濺鍍裝置及成膜方法 SPUTTERING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING FILM
申請人· 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP


專利信息

專利名稱 濺鍍裝置及成膜方法
公告號 I362426
公告日 2012/04/21
證書號 I362426
申請號 2007/01/22
國際專利分類號
公報卷期 39-12
發明人 高澤悟 TAKASAWA, SATORU; 浮島禎之 UKISHIMA, SADAYUKI; 谷典明 TANI, NORIAKI; 石橋曉 ISHIBASHI, SATORU
申請人 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2006-016405 20060125
參考文獻 JP3-013575A
審查人員 鐘文宏

專利摘要

本發明之濺鍍裝置1具有第1~第4標靶21a~21d。第1、第2標靶21a、21b之表面互呈對向配置,第3、第4標靶21c、21b之表面亦互呈對向配置。形成介電膜時,對第1、第2標靶21a、21b與第3、第4標靶21c、21b交互進行濺鍍。表面互呈對向之2片標靶21a~21d被濺鍍時,其他之2片標靶21a~21d作為接地之功能。結果,可抑制異常放電。


專利範圍

1.一種濺鍍裝置,具有:第1、第2標靶,彼等之表面互呈對向配置;第3標靶,其之表面平行於上述第1之標靶表面;第4標靶,其之表面平行於上述第2之標靶表面,與上述第3標靶之表面呈對向配置;及第1~第4陰極,配置於上述第1~第4標靶之背面;以在和上述第1、第2標靶之間之空間呈對向位置之成膜對象物表面形成薄膜的方式而構成,上述第1標靶之表面,係和上述第3標靶之表面位於同一平面內,上述第2標靶之表面,係和上述第4標靶之表面位於同一平面內,具有濺鍍電源,其被連接於上述第1~第4陰極,用於輸出交流電壓;上述濺鍍電源,係以對上述第1、第2陰極施加相同極性、相同大小之電壓,對上述第3、第4陰極施加相同極性、相同大小之電壓的方式被連接,上述濺鍍電源輸出之交流電壓為,在上述第1、第2陰極被施加負電壓時,使上述第3、第4陰極被施加相對於上述第1、第2陰極為正之電壓;在上述第3、第4陰極被施加負電壓時,使上述第1、第2陰極被施加相對於上述第3、第4陰極為正之電壓。 2.如申請專利範圍第1項之濺鍍裝置,其中,上述第1、第2標靶,係配置於上述薄膜形成中之上述成膜對象物與第3、第4標靶之間。 3.如申請專利範圍第1項之濺鍍裝置,其中,具有移動機構,用於使成膜對象物和上述第1、第2標靶之間之空間呈對向之同時予以移動。 4.如申請專利範圍第1項之濺鍍裝置,其中,上述第3、第4標靶,係以上述薄膜形成中之上述成膜對象物和上述第3、第4標靶之間之空間呈對向的方式被配置。 5.如申請專利範圍第4項之濺鍍裝置,其中,具有移動機構,用於使成膜對象物,和上述第1、第2標靶之間之空間及上述第3、第4標靶之間之空間同時呈對向並予以移動。 6.一種成膜方法,係濺鍍裝置針對和第1、第2標靶之間之空間呈對向位置的成膜對象物形成介電膜者;該濺鍍裝置具有:上述第1、第2標靶,彼等之表面互呈對向配置;第3標靶,其之表面平行於上述第1標靶之表面;及第4標靶,其之表面平行於上述第2標靶之表面,與上述第3標靶之表面呈對向配置;其特徵為:第1電壓期間與第2電壓期間被交互重複進行,上述第1電壓期間為,對上述第1、第2標靶施加負電壓,對上述第3、第4標靶施加相對於上述第1、第2標靶之正電壓;上述第2電壓期間為,對上述第3、第4標靶施加負電壓,對上述第1、第2標靶施加相對於上述第3、第4標靶之正電壓。 7.如申請專利範圍第6項之成膜方法,其中,


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I391513 濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
I384472 濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
I381472 基板載置台、具備其之濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
200949975 基板載置台、具備其之濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
200940734 濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
200732489 濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本
200632881 濺鍍裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本
I352131 濺射裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
503470 濺射裝置及成膜方法 東芝股份有限公司 日本
200716776 濺射裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本
I500792 濺射裝置、濺射裝置的控制裝置及成膜方法 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP
201346051 蒸鍍裝置及使用蒸鍍裝置之成膜方法 佳能特機股份有限公司 CANON TOKKI CORPORATION 日本 JP
201343946 濺射裝置、濺射裝置的控制裝置及成膜方法 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP
I526564 成膜裝置及成膜方法 神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) 日本 JP
I513849 成膜裝置及成膜方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
I513850 成膜裝置及成膜方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
I510658 成膜裝置及成膜方法 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. 日本 JP
I503433 成膜裝置及成膜方法 不二越股份有限公司 NACHI-FUJIKOSHI CORP. 日本 JP
I498988 氣體供應裝置、成膜裝置、及成膜方法 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統