電阻式記憶體的形成方法 METHOD OF FORMING RESISTIVE MEMORY
申請人· 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 臺中市大雅區科雅一路8號 TW


專利信息

專利名稱 電阻式記憶體的形成方法
公告號 I517467
公告日 2016/01/11
證書號 I517467
申請號 2013/11/28
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 李書銘 LI, SHU MING; 李彥德 LEE, YEN DE; 陳宏生 CHEN, HUNG SHENG
申請人 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 臺中市大雅區科雅一路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 TW201212167A; TW201240102A; US8000128B2; US2008/0247219A1
審查人員 林頎鵬

專利摘要

本發明揭露一種電阻式記憶體的形成方法。上述方法包括於一基板上形成一下電極層。於基板上形成一停止層,且停止層覆蓋下電極層。於停止層內形成一開口,以露出下電極層。於基板上順應性地形成一絕緣層。於絕緣層上形成一導電層,並填滿開口。以停止層為停止層,移除部分絕緣層及部分導電層,以於開口中形成一電阻轉換層及一上電極層。之後,去除停止層。


專利範圍

1.一種電阻式記憶體的形成方法,包括:提供一基板;於該基板上形成一下電極層;於該基板上形成一停止層,該停止層覆蓋該下電極層;於該停止層上形成一第一介電層;於該第一介電層內形成一第二開口;經由該第二開口於該停止層內形成一第一開口,以露出該下電極層;於該基板上順應性地形成一絕緣層;於該絕緣層上形成一第一導電層,並填滿該第一開口;以該停止層為停止層,移除部分該絕緣層及部分該第一導電層,以於該第一開口中形成一電阻轉換層及一上電極層;以及移除該停止層。 2.如申請專利範圍第1項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中移除部分該絕緣層及部分該第一導電層的方法包括進行物理刷磨、化學機械研磨或乾蝕刻。 3.如申請專利範圍第1項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中形成該下電極層的步驟包括:於該基板上形成一第二介電層;於該第二介電層內形成一第三開口;於該第二介電層上形成一第二導電層,並填滿該第三開口;以及以該第二介電層為停止層,移除部分該第二導電層,以於該第三開口內形成該下電極層。 4.如申請專利範圍第3項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中移除部分該第二導電層的方法包括物理刷磨、化學機械研磨或乾蝕刻。 5.如申請專利範圍第1項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中形成該下電極層的步驟包括:於該基板上形成一第二導電層;以及圖案化該第二導電層,以形成該下電極層。 6.如申請專利範圍第5項所述之電阻式記憶體的形成方法,更包括:於該基板上形成一第二介電層並覆蓋該下電極層;以及以該下電極層為停止層,移除部分該第二介電層,以露出該下電極層。 7.如申請專利範圍第6項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中移除部分該第二介電層的方法包括物理刷磨、化學機械研磨或濕蝕刻。 8.一種電阻式記憶體的形成方法,包括:提供一基板;於該基板上形成一下電極層;於該基板上形成一第一介電層並覆蓋該下電極層;於該第一介電層上形成一停止層;於該停止層內形成一第一開口,並經由該第一開口於該第一介電層內形成一第二開口,以露出該下電極層;於基板上順應性地形成一絕緣層;於絕緣層上形成一第一導電層,並填滿該第一開口及該第二開口;以該停止層為停止層,移除部分該絕緣層及部分該第一導電層,以於該第一開口及第二開口中形成一電阻轉換層及一上電極層;以及移除該停止層。 9.如申請專利範圍第8項所述之電阻式記憶體的形成方法,其中移除部分該絕緣層及部分該第一導電層的


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統