半導體裝置及其製造方法和設計方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND MANUFACTURING AND DESIGN METHODS THEREOF
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法和設計方法
公告號 I517358
公告日 2016/01/11
證書號 I517358
申請號 2012/08/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 李東穎 LEE, TUNG YING; 郭文暉 GUO, WEN HUEI; 張志豪 CHANG, CHIH HAO; 張守仁 CHANG, SHOU ZEN
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/410,207 20120301
參考文獻 CN102034866A; US2009/0057781A1
審查人員 陳佳琭

專利摘要

本發明提供一種半導體裝置及其製造方法和設計方法。上述半導體裝置包括一主動鰭式場效電晶體,設置於一工件上方,上述工件包括一第一半導體材料,上述主動鰭式場效電晶體包括一第一鰭。一電性閒置鰭式場效電晶體結構,設置於上述工件上方,且接近上述主動鰭式場效電晶體,上述電性閒置鰭式場效電晶體結構包括一第二鰭。一第二半導體材料,設置於上述第一鰭和上述第二鰭之間。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一主動鰭式場效電晶體,設置於一工件上方,該工件包括一第一半導體材料,該主動鰭式場效電晶體包括一第一閘極;一電性閒置鰭式場效電晶體結構,設置於該工件上方,且接近該主動鰭式場效電晶體,該電性閒置鰭式場效電晶體結構包括一第二閘極;一第二半導體材料,部分填充相鄰的該些第一閘極和該些第二閘極之間的間隙、相鄰的複數對的該些第一閘極之間的間隙或相鄰的複數對該些第二閘極之間的間隙;以及一接觸,耦合至位於相鄰的該些主動鰭式場效電晶體的該些第一閘極和該些電性閒置鰭式場效電晶體結構的該些第二閘極之間、位於相鄰的該些對的該些電性閒置鰭式場效電晶體結構的該些第二閘極之間或位於相鄰的該些對的該些主動鰭式場效電晶體的該些第一閘極之間的該第二半導體材料。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中在該工件的上視圖中,該電性閒置鰭式場效電晶體結構沿著該主動鰭式場效電晶體的長度大體上平行該主動鰭式場效電晶體。 3.如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置,其中在該工件的上視圖中,該電性閒置鰭式場效電晶體結構為連續或為破碎不完整。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該主動鰭式場效電晶體包括用於一邏輯元件、一類比元件、一記憶體元件或一輸入/輸出元件的一靜電放電防護電路。 5.一種半導體裝置的製造方法,包括下列步驟:提供一工件,該工件包括一第一半導體材料;於該工件上方形成複數個主動鰭式場效電晶體,其中每一個該些主動鰭式場效電晶體包括一第一閘極;於該工件上方形成複數個電性閒置主動鰭式場效電晶體結構,且接近該些主動鰭式場效電晶體,其中每一個該些電性閒置鰭式場效電晶體結構包括一第二閘極;以及以一第二半導體材料部分填充相鄰的該些第一閘極和該些第二閘極之間的間隙、相鄰的複數對的該些第一閘極之間的間隙或相鄰的複數對該些第二閘極之間的間隙,其中該步驟包括磊晶成長該第二半導體材料,以及形成該些主動鰭式場效電晶體的源極或汲極區,且其中該半導體裝置的製造方法更包括將接觸耦合至位於相鄰的該些主動鰭式場效電晶體的該些第一閘極和該些電性閒置鰭式場效電晶體結構的該些第二閘極之間、位於相鄰的該些對的該些電性閒置鰭式場效電晶體結構的該些第二閘極之間或位於相鄰的該些對的該些主動鰭式場效電晶體的該些第一閘極之間的該第二半導體材料。 6.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置的製造方法,其中形成該些電性閒置主


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統