓋的該金屬晶種層,直到曝露出部分的該絕緣層;在蝕刻該金屬晶種層後,去除該光阻圖案;以及於該金屬晶種層的表面上電鍍形成一金屬層。 9.如申請專利範圍第8項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該反射層包含鋁或銀。 10.如申請專利範圍第8項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該絕緣層為一透光的絕緣層。 11.如申請專利範圍第8項所述之一種用於發光二極體封裝之矽次基板的製造方法,其中該金屬晶種層包含有鈦鎢合金或銅金屬。 1


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統