0.18um製程中強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路
申請人· 健行學校財團法人健行科技大學 CHING YUN UNIVERSITY 桃園市中壢區健行路229號 TW


專利信息

專利名稱 0.18um製程中強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路
公告號 I517346
公告日 2016/01/11
證書號 I517346
申請號 2011/09/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 黃至堯; 祈季凡
申請人 健行學校財團法人健行科技大學 CHING YUN UNIVERSITY 桃園市中壢區健行路229號 TW
代理人
優先權
參考文獻 TW200737488; TW200818446; TW200841454; TW201019422A1
審查人員 王安邦

專利摘要

一種0.18um製程中用於强健靜電防護具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其係在會產生燒損之線路上串接有一矽控整流器結合雙極電晶體,其特徵在於該矽控整流器結合雙極電晶體之陽極並接一N型金氧半電晶體,或並接一具電阻電容(RC)閘極耦合之N型金氧半電晶體;當靜電激增時,N型金氧半電晶體導通,降低線路之保持電壓不致燒損,正常直流通電時,N型金氧半電晶體關閉,使矽控整流器整合雙極電晶體不易進入鎖定當機狀態,該等裝置之保持電壓較傳統作為靜電防護矽控整流器提升了16倍。


專利範圍

1.一種0.18um製程中用於強健靜電防護具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其係在會產生燒損之線路上串接有一矽控整流器結合雙極電晶體,其特徵在於:該矽控整流器結合雙極電晶體之陽極並接一N型金氧半電晶體;當靜電激增時,N型金氧半電晶體導通,降低線路之保持電壓不致燒損,正常通電時,N型金氧半電晶體關閉,使矽控整流器結合雙極電晶體不易進入鎖定當機狀態。 2.如申請專利第1項所述之0.18um製程中用於強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其中該矽控整流器結合雙極電晶體為一PNP電晶體與一NPN型組合成PNPN型之矽控整流器串接一反偏二極體。 3.如申請專利第1項所述之0.18um製程中用於強健靜電防護具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其中該N型金氧半電晶體之汲極與矽控整流器結合雙極電晶體之N + 陽極電性連接,N型金氧半電晶體之源極與矽控整流器結合雙極電晶體之P + 陽極電性連接。 4.如申請專利第3項所述之靜電防護裝置,其中陽極有一金屬導線電性連接至整合矽控整流器雙極電晶體之P + 陽極與N + 陽極。 5.一種0.18um製程中用於強健靜電防護具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其係在會產生燒損之線路上串接有一矽控整流器結合雙極電晶體,其特徵在於:該矽控整流器結合雙極電晶體之陽極並接一具電阻電容閘極耦合之N型金氧半電晶體;當靜電激增時,電阻電容閘極耦合之N型金氧半電晶體導通,降低線路之保持電壓不致燒損,正常通電時,電阻電容閘極耦合之N型金氧半電晶體關閉,使矽控整流器結合雙極電晶體不易進入鎖定當機狀態。 6.如申請專利第4項所述之0.18um製程中用於強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其中該矽控整流器結合雙極電晶體為一PNP電晶體與一NPN型組合成PNPN型之矽控整流器串接一反偏二極體。 7.如申請專利第4項所述之0.18um製程中用於強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其中該電阻電容閘極耦合之N型金氧半電晶體,其內之電容二端分別與N型金氧半電晶體之閘極、汲極電性連接,電阻二端分別與N型金氧半電晶體之閘極、接地電性連接。 8.如申請專利第6項所述之0.18um製程中用於強健靜電防護具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路,其中該電阻電容閘極耦合之N型金氧半


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統